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公开(公告)号：WO2011092072A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：PCT/EP2011/050541
申请日：2011-01-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin , HOEPPEL, Lutz , ILLEK, Stefan , BARCHMANN, Bernd , RODE, Patrick
Inventor： SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin , HOEPPEL, Lutz , ILLEK, Stefan , BARCHMANN, Bernd , RODE, Patrick
IPC: H01L25/075 , F21K99/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: Es wird eine Beleuchtungsvorrichtung angegeben. Gemäß zumindest einem Aspekt weist die Beleuchtungsvorrichtung einen vorderseitigen Träger (1), einen rückseitigen Träger (2) und eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips (3) auf, die im Betrieb der Beleuchtungsvorrichtung Licht emittieren und Verlustwärme abgeben. Der rückseitige Träger (2) ist zumindest stellenweise von dem vorderseitigen Träger (1) bedeckt. Die Leuchtdiodenchips (3) sind zwischen dem rückseitigen Träger (2) und dem vorderseitigen Träger (1) angeordnet und von diesen mechanisch arretiert. Sie sind mittels des rückseitigen und/oder des vorderseitigen Trägers (1, 2) elektrisch kontaktiert. Der vorderseitige Träger (1) ist wärmeleitend mit den Leuchtdiodenchips (3) gekoppelt und weist eine von den Leuchtdiodenchips (3) abgewandte Lichtauskoppelfläche (101) auf, die zur Abgabe eines Teils der von den Leuchtdiodenchips (3) erzeugten Verlustwärme an die Umgebung ausgebildet ist.
Abstract translation: 提供了一种照明装置。 根据至少一个方面，所述照明装置具有前侧支架（1），后支撑（2）和多个发光二极管芯片（3），其发射光的照明装置的操作并且发射的热损失。 背部支撑件（2）是至少局部地从覆盖前支撑（1）。 LED芯片（3）被布置在后架（2）和前支撑（1）和通过将它们机械地锁定之间。 它们是由后和/或支撑的前侧的装置（1,2）被电接触。 前支撑（1）导热地连接到所述发光二极管芯片（3）和具有发光二极管芯片中的一个背离在其上的发光二极管芯片的一部分的输送产生的热损失的光输出表面（101）的距离（3）（3）形成在所述环境 ，
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公开(公告)号：WO2017016953A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/EP2016/067298
申请日：2016-07-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER, Juergen , HOEPPEL, Lutz
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L2224/11
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei Durchkontakte auf den Anschlussschichten ausgebildet werden, bevor ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird. Die Durchkontakte erstrecken sich dabei durch den Formkörper hindurch und sind von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen, sodass der Formkörper und die Durchkontakte einen dauerhaft zusammenhängenden Träger bilden, der das herzustellende Bauelement mechanisch trägt. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei die erste Anschlussschicht an einer Verbindungsebene mit dem ersten Durchkontakt einen gleichen oder größeren lateralen Querschnitt aufweist als der erste Durchkontakt und sowohl die erste Anschlussschicht als auch der erste Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umschlossen sind.
Abstract translation: 提供了一种用于制造其中一个复合材料具有具备设置在半导体层堆叠和连接层，其中通孔上的连接层形成的之前被施加到复合成型材料以形成成型体的设备的方法。 通孔由此通过模体延伸通过并通过模制被完全封闭，以使成型体和所述通孔形成承载部件以机械方式产生的永久相干载波。 此外，提供一种装置，通过这样的方法，其中，所述第一连接层具有在接合面具有比通过所述第一和所述第一连接层和在横向的第一经由第一接触相等或更大的横向横截面，其在特定的生产 方向全部由成型涵盖。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2020064892A1
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：PCT/EP2019/075955
申请日：2019-09-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL, Lutz , MOLNAR, Attila
Abstract: Gemäß Ausführungsformen umfasst ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) einen optoelektronischen Halbleiterchip (15), ein Verbindungsmaterial (125), welches amorphes Aluminiumoxid enthält, und einen Saphirträger (120). Das Verbindungsmaterial (125) grenzt direkt an den Saphirträger (120) an. Der optoelektronische Halbleiterchip (10) ist über das Aluminiumoxid enthaltende Verbindungsmaterial (125) mit dem Saphirträger (120) verbunden.
