公开(公告)号：WO2016131912A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/EP2016/053448

申请日：2016-02-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MUELLER, Jens ,  STEPHAN, Christoph ,  WALTER, Robert ,  HARTAUER, Stefan ,  RUMBOLZ, Christian

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2086 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S2301/176

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen einer Oberfläche mit einem ersten Bereich (110) und einem an den ersten Bereich angrenzenden zweiten Bereich (120), zum Anordnen einer Opferschicht (200) über dem ersten Bereich der Oberfläche, zum Anordnen einer Passivierungsschicht (300) über der Opferschicht und dem zweiten Bereich der Oberfläche, zum Anlegen einer Öffnung (410) in der Passivierungsschicht über den ersten Bereich der Oberfläche und zum Entfernen der Opferschicht (200). Dazu kann noch eine Fotolackschicht (400) verwendet werden. Nach Maskieren und Ätzen der Opferschicht kann die verbliebene Fotolackschicht (400) und der Überstand der Passivierungsschicht (300) mechanisch über eine so gebildete Sollbruchstelle entfernt werden.

Abstract translation: 一种用于制造电子器件的方法包括提供具有第一区（110）和区域邻近于第一区域的第二区域（120），用于在所述表面的所述第一区域放置一个牺牲层（200）的表面的步骤，用于放置 钝化层（300）在所述牺牲层和所述表面，以产生在比该表面的第一区域中的钝化层中的开口（410）的第二区域和去除所述牺牲层（200）。 为了这个目的，仍然可以使用光致抗蚀剂层（400）。 掩蔽和牺牲层的蚀刻之后，剩余的光刻胶层（400）和所述钝化层（300）的上清液可以机械经由这样形成一个预定的断裂点移除。

公开(公告)号：WO2010125028A3

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：PCT/EP2010/055546

申请日：2010-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  WALTER, Robert ,  GROLIER, Vincent ,  SCHMAL, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  EBERHARD, Franz

Inventor： WALTER, Robert ,  GROLIER, Vincent ,  SCHMAL, Michael ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  EBERHARD, Franz

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  G02B5/08

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (1) mit einer aktiven Halbleiterschichtenfolge (10) und einem reflektierenden Schichtsystem (20) angegeben. Das reflektierende Schichtsystem (20) weist eine an die Halbleiterschichtenfolge (10) angrenzende erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) und eine Metallschicht (23) an der von der Halbleiterschichtenfolge (10) abgewandten Seite der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) auf. Die erste strahlungsdurchlässige Schicht (21) enthält ein erstes dielektrisches Material. Zwischen der ersten strahlungsdurchlässigen Schicht (21) und der Metallschicht (23) ist eine zweite strahlungsdurchlässige Schicht (22) angeordnet, die ein haftverbesserndes Material enthält. Die Metallschicht (23) ist unmittelbar auf das haftverbessernde Material aufgebracht. Das haftverbessernde Material ist von dem ersten dielektrischen Material verschieden und derart ausgewählt, dass die Haftung der Metallschicht (23) im Vergleich zur Haftung auf dem ersten dielektrischen Material verbessert ist.

公开(公告)号：WO2007087769A2

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：PCT/DE2006/001617

申请日：2006-09-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  EISSLER, Dieter ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralf

Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  EISSLER, Dieter ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralf

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/0224 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/103 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/42 ,  H01L2224/48463 ,  H01S5/0421 ,  Y02E10/50

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10), und einer Stromaufweitungsschicht (3) angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (3) ist zumindest stellenweise auf den Halbleiterkörper (10) aufgebracht. Dabei enthält die Stromaufweitungsschicht (3) ein Metall (1), das in der Stromaufweitungsschicht ein transparentes, elektrisch leitfähiges Metalloxid (2) bildet, und die Konzentration (x) des Metalls (1) nimmt von der dem Halbleiterkörper (10) zugewandten Seite zur dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3) hin ab. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 提供了具有半导体本体（10）和电流扩展层（3）的光电子半导体器件。 电流扩展层（3）至少局部地施加到半导体本体（10）。 由此，电流扩展层（3）包括在电流扩展层中形成透明导电金属氧化物（2）的金属（1），并且金属（1）的浓度（x）从半导体本体 （10）侧远离电流扩散层（3）的半导体本体（10）侧。 此外，指定了用于制造这种半导体器件的方法。

公开(公告)号：WO2020002514A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：PCT/EP2019/067183

申请日：2019-06-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS, Benjamin ,  BRÖLL, Markus ,  WALTER, Robert ,  EBERHARD, Franz ,  HUBER, Michael ,  SCHMID, Wolfgang

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/38 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine erste druckverspannte Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (120). Ein Material der ersten druckverspannten Schicht (130) ist ausgewählt aus Ta, Mo, Nb oder Verbindungen aus Ta, Mo oder Nb.

