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    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE FÜR DIE KAPSELUNG VON SCHICHTEN
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE FÜR DIE KAPSELUNG VON SCHICHTEN 审中-公开
    工艺用于制造封装层光电组件

    公开(公告)号：WO2015078919A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：PCT/EP2014/075678

    申请日：2014-11-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VOM DORP, Sabine ,  HARTMANN, Rainer ,  HERZ, Martin ,  HUBER, Michael

    IPC: H01L33/00 ,  H01S5/042 ,  H01L21/027 ,  H01L33/44 ,  C23C14/04

    CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Bauelemente für die Kapselung von Schichten angegeben. Dazu wird ein Träger (1) mit einer Trägerhauptseite (10) bereitgestellt. Auf die Trägerhauptseite (10) des Trägers (1) wird eine Maske (2) aufgebracht. Die Maske (2) weist eine erste Maskenschicht (21) und eine zweite Maskenschicht (22) auf. Ferner weist die Maske (2) zumindest einen Durchbruch (200) auf, der die Maske (2) in Richtung senkrecht zur Trägerhauptseite (10) vollständig durchdringt. Des Weiteren weist die erste Maskenschicht (21) im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest einen Unterschnitt (201) bezüglich der zweiten Maskenschicht (22) auf. Nach dem Aufbringen der Maske (2) auf den Träger (1) wird ein Funktionsmaterial (4) so abgeschieden, dass im Bereich des Durchbruchs (200) zumindest eine auf der Trägerhauptseite (10) angeordnete Materialstruktur (41) entsteht. Anschließend wird eine Kapselschicht (5) auf zumindest der Materialstruktur (41) abgeschieden. Die Kapselschicht (5) wird derart abgeschieden, dass vor dem Aufbringen der Kapselschicht (5) freiliegende Seiten der Materialstruktur (41) vollständig mit der Kapselschicht (5) bedeckt werden. In einem weiteren Schritt wird die Maske (2) nach dem Aufbringen der Kapselschicht (5) entfernt.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造光电子器件为层的封装的方法。 用于此目的（1）提供了具有支撑主侧（10）的支撑件。 到载体的载体主侧（10）（1）被施加一个掩模（2）。 掩模（2）具有第一掩模层（21）和第二掩模层（22）。 此外，在至少一个孔（200）垂直于载体主侧（10），其完全穿过掩模（2）的方向上的掩模（2）。 此外，在开口（200）至少一个底切（201）相对于所述第二掩模层（22）的区域中的第一掩模层（21）。 在载体上的掩模（2）的应用程序之后（1）（4）被沉积，以便布置在所述开口（200）至少一种在载体主侧（10）的材料结构（41）的区域中的功能性材料形成。 随后，在至少所述材料结构（41）的胶囊型层（5）被沉积。 胶囊型层（5）被沉积，使得施加露出的材料结构（41）的侧部的胶囊型层（5）之前，完全与胶囊层（5）覆盖。 在进一步的步骤中，封装层（5）的涂布后的掩模（2）被除去。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER ALD-SCHICHT VERKAPSELT UND ENTSPRECHENDES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    有一层ALD光电子半导体芯片，封装及相应方法用于生产

    公开(公告)号：WO2014114524A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：PCT/EP2014/050574

    申请日：2014-01-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EIBL, Johann ,  TAEGER, Sebastian ,  HÖPPEL, Lutz ,  ENGL, Karl ,  RAMMELSBERGER, Stefanie ,  MAUTE, Markus ,  HUBER, Michael ,  HARTMANN, Rainer ,  HARTUNG, Georg

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40

    CPC classification number: H01L33/54 ,  G01B2210/306 ,  H01L21/0228 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, - eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, - einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und - einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei - die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, - die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und - die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.

    Abstract translation: 它是设置有光电子半导体芯片 - 一个半导体本体（40），其包括设置用于产生电磁辐射有源区（42）， - 一个第一反光镜层（21）被提供用于电磁辐射，反射 - 第一 包封层（31）与电绝缘材料形成，以及 - 其被提供给所述第一封装层（31），所述第一反光镜层（21）和半导体本体（40），以提供机械支撑的支撑体（10）， 其中， - 所述支撑件（10）和半导体本体（40）之间的第一镜面层（21）布置， - 所述支撑件（10）和所述第一反光镜层（21）之间的所述第一封装层（31）被布置，以及 - 所述第一 包封层（31）是一个ALD层。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR VEREINZELUNG VON HALBLEITERCHIPS
    5.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR VEREINZELUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    光电子半导体芯片，光电子器件和方法分离半导体CHIPS

    公开(公告)号：WO2015055647A1

    公开(公告)日：2015-04-23

    申请号：PCT/EP2014/072010

    申请日：2014-10-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KAEMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael

    IPC: H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/32 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2933/0033

