公开(公告)号：WO2008119338A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000539

申请日：2008-03-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  VON MALM, Norwin ,  KLEIN, Markus ,  BOLINK, Hendrik Jan

Inventor： VON MALM, Norwin ,  KLEIN, Markus ,  BOLINK, Hendrik Jan

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5052 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/004

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung gibt eine organische strahlungsemittierende Vorrichtung an, die ein Substrat, und zumindest eine strahlungsemittierende organische Schicht, die zwischen einer ersten und einer zweiten Elektrodenschicht auf dem Substrat angeordnet ist, umfasst, wobei zwischen der ersten Elektrodenschicht und der strahlungsemittierenden organischen Schicht eine erste Ladungsträgertransportschicht angeordnet ist, die ein erstes Ladungsträgertransportmaterial und ein erstes Salz umfasst.

Abstract translation: 本发明的一个实施例提供了一种有机发射辐射的装置，其包括基底和至少一个发射辐射的有机层设置在第一和基底，其中第一所述第一电极层和发射辐射的有机层之间的第二电极层之间 载流子传输层，包括第一载流子传输材料和第一盐。

公开(公告)号：WO2014206842A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/EP2014/062863

申请日：2014-06-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ALBRECHT, Tony ,  KLEIN, Markus ,  MARFELD, Jan

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip. Der Halbleiterchip weist eine Halbleiterschichtenfolge auf, welche einen ersten Halbleiterbereich, einen zweiten Halbleiterbereich und eine dazwischen angeordnete aktive Zone zur Strahlungserzeugung umfasst. Der Halbleiterchip weist einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen ersten Kontakt, einen elektrisch mit dem zweiten Halbleiterbereich verbunden zweiten Kontakt und einen elektrisch mit dem ersten Halbleiterbereich verbundenen dritten Kontakt auf. Der erste Kontakt und der dritte Kontakt sind im Bereich von entgegen gesetzten Seiten des Halbleiterchips angeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung umfassend mehrere optoelektronische Halbleiterchips.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子半导体芯片。 半导体芯片具有半导体层序列，其包括：第一半导体区域，第二半导体区域，以及用于产生辐射的介于活性区域。 该半导体芯片具有电连接到所述第一半导体区域的第一接触，电连接到所述第二半导体区域和第二接触电连接到所述第一半导体区域的第三接触。 第一接触和第三接触被布置在半导体芯片的相对侧上的区域中。 本发明还涉及包括多个光电子半导体芯片的装置。

公开(公告)号：WO2014139834A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/054147

申请日：2014-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHMIDTKE, Kathy ,  STOLL, Ion ,  ALBRECHT, Tony ,  KLEIN, Markus

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00 ,  H01L33/56

CPC classification number: H01L33/502 ,  H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L33/483 ,  H01L33/501 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement umfassend einen Träger (10), eine Halbleiterschichtenfolge (20), die zur Emission von elektromagnetischer Primärstrahlung eingerichtet und auf dem Träger (10) angeordnet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (20) eine dem Träger (10) abgewandte Strahlungshauptseite (21) aufweist, eine Verbindungsschicht (30), die zumindest auf der Strahlungshauptseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (20) direkt aufgebracht ist, ein Konversionselement (40), das zur Emission von elektromagnetischer Sekundärstrahlung eingerichtet und direkt auf der Verbindungsschicht (30) angeordnet ist, wobei das Konversionselement (40) als vorgefertigter Körper ausgeformt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) zumindest einen anorganischen Füllstoff (31), eingebettet in einem Matrixmaterial (32), aufweist, wobei die Verbindungsschicht (30) mit einer Schichtdicke von kleiner oder gleich 2 μm ausgeformt ist, wobei der vorgefertigte Körper mittels der Verbindungsschicht (30) an der Halbleiterschichtenfolge (20) befestigt ist, wobei die Verbindungsschicht (30) derart eingerichtet ist, einen kurzwelligen Anteil der elektromagnetischen Primärstrahlung herauszufiltern.

