Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei Durchkontakte auf den Anschlussschichten ausgebildet werden, bevor ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird. Die Durchkontakte erstrecken sich dabei durch den Formkörper hindurch und sind von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen, sodass der Formkörper und die Durchkontakte einen dauerhaft zusammenhängenden Träger bilden, der das herzustellende Bauelement mechanisch trägt. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei die erste Anschlussschicht an einer Verbindungsebene mit dem ersten Durchkontakt einen gleichen oder größeren lateralen Querschnitt aufweist als der erste Durchkontakt und sowohl die erste Anschlussschicht als auch der erste Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen sind.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird, sodass der Formkörper die Anschlussschichten bedeckt. Es werden Ausnehmungen zur Freilegung der Anschlussschichten durch den Formkörper hindurch gebildet, woraufhin die Ausnehmungen mit einem elektrisch leitfähigen Material zur Bildung von Durchkontakten aufgefüllt werden. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei der Formkörper einstückig ist und aus einem verpressten und/oder mit Fasern oder Füllstoffen verstärkten Formkörpermaterial ausgebildet ist.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips angegeben mit den Schritten: Aufwachsen einer optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Aufwachssubstrat (1), Ausbilden einer elektrisch isolierenden Schicht (4) auf einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der optoelektronischen Halbleiterschichtenfolge (2) durch Abscheidung von Partikeln eines elektrisch isolierenden Materials mittels eines Aerosolabscheideverfahrens, zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrats (1) nach dem Ausbilden der elektrisch isolierenden Schicht (4). Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements beschrieben, das die folgenden Schritte umfasst: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge, - Aufbringen eines Matrixmaterials, wobei das Matrixmaterial ferromagnetische Partikel enthält und wobei das Matrixmaterial mittels der ferromagnetische Partikel durch induktives Erwärmen erwärmbar ist, - induktives Erwärmen der ferromagnetischen Partikel, wobei das Matrixmaterial zumindest teilweise aufweicht, - Aushärten des Matrixmaterials, wobei das Matrixmaterial zumindest Teil eines Trägers bildet. Es wird weiterhin ein optoelektronisches Bauelement beschrieben, das mit dem hier beschriebenen Verfahren darstellbar ist.
Abstract:
Lichtemittierendes Bauteil mit einem Träger (1), wobei auf dem Träger eine elektrische Kontaktfläche (2) ausgebildet ist, wobei auf der Kontaktfläche eine elektrisch leitende Kontaktfolie (6) angeordnet ist, wobei ein lichtemittierendes Bauelement (7, 8, 9) vorgesehen ist, wobei das Bauelement auf einer ersten Seite einen elektrischen Anschluss (11) aufweist, wobei das Bauelement mit der ersten Seite (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der ersten Seite mit der Kontaktfolie verbunden ist, wobei der elektrische Anschluss (10) auf der Kontaktfolie (6) aufliegt und mit der Kontaktfolie elektrisch leitend verbunden ist, und wobei der elektrische Anschluss über die Kontaktfolie mit der Kontaktfläche (2) elektrisch leitend verbunden ist.