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1.发明申请
公开(公告)号：WO2019115234A1
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：PCT/EP2018/082865
申请日：2018-11-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens
Abstract: Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: A) Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (3) zur Strahlungserzeugung auf ein Aufwachssubstrat (2), B) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (3) zu Emittersträngen (11), sodass die Halbleiterschichtenfolge (3) in Lücken (12) zwischen benachbarten Emittersträngen (11) entfernt wird, C) Aufbringen einer Passivierungsschicht (4), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) an dem Aufwachssubstrat (2) abgewandten Wellenleiterkontakten (51) und die Lücken (12) zumindest teilweise frei bleiben, D) Erzeugen mindestens einer Metallschicht (50), die von den Wellenleiterkontakten (51) bis in die Lücken (12) reicht, E) Ersetzen des Aufwachssubstrats (2) durch einen Träger (6), F) Erstellen von Durchkontaktierungen (53) im Träger (6), sodass die Metallschicht (50) und dem Träger (6) zugewandte Unterseitenkontakte (52) der Halbleiterschichtenfolge (3) elektrisch kontaktiert werden sowie Entfernen des Trägers (6) zwischen zumindest einigen der Emitterstränge (11) und zwischen entlang der Emitterstränge (11) aufeinanderfolgenden Emittereinheiten (13), und G) Brechen der Halbleiterschichtenfolge (3) zwischen den Emittereinheiten (13), sodass Facetten (31) entstehen.
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公开(公告)号：WO2015024864A1
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：PCT/EP2014/067441
申请日：2014-08-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , HORN, Markus
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/02256 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/02469 , H01S5/02484 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/4043 , H01S2301/176
Abstract: Ein Laserbauelement (500) umfasst einen kantenemittierenden ersten Laserchip (100) mit einer Oberseite (101), einer Unterseite (102), einer Stirnseite (103) und einer Seitenfläche (104,105). An der Stirnseite ist ein Emissionsbereich (131) ausgebildet. Die Seitenfläche ist senkrecht zur Oberseite und zur Stirnseite orientiert. An der Oberseite ist eine erste Metallisierung (170) angeordnet. An der Seitenfläche ist eine Stufe ausgebildet, durch die ein an die Oberseite angrenzender Teil der Seitenfläche zurückversetzt ist. Im zurückversetzten Teil der Seitenfläche ist eine Passivierungsschicht (160) angeordnet. Der Laserchip ist auf einem Träger (400) z.B. aus Diamant angeordnet. Dabei ist die Seitenfläche (104) des ersten Laserchips (100) einer Oberfläche des Trägers (400) zugewandt. Ein an der Oberfläche des Trägers angeordneter erster Lötkontakt (410) ist elektrisch leitend mit der ersten Metallisierung (170) verbunden. Durch elektrisches Verbinden der ersten Metallisierung (170) des ersten Laserchips (100) mit derjenigen des dritten Laserchips (300) und einer SMD-Montage mittels Lötkontakten (410,420,430) kann eine Laserbauelement mit hoher Leistung, verbesserter Kühlung und ohne störende Interferenzen bereit gestellt werden weil sich die beiden Emissionsbereiche (131) sich nur maximal 20 μιη voneinander entfernt befinden (501).