Abstract translation: 本发明涉及包括适于电磁初级辐射的发射和在该载体基片（10），半导体层序列（20）的光电元件（10）被布置，其中，所述半导体层序列（20）远离所述载体（10）辐射的主侧 （21），至少一个粘接层（30）上的半导体层序列（20）的辐射主侧面（21）被直接施加，一个转换元件（40），其设置适于电磁二次辐射的发射和连接层（30）上 ，其中所述转换元件（40）形成为预制体，其特征在于，所述连接层（30）包括嵌入基体材料（32）至少一种无机填料（31），其特征在于，具有以下的层厚度比连接层（30）或 等于2微米形成，其中，所述预制体由Ve的 是附着到半导体层序列（20），其中所述连接层（30）被布置成过滤掉电磁初级辐射的短波部分rbindungsschicht（30）。

公开(公告)号：WO2009106040A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：PCT/DE2009/000217

申请日：2009-02-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LANG, Erwin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  KLEIN, Markus

Inventor： LANG, Erwin ,  BECKER, Dirk ,  DOBBERTIN, Thomas ,  KLEIN, Markus

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/486 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5234 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine organische Leuchtdiode (1), umfassend einen Schichtstapel (2) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (6). Auf einer ersten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige erste Anschlussschicht (4) angeordnet und auf einer zweiten Oberfläche des Schichtstapels (2) ist eine elektrisch leitfähige und für eine charakteristische Wellenlänge der emittierbaren elektromagnetischen Strahlung (6) zumindest überwiegend durchlässige zweite Anschlussschicht (5) angeordnet. Die organische Leuchtdiode ist gekennzeichnet durch eine auf der dem Schichtstapel gegenüberliegenden Seite der ersten Anschlussschicht (4) angeordnete leitfähige Kontaktstruktur (7), die mit der zweiten Anschlussschicht (5) im Bereich einer Mehrzahl von Aussparungen (12) der ersten Anschlussschicht (4) elektrisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Kontaktanordnung (15) für ein flächiges, optisch aktives Element sowie ein Verfahren zur Herstellung organischer Leuchtdioden (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光二极管（1），包括层堆叠（2）的电磁辐射的发射（6）。 上的层堆叠的第一面（2）是（4）布置在所述叠层的第二表面的导电的第一连接层（2）是导电的，并且为可发射电磁辐射（6）至少主要可渗透第二连接层的特征波长 （5）。 的有机发光二极管的特征在于上相反于第一连接层的层堆叠面侧（4）第一连接层的设置导电接触结构（7）连接到所述第二连接层（5）中的区域中的多个凹部（12）（4）电 连接。 本发明还涉及一种接触装置（15），用于使一个扁平的，光学活性元素以及用于制造有机发光二极管（1）的方法。

公开(公告)号：WO2009036718A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：PCT/DE2008/001302

申请日：2008-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEIN, Markus ,  VON MALM, Norwin ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

Inventor： KLEIN, Markus ,  VON MALM, Norwin ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5036 ,  H01L51/5262

Abstract: Ein optoelektronisches Bauteil umfasst eine organische Schichtenfolge (1), die im Betrieb eine elektromagnetische Strahlung (15) mit einem ersten Wellenlängenspektrum abstrahlt sowie eine strukturierte Schicht (2), die der organischen Schichtenfolge (1) im Strahlengang der von der organischen Schichtenfolge (1) abgestrahlten elektromagnetischen Strahlung (15) nachgeordnet ist und erste und zweite Bereiche (2A, 2B) aufweist. Dabei weisen die ersten Bereiche (2A) jeweils eine Wellenlängenkonversionsschicht (3) auf, die eingerichtet ist, zumindest teilweise elektromagnetische Strahlung (15) mit dem ersten Wellenlängenspektrum in eine elektromagnetische Strahlung (16) mit einem zweiten Wellenlängenspektrum umzuwandeln. Des Weiteren weisen die zweiten Bereiche (2B) jeweils eine Filterschicht (4) auf, die für eine elektromagnetische Strahlung mit einem dritten Wellenlängenspektrum, das zumindest einem Teil des zweiten Wellenlängenspektrums entspricht, undurchlässig ist.

