VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS UND EIN BAUELEMENT
    1.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS UND EIN BAUELEMENT 审中-公开
    方法用于制造部件和部件

    公开(公告)号:WO2017016953A1

    公开(公告)日:2017-02-02

    申请号:PCT/EP2016/067298

    申请日:2016-07-20

    CPC classification number: H01L33/62 H01L33/486 H01L33/54 H01L2224/11

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei Durchkontakte auf den Anschlussschichten ausgebildet werden, bevor ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird. Die Durchkontakte erstrecken sich dabei durch den Formkörper hindurch und sind von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen, sodass der Formkörper und die Durchkontakte einen dauerhaft zusammenhängenden Träger bilden, der das herzustellende Bauelement mechanisch trägt. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei die erste Anschlussschicht an einer Verbindungsebene mit dem ersten Durchkontakt einen gleichen oder größeren lateralen Querschnitt aufweist als der erste Durchkontakt und sowohl die erste Anschlussschicht als auch der erste Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen sind.

    Abstract translation: 提供了一种用于制造其中一个复合材料具有具备设置在半导体层堆叠和连接层,其中通孔上的连接层形成的之前被施加到复合成型材料以形成成型体的设备的方法。 通孔由此通过模体延伸通过并通过模制被完全封闭,以使成型体和所述通孔形成承载部件以机械方式产生的永久相干载波。 此外,提供一种装置,通过这样的方法,其中,所述第一连接层具有在接合面具有比通过所述第一和所述第一连接层和在横向的第一经由第一接触相等或更大的横向横截面,其在特定的生产 方向全部由成型涵盖。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
    3.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
    方法制造光电子半导体芯片

    公开(公告)号:WO2013131729A1

    公开(公告)日:2013-09-12

    申请号:PCT/EP2013/052995

    申请日:2013-02-14

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben mit den Schritten: Aufwachsen einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) durch Abscheidung von Partikeln eines elektrisch isolierenden Materials mittels eines Aerosolabscheideverfahrens, zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrats (1) nach dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht (4). Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

    Abstract translation: 它是用于制造设置有如下步骤的光电子半导体芯片的方法:在生长衬底(1)上生长的光电子半导体层序列(2)中,形成(4)面向远离光电子半导体层序列的生长衬底(1)侧离开的电绝缘层(2 )(通过由Aerosolabscheideverfahrens的装置,至少部分地去除所述生长衬底(1的电绝缘材料的颗粒的沉积),形成在电绝缘层4)之后。 此外,光电子半导体芯片被指定。

    LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT
    5.
    发明申请
    LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
    发光组件

    公开(公告)号:WO2017174776A1

    公开(公告)日:2017-10-12

    申请号:PCT/EP2017/058368

    申请日:2017-04-07

    Abstract: Lichtemittierendes Bauteil mit einem Träger (1), wobei auf dem Träger eine elektrische Kontaktfläche (2) ausgebildet ist, wobei auf der Kontaktfläche eine elektrisch leitende Kontaktfolie (6) angeordnet ist, wobei ein lichtemittierendes Bauelement (7, 8, 9) vorgesehen ist, wobei das Bauelement auf einer ersten Seite einen elektrischen Anschluss (11) aufweist, wobei das Bauelement mit der ersten Seite (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der ersten Seite mit der Kontaktfolie verbunden ist, wobei der elektrische Anschluss (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der Kontaktfolie elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der elektrische Anschluss über die Kontaktfolie mit der Kontaktfläche (2) elektrisch leitend verbunden ist.

    Abstract translation:

    发光元件具有Tr的AUML; GER(1),其中,所述载体BEAR形成的表面(2)上,其特征在于,在接触BEAR亨特的电Kontaktfl&AUML布置澈的导电接触箔(6) ,其特征在于,发光装置(7,8,9)设置,其中,在第一侧上的装置的电端子(11),其中,与在接触箔的第一侧(10)的组件(6)搁置,并用 所述第一侧连接到所述接触箔,其中所述电连接(10)搁置在接触箔(6),并连接到接触箔导电的,且其中在所述接触BEAR表面的接触膜的电连接(2) 电连接。

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