Abstract translation: 一种激光装置（500）包括边缘发射具有顶部（101）所述第一激光芯片（100），底部（102），一个端面（103）和侧表面（104,105）。 在端面，发光区域（131）形成。 侧表面垂直于所述顶部和前侧导向。 顶部处的第一金属化（170）被布置。 上形成有阶梯的侧表面，所述侧表面被设置回由相邻于顶部分。 在侧的凹部表面上的钝化层（160）被布置。 激光器芯片安装在载体（400）例如在 设置金刚石。 所述支撑件的表面的第一激光芯片（100）的侧表面（104）（400）面。 甲布置在所述载体第一焊料接触（410）的表面上的导电连接到所述第一金属化（170）。 通过电的所述第一激光芯片（100）与第三激光芯片（300）和一个SMD与焊接触点（410420430）安装的连接所述第一金属化（170）可以提供一种激光装置，其具有高的性能，增强的冷却且无有害干扰准备因为 两个发射区域（131）的最多只有20个μι.eta; 远离彼此是（501）。
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公开(公告)号：WO2017005829A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/EP2016/066060
申请日：2016-07-07
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KREUTER, Philipp , BRÖLL, Markus , MÜLLER, Jens
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/382
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine erste Seite (21) und eine zweite Seite (23, 24) sowie eine dazwischen liegende aktive Zone (22) auf. Die beiden Seiten zeigen unterschiedliche Leitfähigkeitstypen auf. Von der ersten Seite (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch ist die zweite Seite (23, 24) mit einer elektrischen Durchkontaktierung (3) kontaktiert. Die Durchkontaktierung (3) beinhaltet einen Basisbereich (31), der als Zylinder, Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf geformt ist und der in lateraler Richtung, senkrecht zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2), ringsum von einer elektrischen Isolationsschicht (32) umgeben ist. Die Durchkontaktierung (3) weist einen Kontaktbereich (33) auf, der als Kegelstumpf oder Pyramidenstumpf oder sphärischer oder asphärischer Körper geformt ist und der entlang der Wachstumsrichtung (G) dem Basisbereich (31) unmittelbar nachfolgt sowie in direktem Kontakt mit der zweiten Seite (23, 24) steht. Ein erster Flankenwinkel (a) des Basisbereichs (31) ist anders als ein zweiter Flankenwinkel (b) des Kontaktbereichs (33).
Abstract translation: 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括一个半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）具有第一侧（21）和第二侧（23，24）和居间有源区（22）。 双方表现出不同的导电类型。 从所述第一侧（21）中记载穿过与电镀通孔（3）接触的第二侧（23，24）的有源区（22）。 通孔（3）包括被成形为圆柱体，圆锥体或截头棱锥和在横向方向垂直于生长方向的半导体层序列的（G）的基座部分（31），（2），所有周围的电绝缘层（32）包围 ， 通孔（3）具有被成形为截头圆锥或截头棱锥形或球面或者非球面体和沿生长方向（G）的基极区域（31）后立即和接触区（33）（以与第二侧23直接接触 ，24）。 基部（31）的第一侧面角（α）比所述接触区域（33）的第二侧面角（b）中不同。
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公开(公告)号：WO2015055644A1
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：PCT/EP2014/072004
申请日：2014-10-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EICHLER, Christoph , MÜLLER, Jens , KOPP, Fabian
CPC classification number: H01S5/22 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/4031
Abstract: Halbleiterlaser mit einseitig verbreiterter Ridgestruktur Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser (1) mit einem Grundkörper (2) und einer auf dem Grundkörper angeordneten Ridgestruktur (3), die entlang einer Längsachse über einer aktiven Zone ausgerichtet ist, wobei die Ridgestruktur eine erste Breite aufweist, und wobei die Ridgestruktur entlang der Längsachse (8) zwei gegenüberliegende Endflächen aufweist, wobei die Ridgestruktur angrenzend an wenigstens eine Endfläche einen in Bezug auf eine Mittenachse der Ridgestruktur einseitig angeordneten Endabschnitt (5) aufweist, so dass die Ridgestruktur (3) angrenzend an die Endfläche einseitig verbreitert ist. Zudem ist auf einer dem Endabschnitt gegenüberliegenden Seite der Ridgestruktur ein Bruchgraben (47) angrenzend an die Endfläche und beabstandet von der Ridgestruktur in einer Oberfläche des Grundkörpers angeordnet. Die Halbleiterlaser werden auf einem Wafer (17) gewachsen und eine Vereinzelung erfolgt entlang einer Bruchrichtung (14) welche mittig entlang der Längsachse des Endabschnitts und des Bruchgrabens (47) sich befindet.