Abstract translation: 一种光电器件包括有机层序列（1），其发射的电磁辐射（15），其具有在操作的第一波长谱以及图案化层（2）的光束路径中的有机层序列（1）的有机层序列（1）的 所发射的电磁辐射（15）被布置下游，并具有第一和第二部分（2A，2B）。 第一区域（2A）分别具有波长转换层（3），其被布置为至少部分的电磁辐射（15）到所述第一波长光谱为电磁辐射（16）转换成第二波长光谱。 进一步包括第二区域（2B）分别具有过滤层（4），其是不可渗透的为具有第三波长光谱，其对应于所述第二波长谱的至少一部分上的电磁辐射。

公开(公告)号：WO2008034405A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：PCT/DE2007/001534

申请日：2007-08-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SCHINDLER, Florian ,  KLEIN, Markus ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

Inventor： SCHINDLER, Florian ,  KLEIN, Markus ,  KRUMMACHER, Benjamin Claus

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/50 ,  H01L33/36 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5268 ,  H01L51/5275 ,  H01L2251/5346 ,  H01L2251/5361 ,  H05B33/0896

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft eine lichtemittierende Vorrichtung mit zeitlich variabel einstellbarer Leuchtdichte. Diese wird erreicht durch elektrisch leitfähige Leiterbahnen (320), die auf der ersten Elektrodenfläche (300) aufgebracht sind. Die Leiterbahnen (320) werden zeitlich variabel mit unterschiedlich hohen elektrischen Strömen angesteuert.

Abstract translation: 本发明的一个实施方案涉及与时间可变地可调节亮度的发光装置。 这是通过形成在第一电极表面（300）施加在导电迹线（320）来实现的。 导电迹线（320）在时间上具有不同水平的电流的驱动的可变。

公开(公告)号：WO2010069933A2

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/EP2009/067108

申请日：2009-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WIRTH, Ralph ,  KLEIN, Markus

Inventor： WIRTH, Ralph ,  KLEIN, Markus

CPC classification number: H05B33/0869 ,  H05B33/0872

Abstract: Eine optoelektronische Vorrichtung zur Mischlichtabstrahlung in einem ersten und einem davon verschiedenen zweiten Wellenlängenbereich umfasst eine erste bzw. zweite Halbleiterlichtquelle (1, 2) mit einer ersten bzw. zweiten lichtemittierenden Diode (11, 21), die bei Anlegen eines ersten bzw. zweiten Stroms (41, 42) Licht mit einer ersten bzw. zweiten charakteristischen Wellenlänge im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich und mit einer ersten bzw. zweiten Intensität abstrahlt, einen optischen Sensor (3) zur Umwandlung eines Teils (110, 510) des von den Halbleiterlichtquellen (1, 2) jeweils abgestrahlten Lichts in ein erstes bzw. zweites Sensorsignal (341, 342), und eine Regelungsvorrichtung (4) zur Regelung des ersten und zweiten Stroms (41, 42) in Abhängigkeit vom ersten und zweiten Sensorsignal (341, 342), wobei die charakteristischen Wellenlängen und Intensitäten des jeweils von der ersten und zweiten Halbleiterlichtquelle (1, 2) abgestrahlten Lichts eine erste bzw. eine davon verschiedene zweite Temperatur-, und/oder Strom- und/oder Alterungsabhängigkeit (931, 932, 941, 942) aufweisen, der optische Sensor (3) im ersten bzw. zweiten Wellenlängenbereich eine erste bzw. zweite wellenlängenabhängige Sensitivität aufweist, die an die erste und zweite Temperaturabhängigkeit (931, 932, 941, 942) angepasst sind, und die Regelungsvorrichtung (4) den ersten und zweiten Strom (41, 42) derart regelt, dass das erste zum zweiten Sensorsignal (341, 342) ein vorbestimmtes Verhältnis aufweist.

Abstract translation: 用于第一和第二半导体光源混合光的辐射在第一和不同的第二波长范围包括一种光电装置（1，2），具有第一和第二发光二极管（11,21），其（在第一和第二数据流的应用 具有在所述第一或第二波长范围内的，并与第一和第二强度，用于从所述半导体光源1转换的一个部分（110，510）（光学传感器（3）的第一和第二特征波长41,42发射）光 ，2）响应于所述第一和第二传感器信号（341，342），每个发射的光划分为第一或第二传感器信号（341，342），以及用于控制第一和第二流控制设备（4）（41，42）， 其中该特征波长和强度，所述第一和第二半导体光源（1,2）发出的光作为第一和的 的不同的第二温度，和/或电力和/或老化的依赖性（931，932，941，942），其具有第一和第二波长相关的灵敏度在第一或第二波长范围内的光传感器（3），至 第一和第二温度的依赖性（931，932，941，942）被适配，并且所述控制装置（4）的第一和第二电流（41，42）进行控制，使得所述第一至所述第二传感器信号（341，342）具有预定的比 ，

