公开(公告)号：WO2018192857A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/EP2018/059555

申请日：2018-04-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  WOJCIK, Andreas ,  HALBRITTER, Hubert ,  BEHRINGER, Martin Rudolf ,  MARIC, Josip ,  JAMA, Mariel Grace ,  HAHN, Berthold ,  MÜLLER, Christian ,  OTTO, Isabel

IPC: H01S5/042

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).