公开(公告)号：WO2012159615A2

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：PCT/DE2012/100118

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

Inventor： MAUTE, Markus ,  ENGL, Karl ,  TAEGER, Sebastian ,  WALTER, Robert ,  STOCKER, Johannes

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterkörper (1) aus Halbleitermaterial, eine p-Kontaktschicht (21a) und eine n-Kontaktschicht (2) umfasst. Der Halbleiterkörper (1) weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (la) auf. Der Halbleiterkörper weist eine p-Seite (1c) und eine n-Seite (1b) auf, zwischen denen die aktive Schicht (la) angeordnet ist. Die p-Kontaktschicht (21a) ist zur elektrischen Kontaktierung der p-Seite (1c) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) ist zur elektrischen Kontaktierung der n-Seite (1b) vorgesehen. Die n-Kontaktschicht (2) enthält eine TCO-Schicht (2a) und eine Spiegelschicht (2b), wobei die TCO-Schicht (2a) zwischen der n-Seite (1b) des Halbleiterkörpers (1) und der Spiegelschicht (2b) angeordnet ist.

Abstract translation: 提供了一种光电子半导体芯片（10），包括半导体材料的半导体主体（1），p型接触层（21a）和一个n型接触层（2）。 半导体本体（1）具有用于产生辐射活性层（LA）中的开口。 该半导体主体包括一p侧（1c）和n侧（1b）中，活性层（LA）被布置在它们之间。 p接触层（21a）的电接触的p侧（1c）中被提供。 提供了一种用于在n侧（1b）的电接触n型接触层（2）。 的n型接触层（2）含有（1b）的（2b）中设置在所述半导体主体（1）和镜层的n侧之间的TCO层（2a）和镜面层（2b）中，其中，所述TCO层（2a）的 是。

公开(公告)号：WO2009083001A3

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/DE2008/002136

申请日：2008-12-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  EBERHARD, Franz ,  WINDISCH, Reiner ,  WALTER, Robert ,  SCHMAL, Michael ,  AHLSTEDT, Magnus

Inventor： EBERHARD, Franz ,  WINDISCH, Reiner ,  WALTER, Robert ,  SCHMAL, Michael ,  AHLSTEDT, Magnus

IPC: H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Körper umfassend eine Schichtenfolge, mit einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, mit einer Reflexionsschicht (50), welche die erzeugte Strahlung reflektiert und mit zumindest einer Zwischenschicht (40), welche zwischen der aktiven Schicht (10) und der Reflexionsschicht (50) angeordnet ist. Dabei weist die aktive Schicht (10) auf einer zur Reflexionsschicht (50) gerichteten Grenzfläche (15) eine Aufrauung auf und die Reflexionsschicht (50) ist an einer zur aktiven Schicht (10) gerichteten Grenzfläche (45) im Wesentlichen planar. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers, bei dem eine Schichtenfolge auf einem Substrat mit einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, ausgebildet wird. Dabei erfolgt ein Aufrauen einer Grenzfläche (15) auf der aktiven Schicht (10) und ein Ausbilden zumindest einer Zwischenschicht (40) und einer Reflexionsschicht (50).