Abstract translation: 半导体激光器一侧加宽岭结构本发明涉及到一个半导体激光器（1）与基体（2）和布置在基体岭结构（3），其沿纵向轴线上方的有源区对准，所述具有第一宽度脊结构，和 其中，所述脊部结构沿着具有两个相对的端面的纵向轴线（8），所述布置脊部结构的相邻的至少一个端面上的相对于在一侧的脊部结构的端部（5）的中心轴线，从而使脊结构（3）在一侧上邻近于所述端面 变宽。 此外，中断沟槽（47）是邻接于该脊部结构的相反侧的端部的端面和在设置在所述基体的表面从脊结构间隔开。 半导体激光器生长的晶片（17）上和一分离发生沿断裂（14）的方向沿端部的纵向轴线和断裂沟槽（47）的中心所在的位置。
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公开(公告)号：WO2021122449A1
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：PCT/EP2020/085958
申请日：2020-12-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KREINER, Laura , MÜLLER, Jens
IPC: H01L33/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68354 , H01L24/95 , H01L25/0753 , H01L33/0095
Abstract: Das Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungsvorrichtung umfasst einen Verfahrensschritt A), in dem ein Waferverbund mit einer auf einem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Weiter umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt B), in dem der Waferverbund in eine Vielzahl erster optoelektronischer Halbleiterchips mit jeweils einem Abschnitt der Halbleiterschichtenfolge und des Trägersubstrats durchtrennt wird. In einem weiteren Verfahrensschritt C) werden zumindest einige der ersten optoelektronischen Halbleiterchips auf einen ersten Hilfsträger übertragen. Des Weiteren umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt D), in dem die ersten optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Hilfsträger zur Anpassung an eine vorgegebene Form zugeschnitten werden. In einem weiteren Verfahrensschritt E) werden die ersten optoelektronischen Halbleiterchips von dem ersten Hilfsträger auf einen Träger übertragen.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2015154975A3
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/EP2015/056083
申请日：2015-03-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , LELL, Alfred , STRAUSS, Uwe
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Halbleiter-Streifenlaser einen ersten Halbleiterbereich (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ferner beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser einen zweiten Halbleiterbereich (13) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine aktive Zone (12) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet sich zwischen den Halbleiterbereichen (11, 13). Ein Streifenwellenleiter (3) ist in dem zweiten Halbleiterbereich (13) geformt. Der Streifenwellenleiter (3) ist zu einer eindimensionalen Wellenleitung entlang einer Wellenleitrichtung (L) eingerichtet. Ein erster elektrischer Kontakt (41) befindet sich an dem ersten Halbleiterbereich (11) und ein zweiter elektrischer Kontakt (43) befindet sich an dem zweiten Halbleiterbereich (13). Weiterhin beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser (1) einen Wärmespreizer (2), der wenigstens bis zu einer Temperatur von 220 °C formstabil mit den Halbleiterbereichen (11, 13) verbunden ist. Der Wärmespreizer (2) weist eine mittlere Wärmeleitfähigkeit von mindestens 50 W/mK auf.
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公开(公告)号：WO2014140035A3
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：PCT/EP2014/054736
申请日：2014-03-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , LELL, Alfred
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser (1) mit einem Grundkörper (2), wobei auf dem Grundkörper (2) ein in der Breite schmälerer Streifen (3) vorgesehen ist, wobei eine aktive Zone (4) zum Erzeugen von Lichtstrahlung vorgesehen ist, wobei Oberflächen (9, 10) des Grundkörpers (2) seitlich des Streifens (3) und Seitenflächen (13, 14) des Streifens (3) mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (11) abgedeckt sind, wobei auf einer Oberseite des Streifens (3) eine elektrisch leitende Schicht (12) als Kontakt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einer Seitenfläche (13, 4) des Streifens (3) und der Schutzschicht (11) wenigstens in einem begrenzten Abschnitt ein Hohlraum (15) vorgesehen ist.