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4.发明申请VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010051786A1
公开(公告)日：2010-05-14
申请号：PCT/DE2009/001415
申请日：2009-10-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BIEBERSDORF, Andreas , GROLIER, Vincent , HOEPPEL, Lutz , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRASSBURG, Martin
Inventor： BIEBERSDORF, Andreas , GROLIER, Vincent , HOEPPEL, Lutz , LUGAUER, Hans-Jürgen , STRASSBURG, Martin
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/325 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: A) Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit zumindest einer dotierten funktionellen Schicht (7), die Bindungskomplexe mit zumindest einem Dotierstoff und zumindest einem Kodotierstoff aufweist, wobei einer ausgewählt aus dem Dotierstoff und dem Kodotierstoff ein Elektronenakzeptor und der andere ein Elektronendonator ist, B) Aktivieren des Dotierstoffs durch Aufbrechen der Bindungskomplexe mittels Einbringen einer Energie (14, 15), wobei der Kodotierstoff zumindest teilweise in der Halbleiterschichtenfolge (200) verbleibt und zumindest teilweise keine Bindungskomplexe mit dem Dotierstoff bildet. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.
Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：（7），其具有至少一种掺杂剂和至少一种共掺杂剂，所述结合复合物，其中一个从所选择的A）形成具有至少一个掺杂的功能层的半导体层序列（200） 掺杂剂和共掺杂剂是电子，和所述其它电子给体，b）通过通过引入能量（14,15），其中所述共掺杂剂至少部分（半导体层序列200）中保持，并且至少部分地与没有结合复合物的手段破坏结合复合激活所述掺杂剂 形成掺杂剂。 此外，光电子半导体芯片被指定。
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5.发明申请
公开(公告)号：WO2023280662A2
公开(公告)日：2023-01-12
申请号：PCT/EP2022/067961
申请日：2022-06-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HALBRITTER, Hubert , HOEPPEL, Lutz , GERHARD, Sven
IPC: H01S5/042 , H01S5/183 , H01S5/343 , H01S2301/166 , H01S5/04253 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18338 , H01S5/18341 , H01S5/18347 , H01S5/18369 , H01S5/34333
Abstract: Ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei die erste Halbleiterschicht (110) unter Ausbildung einer Mesa (123) strukturiert ist, eine aktive Zone (115) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung (15) sowie eine zweite Halbleiterschicht (120) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Die erste Halbleiterschicht (110), die aktive Zone (115) und die zweite Halbleiterschicht (120) sind unter Ausbildung eines Halbleiterschichtstapels (121) übereinander gestapelt. Der oberflächenemittierende Halbleiterlaser umfasst weiterhin eine Mantelschicht (125), die an eine Seitenwand (122) der Mesa (123) angrenzt.
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Patent Agency Ranking6.发明申请
公开(公告)号：WO2021078480A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/EP2020/077257
申请日：2020-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR, Teresa , HOEPPEL, Lutz , LEBER, Andreas , NEVELING, Kerstin , PERZLMAIER, Korbinian , PFEUFFER, Alexander , RAFAEL, Christine
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Montage eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen zumindest eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit zumindest einer metallischen Anschlussschicht (2), - Bereitstellen eines Hilfsträgers (3), - Anbringen einer Opferschicht (4) zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3), die eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3) vermittelt, - Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktelementen (5) in der Opferschicht (4), die elektrisch leitend ausgebildet ist, - Entfernen der Opferschicht (4), derart, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) durch die Kontaktelemente (5) an dem Hilfsträger (3) befestigt ist. Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben.
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7.发明申请
公开(公告)号：WO2019158657A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/053721
申请日：2019-02-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HOEPPEL, Lutz , PFEUFFER, Alexander
Abstract: Ein Komposithalbleiterbauelement (10) weist ein Trägersubstrat (100) aus einem Halbleitermaterial sowie einen auf dem Trägersubstrat (100) angeordneten Halbleiterchip (200) auf. Das Trägersubstrat (100) weist ein von einer ersten Hauptoberfläche (110) des Trägersubstrats (100) hervorstehendes Element (130) auf, das ein elektrisch leitfähiges Material (135) umfasst. Das elektrisch leitfähige Material ist mit einem Kontaktbereich (120) elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterchip (200) weist an einer ersten Oberfläche (210) mindestens eine Kontaktfläche (225, 228) auf, welche mit dem elektrisch leitfähigen Material (135) des hervorstehenden Elements (130) elektrisch verbunden ist.Die Kontaktfläche (225, 228) hat an einer Position, an der die Kontaktfläche (225, 228) und das elektrisch leitfähige Material (135) des hervorstehenden Elements (130) jeweils miteinander in Kontakt stehen, eine größere laterale Ausdehnung als das hervorstehende Element (130).
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公开(公告)号：WO2018024705A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/EP2017/069383
申请日：2017-08-01
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER, Frank , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , HOEPPEL, Lutz , SABATHIL, Matthias
IPC: H01L33/62 , H01L25/075 , H01L33/54
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2933/0066
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Multichipmodul mit wenigstens zwei Leuchtdiodenchips, wobei die zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einem ersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet sind, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden sind, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt ist, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden sind, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers angeordnet sind. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls, wobei wenigstens zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einenersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet werden, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite elektrische Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden werden, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt wird, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden werden, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers ausgebildet werden.
