公开(公告)号：WO2022258756A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065697

申请日：2022-06-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  HEINEMANN, Erik ,  SOMERS, André ,  KIPPES, Thomas ,  SCHLEGL, Sebastian ,  HEIDEMANN, Matthias

IPC: H01S3/08 ,  H01S5/14 ,  H01S5/34 ,  H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02315 ,  H01S5/04256 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/4031

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (LD) mit einer strukturierten Chiprückseite (RS) angegeben, wobei die Chiprückseite zur elektrischen und thermischen Anbindung des Halbleiterchips (LD) eingerichtet ist, wobei der Halbleiterchip (LD) Emitterbereiche (E) aufweist, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (L) eingerichtet sind, und wobei die strukturierte Chiprückseite (RS) Anschlusspads (AP) aufweist, die zur elektrischen Anbindung der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Die Anschlusspads (AP) sind p-Kontakte oder n-Kontakte, wobei alle entweder als p-Kontakte oder als n-Kontakte ausgeführten Anschlusspads (AP) in Draufsicht jeweils mit mindestens zwei der Emitterbereiche (E) überlappen und jeweils zur elektrischen Anbindung lediglich einer der Emitterbereiche (E) eingerichtet sind. Des Weiteren wird ein Bauelement (100) insbesondere mit mindestens einem solchen Halbleiterchip (LD) angegeben.

公开(公告)号：WO2023041283A1

公开(公告)日：2023-03-23

申请号：PCT/EP2022/073083

申请日：2022-08-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SORG, Jörg Erich ,  HEINEMANN, Erik ,  SOMERS, André ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/0234 ,  H01S5/02345 ,  H01S5/024 ,  H01S5/042 ,  H01S5/028 ,  H01S5/22 ,  H01S5/40 ,  H01S2301/176 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/04252 ,  H01S5/04257 ,  H01S5/4043

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10) mit einem ersten Bereich (101) einer ersten Leitfähigkeit, einem zweiten Bereich (102) einer zweiten Leitfähigkeit und einem aktiven Bereich (103), der zur Emission von kohärenter elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist, umfasst. Entlang einer Resonatorachse ist ein optischer Resonator in dem Halbleiterkörper (10) ausgebildet. Der Halbleiterkörper (10) weist eine Montageseite (10A) und quer zur Montageseite (10A) verlaufende Seitenflächen (10B) auf. Parallel zur Resonatorachse verlaufende Seitenflächen (10B) sind von einer elektrisch isolierenden Passivierung (50) bedeckt. Auf einer dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der Passivierung (50) ist eine Kühlschicht (30) angeordnet, die dazu eingerichtet ist, zumindest einen Teil der in dem Halbleiterkörper (10) im Betrieb erzeugten Verlustleistung abzuführen. Ferner wird ein optoelektronisches Modul (2) angegeben.

公开(公告)号：WO2013010765A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：PCT/EP2012/062465

申请日：2012-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BESTELE, Michael ,  HEINEMANN, Erik ,  JEREBIC, Simon ,  MARFELD, Jan ,  PINDL, Markus

Inventor： BESTELE, Michael ,  HEINEMANN, Erik ,  JEREBIC, Simon ,  MARFELD, Jan ,  PINDL, Markus

IPC: H01L33/60

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist ein Substrat (102) auf, auf dem ein Halbleiterchip (104) und ein benetzbares Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 6d) angeordnet sind. Ein Pigmente (110) aufweisenden Medium (108) bedeckt den freiliegenden Bereich des 10 Substrats (102), der nicht von dem Halbleiterchip (104) und dem Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) abgedeckt ist, zumindest bereichsweise. Das Pigmente (110) aufweisende Medium (108) benetzt den Halbleiterchip (104) und das Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) zumindest teilweise.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括在其上布置的半导体芯片（104）和可湿性吸引元件（106A，106B，106C，6D）的衬底（102）。 的颜料（110），其具有介质（108）覆盖10衬底（102）不被半导体芯片（104）和吸引子元件（106A，106B，106C，106D）被覆盖，至少在区域的占有的暴露部分。 颜料含有介质（108）润湿半导体芯片（104）和吸引子元件（106A，106B，106C，106D）至少部分（110）。

公开(公告)号：WO2012010400A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：PCT/EP2011/061137

申请日：2011-07-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  JEREBIC, Simon ,  HEINEMANN, Erik ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales

Inventor： JEREBIC, Simon ,  HEINEMANN, Erik ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Anschlussträger (5) mit einer Anschlussfläche (53), auf der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweist. Auf dem Anschlussträger (5) ist eine Reflektorschicht (4) und eine Begrenzungsstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die Begrenzungsstruktur (3) den Halbleiterchip (2) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise umläuft und die Reflektorschicht (4) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen einer Seitenfläche (21) des Halbleiterchips und der Begrenzungsstruktur (3) verläuft. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 公开的是包含至少一个光电子半导体芯片（2）和（5），其具有在其上的半导体芯片（2）布置的连接面（53）的连接的载体，具有一个半导体器件（1）。 是连接载体（5）上的是反射层（4）和一容纳结构（3），其中，所述限制结构（3）至少包围所述半导体芯片（2）的区域中的横向方向上，并且所述反射器层（4）中至少在之间的区域的横向方向 所述半导体芯片和所述限制结构（3）的侧表面（21）。 此外，提供了一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：EP2596535A1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：EP11743034.8

申请日：2011-07-01

Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH

Inventor： JEREBIC, Simon ,  HEINEMANN, Erik ,  GÄRTNER, Christian ,  MARKYTAN, Ales

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: The invention relates to a semiconductor component (1) comprising at least one optoelectronic semiconductor chip (2) and a connecting carrier (5) having a connecting surface (53) on which the semiconductor chip (2) is disposed. A reflective coating (4) and a limiting structure (3) are formed on the connecting carrier (5), wherein the limiting structure (3) at least partially encloses the semiconductor chip (2) in the lateral direction, and the reflective coating (4) at least partially extends in the lateral direction between a side surface (21) of the semiconductor chip and the limiting structure (3). The invention further relates to a method for producing a semiconductor component.

Abstract translation: 本发明涉及包括至少一个光电子半导体芯片（2）和具有其上设置有半导体芯片（2）的连接表面（53）的连接载体（5）的半导体部件（1）。 在连接载体（5）上形成反射涂层（4）和限制结构（3），其中限制结构（3）沿横向至少部分地包围半导体芯片（2），并且反射涂层 4）至少部分地在半导体芯片的侧表面（21）和限制结构（3）之间沿横向方向延伸。 本发明还涉及用于制造半导体部件的方法。