公开(公告)号：WO2020002514A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：PCT/EP2019/067183

申请日：2019-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS, Benjamin ,  BRÖLL, Markus ,  WALTER, Robert ,  EBERHARD, Franz ,  HUBER, Michael ,  SCHMID, Wolfgang

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/38 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine erste druckverspannte Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (120). Ein Material der ersten druckverspannten Schicht (130) ist ausgewählt aus Ta, Mo, Nb oder Verbindungen aus Ta, Mo oder Nb.

公开(公告)号：WO2019219859A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：PCT/EP2019/062707

申请日：2019-05-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS, Benjamin

IPC: H01L21/3105 ,  H01L33/00

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) umfasst das Aufbringen (S100) eines Halbleiter-Chips (125) über einer ersten Hauptoberfläche (110) eines isolierenden Substrats (100), das Dünnen (S110) einer zweiten Hauptoberfläche (120) des isolierenden Substrats (100), das Aufbringen (S120) einer Glättungsmetallschicht (135) über der zweiten Hauptoberfläche (120) des isolierenden Substrats (100) unddas Glätten (S130) der Glättungsmetallschicht (135).

公开(公告)号：WO2019057610A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：PCT/EP2018/074815

申请日：2018-09-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland Heinrich ,  ZINI, Lorenzo ,  MICHAELIS, Benjamin ,  HUPPMANN, Sophia ,  HOLLAND, Brendan ,  HALBRITTER, Hubert

IPC: H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (25) angegeben mit den Schritten: • - Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene, • - Aufbringen von mindestens zwei Halbleiterchips (10) auf den Träger (11), • - Erzeugen von Bruchkeimen (12) im Träger (11), die entlang mindestens einer Trennachse (13) angeordnet sind, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) verläuft, • - Aufbringen des Trägers (11) auf eine Folie, wobei die Folie an der den Halbleiterchips (10) abgewandten Seite des Trägers (11) angeordnet ist, • - Vereinzeln der mindestens zwei Halbleiterchips (10) und des Trägers (11) durch Expandieren der Folie in lateralen Richtungen (x), welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, wobei • - der Träger (11) entlang mindestens einer Trennebene (14) zertrennt wird, welche von einer vertikalen Richtung (z) und der Trennachse (13) aufgespannt wird, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, und • - in den Träger (11) mindestens eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (15) eingebracht ist, welche sich parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) erstreckt. Außerdem wird ein Halbleiterbauelement (25) angegeben.