公开(公告)号：WO2005117147A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：PCT/DE2005/000753

申请日：2005-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

Inventor： ILLEK, Stefan ,  STEIN, Wilhelm ,  WALTER, Robert ,  WIRTH, Ralph

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/7605 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/42

Abstract: Bei einem Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit innerhalb einer elektrisch leitfähigen III-V-Halbleiterschicht (3) wird auf den Bereich (8) der Halbleiterschicht (3) eine ZnO-Schicht (1) aufgebracht und anschließend bevorzugt bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 500 °C getempert. Die ZnO-Schicht (1) wird bevorzugt bei einer Temperatur von weniger als 150 °C, bevorzugt zwischen einschließlich 25 °C und einschließlich 120 °C auf die III-V-Halbleiterschicht (3) abgeschieden. Der Bereich (8) mit reduzierter elektrischer Leitfähigkeit ist bevorzugt in einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement zwischen der aktiven Zone (4) und einem Anschlusskontakt (7) angeordnet, um die Strominjektion in die dem Anschlusskontakt (7) gegenüberliegenden Bereiche der aktiven Zone (4) zu vermindern.

Abstract translation: 在用于导电的III-V族的半导体层内产生的至少一个区域（8）具有降低的导电性的方法（3）被施加到区域（8）的半导体层（3）的ZnO层（1），然后 优选退火在温度300℃和500℃之间 ZnO层（1）优选沉积在低于150℃的温度之间，优选在25℃和120℃，包括III-V族半导体层（3）上。 具有减小的导电率的区域（8）优选地被布置在有源区（4）和一个终端（7），以将电流注入到所述连接触点之间的发射辐射的光电部件（7）的有源区的相对区域（4） 降低。

公开(公告)号：WO2019068534A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/EP2018/076107

申请日：2018-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHWARZMAIER, Christoph ,  MANDL, Martin ,  WALTER, Robert ,  STIEGLMEIER, Roland ,  SCHMAL, Michael

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten: A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (1) auf einem Träger (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Strahlungsemission eingerichtet ist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (1) mindestens eine n-dotierte Halbleiterschicht (11), mindestens eine p-dotierte Halbleiterschicht (12) und eine zwischen den n- und p-dotierten Halbleiterschichten (11, 12) angeordnete aktive Schicht (13) aufweist, B) Aufbringen einer Kontaktschicht (3) direkt auf die Halbleiterschichtenfolge (1), die die Diffusion des Materials einer Spiegelschicht (4) verhindert oder vermindert, wobei die Kontaktschicht (3) eine Schichtdicke von maximal 10 nm aufweist, C) Aufbringen der Spiegelschicht (4) direkt auf die Kontaktschicht (3), und D) Aufbringen einer Barriereschicht (5) direkt auf die Spiegelschicht (4).

公开(公告)号：WO2013174579A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：PCT/EP2013/057927

申请日：2013-04-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER, Robert ,  GEHRKE, Kai ,  PERZLMAIER, Korbinian

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  C23C14/04 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38

CPC classification number: C23C14/185 ,  C23C14/3492 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet und beinhaltet die folgenden Schritte: Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung, Aufbringen eines sauerstoffhaltigen Silberspiegels (3) auf die Halbleiterschichtenfolge (2), wobei das Aufbringen des sauerstoffhaltigen Silberspiegels (3) durch Sputtern in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre erfolgt, und Fertigstellen des optoelektronischen Halbleiterchips (1).

Abstract translation: 在至少一个实施例中，用于制造光电子半导体芯片（1）的方法被布置并包括以下步骤：提供半导体层序列（2），用于产生电磁辐射，沉积含氧银镜的至少一个有源层（20）（3） 光电子半导体芯片的半导体层序列（2），其中，所述含氧银镜（3）的应用是通过在含氧气氛中溅射进行，并且精整（1）。

公开(公告)号：WO2013030094A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：PCT/EP2012/066462

申请日：2012-08-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PERZLMAIER, Korbinian ,  GEHRKE, Kai ,  WALTER, Robert ,  ENGL, Karl ,  WEISS, Guido ,  MAUTE, Markus ,  RAMMELSBERGER, Stefanie

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  GEHRKE, Kai ,  WALTER, Robert ,  ENGL, Karl ,  WEISS, Guido ,  MAUTE, Markus ,  RAMMELSBERGER, Stefanie

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung (13) geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Auf der Spiegelschicht (5) ist eine Schutzschicht (6) angeordnet, die ein transparentes leitfähiges Oxid aufweist.

Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管芯片（1）和具有用于产生电磁辐射（13）合适的有源层的半导体层序列（2）（3），其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的发光二极管芯片（1）（4）。 的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。 在反射镜层（5）的保护层（6）被布置，其具有透明导电氧化物。