Abstract translation:
本发明涉及具有至少两个发光二极管芯片，所述两个LED芯片与至少Seitenfl＆AUML多芯片模块;陈在第一Tr的BEAR被GER嵌入在模制材料，其特征在于，具有在其前侧的第一电触头的发光二极管芯片， 前侧被设计成放射面，其中，在A R导航LED芯片第二触点使用的下侧，所述第二接触器被连接到一个歧管，其中所述歧管到A R导航使用第一Tr的AUML的下侧;热尔实测导航用途是HRT，其中，所述 第一触点连接到控制线，其中控制线布置在第一扭矩器的前侧。 本发明涉及AU ROAD另外的方法用于制造多芯片模块，其中，与至少Seitenfl＆AUML至少两个发光二极管芯片;陈在第一Tr的BEAR被GER嵌入在模制材料，其特征在于，具有在其前侧的第一电触头的发光二极管芯片，前侧形成为射出侧 是，其特征在于，在R导航所述发光二极管芯片的第二电接触用的下侧，所述第二接触器被连接到一个歧管，其中所述歧管到A R导航使用第一Tr的AUML的下侧;热尔实测导航用途是HRT，其中，与控制线的第一接触器连接 控制线形成在第一个门的前侧。
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公开(公告)号：WO2017016945A1
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：PCT/EP2016/067245
申请日：2016-07-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER, Juergen , HOEPPEL, Lutz
CPC classification number: H01L33/486 , H01L21/561 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L2224/05022 , H01L2224/05026 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/94 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2224/03
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben, bei dem ein Verbund aufweisend einen Halbleiterschichtenstapel und Anschlussschichten bereitgestellt wird, wobei ein Formkörpermaterial auf den Verbund zur Ausbildung eines Formkörpers aufgebracht wird, sodass der Formkörper die Anschlussschichten bedeckt. Es werden Ausnehmungen zur Freilegung der Anschlussschichten durch den Formkörper hindurch gebildet, woraufhin die Ausnehmungen mit einem elektrisch leitfähigen Material zur Bildung von Durchkontakten aufgefüllt werden. Des Weiteren wird ein Bauelement angegeben, das insbesondere durch ein solches Verfahren hergestellt wird, wobei der Formkörper einstückig ist und aus einem verpressten und/oder mit Fasern oder Füllstoffen verstärkten Formkörpermaterial ausgebildet ist.
Abstract translation: 提供了一种用于制造其中一个复合材料具有具备设置在半导体层堆叠和连接层，由此模制材料施加到复合以形成成型制品，以使成形体覆盖所述连接层的装置的方法。 形成通过所述凹部，之后，所述凹部填充有导电材料以形成通孔，以暴露穿过模体的连接层。 此外，提供了一种设备，其特别是通过这样的方法，其中所述成型体是整体的和压缩的和/或与纤维或填料增强模塑体材料形成生产。
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公开(公告)号：EP2529399A1
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：EP11700426.7
申请日：2011-01-17
Applicant: OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Inventor： SABATHIL, Matthias , VON MALM, Norwin , HOEPPEL, Lutz , ILLEK, Stefan , BARCHMANN, Bernd , RODE, Patrick
IPC: H01L25/075 , F21K99/00
CPC classification number: H01L25/0753 , H01L33/22 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A lighting device with front carrier, rear carrier and plurality of light-emitting diode chips, which when in operation emits light and releases waste heat, wherein rear carrier is covered at least in selected locations by front carrier, light-emitting diode chips are arranged between rear carrier and front carrier to form array, light-emitting diodes are contacted electrically by rear and/or front carrier and immobilized mechanically by rear carrier and front carrier, front carrier is coupled thermally conductively to light-emitting diode chips and includes light outcoupling face remote from light-emitting diode chips, which light outcoupling face releases some of waste heat released by light-emitting diode chips into surrounding environment, each light-emitting diode chip is actuated with electrical nominal power of 100 mW or less when lighting device is in operation and has light yield of 100 lm/W or more.
Abstract translation: 具有前载体，后载体和多个发光二极管芯片的照明装置，其在运行时发光并释放废热，其中后载体至少在前载体的选定位置被覆盖，发光二极管芯片被布置 在后部载体和前部载体之间形成阵列，发光二极管通过后部和/或前部载体电接触并且由后部载体和前部载体机械固定，前部载体与导热地耦合到发光二极管芯片并且包括光输出耦合 远离发光二极管芯片，该光耦合面将由发光二极管芯片释放的一些废热释放到周围环境中，当照明设备是光源时，每个发光二极管芯片以100mW或更小的电标称功率被致动 并且具有100lm / W或更高的光产量。
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