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8.发明申请
公开(公告)号：WO2019158401A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/052781
申请日：2019-02-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ, Simeon , WENDT, Mathias , HUPPMANN, Sophia , ZENGER, Marcus , MÜLLER, Jens
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Verbindung zwischen einem ersten Bauteil (1) und einem zweiten Bauteil (2) angegeben, bei dem das erste Bauteil mit einer ersten freiliegenden Isolationsschicht (1I) und das zweite Bauteil mit einer zweiten freiliegenden Isolationsschicht (2I) bereitgestellt werden, wobei die Isolationsschichten jeweils zumindest eine Öffnung (1IC, 2IC) aufweisen. Die Bauteile werden derart zusammengeführt, dass sich die Öffnung (1IC) der ersten Isolationsschicht und die Öffnung (2IC) der zweiten Isolationsschicht in Draufsicht überlappen, wobei in mindestens einer der Öffnungen (1IC, 2IC) eine Au-Schicht (S1, S2) und eine Sn-Schicht (S1, S2) übereinander angeordnet sind. Die Au-Schicht und die Sn-Schicht werden zur Bildung einer AuSn-Legierung aufgeschmolzen, wobei die AuSn-Legierung nach einer Abkühlung eine Durchkontaktierung (12) bildet, welche das erste Bauteil mit dem zweiten Bauteil elektrisch leitend verbindet. Des Weiteren wird ein Bauelement aus einem ersten Bauteil und einem zweiten Bauteil angegeben, wobei die Bauteile durch eine Durchkontaktierung aus einer AuSn-Legierung miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
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公开(公告)号：WO2014016024A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/EP2013/061396
申请日：2013-06-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , AVRAMESCU, Adrian, Stefan
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2018 , H01S5/22 , H01S5/2206 , H01S5/221 , H01S5/2222 , H01S5/2231 , H01S5/2232 , H01S5/34333 , H01S2301/166 , H01S2301/176
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der Steglaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) auf. Ein Wellenleiter (3) mit einer bestimmten Breite (B) ist aus der Halbleiterschichtenfolge (2) als Erhebung geformt. Auf einer der aktiven Zone (20) abgewandten Oberseite (30) des Wellenleiters (3) ist eine Kontaktmetallisierung (4) aufgebracht. Eine Bestromungsschicht (5) steht in direktem Kontakt mit der Kontaktmetallisierung (4). Über die Bestromungsschicht (5) ist die Kontaktmetallisierung (4) elektrisch angeschlossen. Eine Bestromungsbreite (C) der aktiven Zone (20) und/oder des Wellenleiters (3) ist kleiner als die Breite (B) des Wellenleiters (3).
Abstract translation: 在脊激光器（1）的至少一个实施例具有与活性区（20）的半导体层序列（2）。 的波导（3）具有一定的宽度（B）形成为从所述半导体层序列（2）的正视图。 在远离波导的上侧（30）的有源区（20）中的一个（3）是一个接触金属化物（4）被施加。 甲Bestromungsschicht（5）与所述接触金属化（4）直接接触。 在Bestromungsschicht（5）的接触金属化物（4）电连接。 有源区（20）和/或所述波导（3）的甲Bestromungsbreite（C）比波导的宽度（B）的情况下（3）。
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公开(公告)号：WO2020165246A1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：PCT/EP2020/053593
申请日：2020-02-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MÜLLER, Jens , AVRAMESCU, Adrian Stefan
IPC: H01L21/20
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) umfasst das Ausbilden (S100) einer strukturierten Maske (112) über einem Substrat (100), so dass ein erster Bereich (105) einer ersten Hauptoberfläche (110) des Substrats (100) mit einer Vielzahl voneinander beabstandeter Unter-Strukturelemente (107) eines dielektrischen Materials bedeckt ist und zweite Bereiche (106) der ersten Hauptoberfläche (110) unbedeckt sind. Dabei ist die Vielzahl von Unter-Strukturelementen (107) jeweils zwischen benachbarten zweiten Bereichen (106) angeordnet. Das Verfahren umfasst ferner das Durchführen (S110) eines selektiven Wachstumsverfahrens eines Halbleitermaterials (115), so dass das Halbleitermaterial (115) über den zweiten Bereichen (106) der ersten Hauptoberfläche (110) aufwächst.
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