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

    Abstract translation: 它具有特定的用于产生具有载波电磁辐射活性层（13），光电子半导体芯片（10）（2）和半导体主体（1），其特征在于，所述载体（2）的面向所述半导体主体的第一主表面的表面（2A） 具有面对与半导体本体的第二主表面（图2B），并且设置在所述第一主表面和第二主表面侧边缘（2C）之间离开的表面。 所述支撑件（2），以增加侧面的侧面，其中，所述具有纹理化区域分割迹线的总表面区域的图案化区域（21，22，23，2C）。 此外，光电子器件（100），其具有给定的这样的半导体芯片及其制造多个这样的半导体芯片的方法。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ISOLIERENDER SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT ISOLIERENDER SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开

    公开(公告)号：WO2020187815A1

    公开(公告)日：2020-09-24

    申请号：PCT/EP2020/057033

    申请日：2020-03-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： TANGRING, Ivar ,  HUBER, Michael

    IPC: H01L33/14 ,  H01L33/38 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

    Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst ferner eine erste Kontaktschicht (130), die in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet ist und elektrisch leitfähig ist, und eine erste isolierende Schicht (125), die über der ersten und der zweiten Halbleiterschicht (110, 120) ausgebildet ist, sowie eine zweite Stromaufweitungsstruktur (135), die mit der zweiten Halbleiterschicht (120) elektrisch verbunden ist. Eine maximale laterale Ausdehnung der zweiten Halbleiterschicht (120) ist größer als die maximale laterale Ausdehnung der ersten Halbleiterschicht (110), so dass eine Stufenstruktur ausgebildet ist und die erste isolierende Schicht (125) als konforme Schicht über der Stufenstruktur der ersten und der zweiten Halbleiterschicht ausgebildet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement umfasst ferner eine zweite isolierende Schicht (127) zwischen einer horizontalen Oberfläche der ersten Kontaktschicht (130) und der zweiten Stromaufweitungsstruktur (135). Eine Schichtdicke der zweiten isolierenden Schicht (127) ist kleiner als die kleinste Schichtdicke der ersten isolierenden Schicht (125) über der Stufenstruktur.

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP
    8.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
    用于生产半导体芯片和半导体芯片的多个

    公开(公告)号：WO2016116316A1

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：PCT/EP2016/050392

    申请日：2016-01-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HUBER, Michael ,  ZINI, Lorenzo

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4), eine Halbleiterschichtenfolge (2) und eine funktionale Schicht (3) aufweistwird bereitgestellt. Die funktionale Schicht (3) wird mittels kohärenter Strahlung entlang eines Vereinzelungsmusters (15) durchtrennt. Trenngräben (45) werden in dem Träger (4) entlang des Vereinzelungsmusters (15) ausgebildet. Eine die funktionale Schicht (3) zu den Trenngräben (45) hin begrenzende Schutzschicht (5) wird an jeweils zumindest einer Seitenfläche (101) der zu vereinzelnden Halbleiterchips (10) aufgebracht. Die vereinzelten Halbleiterchips (10) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2), des Trägers (4) und der funktionalen Schicht (3) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

    Abstract translation: 提供了一种制造多个半导体芯片（10）的方法。 包括支撑的复合（1）（4），半导体层序列（2）和一个功能层（3）提供aufweistwird。 功能层（3）由沿着一个分离图案（15）的相干辐射的方式切断。 分离沟槽（45）形成在沿分离图案（15）的载体（4）。 到限定保护层隔离沟槽（45）的功能层（3）（5）在所述半导体芯片的每一种情况下的至少一个侧表面（101）施加到被分离（10）。 单片化的半导体芯片（10）每个都具有在半导体层序列的一部分的支撑件（4）和所述功能层（2）（3）。 此外，半导体芯片（10）被指定。

    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP
    9.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL AN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIP 审中-公开
    发射辐射的半导体芯片，用于生产辐射发射半导体芯片和光电子器件的各种具有辐射发射半导体芯片

    公开(公告)号：WO2016055526A1

    公开(公告)日：2016-04-14

    申请号：PCT/EP2015/073162

    申请日：2015-10-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KÄMPF, Mathias ,  JEREBIC, Simon ,  NEUDECKER, Ingo ,  SPATH, Günter ,  HUBER, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3)ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

    Abstract translation: 它是一种发射辐射的半导体芯片（1）与在操作期间发射电磁辐射的外延半导体层序列（3），指示。 外延半导体层序列（3）是透明的载体（4）被施加，在其中，所述载体（4）具有的半导体层序列（3）面对的第一主面（8），一个半导体层序列（3）的面向远离第二主表面（9）和一个之间 具有第一主表面（8）和所述第二主表面（9）布置侧侧翼（10）和侧侧翼（10）具有一个输出耦合结构，这是专门由分离迹线形成。 它是用这样的半导体芯片，半导体芯片，以及一个部件的制造方法，其进一步指定。

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