公开(公告)号：WO2008098551A2

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：PCT/DE2008/000197

申请日：2008-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEIN, Markus ,  SCHLENKER, Tilman

Inventor： KLEIN, Markus ,  SCHLENKER, Tilman

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5212 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5228 ,  H01L2251/568

Abstract: Es wird ein elektrolumineszentes organisches Halbleiterelement vorgeschlagen, welches ein Substrat (6) sowie eine erste über dem Substrat angeordnete Elektrode (2) umfasst. Das Halbleiterelement enthält weiterhin eine zweite Elektrode (3) sowie zumindest eine organische Schicht (1), die zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode (2, 3) angeordnet ist. Diese umfasst eine durch Ladungsträgerrekombination lichterzeugende Schicht. Wenigstens eine Elektrode der ersten und der zweiten Elektroden enthält eine hoch leitfähige organische Teilschicht (21, 31).

Abstract translation: 建议的电致发光有机半导体元件，其包括基板（6）和布置在所述基板（2）上方的第一电极。 半导体元件还包括第二电极（3）和至少一个有机层（1），其被设置在所述第一电极和所述第二电极之间（2，3）。 这包括由载流子复合层的光产生。 第一和第二电极的至少一个电极包括高导电性有机子层（21，31）。

公开(公告)号：WO2008040288A2

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：PCT/DE2007/001637

申请日：2007-09-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  KLEIN, Markus ,  SCHINDLER, Florian ,  MILLARD, Ian Stephen ,  BEH, Sok Gek

Inventor： KLEIN, Markus ,  SCHINDLER, Florian ,  MILLARD, Ian Stephen ,  BEH, Sok Gek

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L33/08 ,  H01L51/5203 ,  H01L2251/5361 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft eine strahlungsemittierende Vorrichtung, mit einem Substrat (100) und einer darauf angeordneten Schichtenfolge. Diese umfasst eine erste Elektrodenfläche (200) mit einer ersten Kontaktierung (210) zum Anlegen einer Spannung, zumindest eine Funktionsschicht (300), die im Betrieb Strahlung emittiert und, eine zweite Elektrodenfläche (400). In der Schichtenfolge ist eine Vielzahl von Teilbereichen (330) vorhanden, die so modifiziert ist, dass aus ihnen heraus die Emission der für einen äußeren Betrachter sichtbaren Strahlung unterbrochen ist. Die Verteilungsdichte dieser Teilbereiche variiert in Abhängigkeit ihres Abstandes von der Kontaktierung.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括基片（100）和设置在其上的层序列的发射辐射的装置。 这包括具有用于施加电压的第一接触（210）的第一电极表面（200），在操作期间发射辐射的至少一个功能层（300），和第二电极表面（400）。 在层序列中的多个部分（330）的存在，其被修改，以便在他们外面，可见辐射由外部观察者的发射被中断。 这些部分的分布密度从接触的距离的函数而变化。

公开(公告)号：WO2008014739A2

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/DE2007/001180

申请日：2007-07-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BAYER MATERIAL SCIENCE AG ,  BRAUN, Hans ,  KLEIN, Markus ,  MEYER, Klaus ,  PÄTZOLD, Ralph ,  PUDLEINER, Heinz ,  SARFERT, Wiebke ,  SCHINDLER, Florian

Inventor： BRAUN, Hans ,  KLEIN, Markus ,  MEYER, Klaus ,  PÄTZOLD, Ralph ,  PUDLEINER, Heinz ,  SARFERT, Wiebke ,  SCHINDLER, Florian

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5268 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  G02B5/02 ,  G02B6/0051 ,  H01L2251/5369 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507

Abstract: Es wird ein organisches strahlungsemittierendes Bauelement (1) mit einer zur Strahlungserzeugung ausgebildeten organischen Schicht (2) und einer Strahlungsauskoppelseite angegeben, wobei auf der Strahlungsauskoppelseite des Bauelements eine Streufolie (8) angeordnet und mit dem Bauelement verbunden ist.

Abstract translation: 形成设置有开口的有机发射辐射的器件（1），用于生成辐射有机层（2）和辐射耦合，被布置在该装置的辐射耦合，一个散射膜（8）和连接到该装置。