公开(公告)号：WO2016184813A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：PCT/EP2016/060885

申请日：2016-05-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SINGER, Frank

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/22 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils (10) umfasst ein Bereitstellen eines Wafersubstrats (1) umfassend eine lichtemittierende Schichtenfolge (1a), ein Vereinzeln des Wafersubstrats (1) mit der Schichtenfolge (1a) in mehrere Halbleiterbauteile (3), ein Aufbringen der Halbleiterbauteile (3) auf einen Zwischenträger (4), und ein Anordnen eines Vergusses (5) auf den Zwischenträger (4), so dass der Verguss (5) die Halbleiterbauteile (3) lateral umgibt und mit Seitenflächen (3b) der Halbleiterbauteile (3) zumindest stellenweise in direktem Kontakt ist. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Anordnen jeweils eines Kontaktes (6) auf jeweils einem Halbleiterbauteil (3) und dem Verguss (5), wobei jeweils ein Kontakt (6) an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) des Halbleiterbauteils (3) und des Vergusses (5) angeordnet ist. Das Verfahren umfasst weiterhin ein Verbinden des Bauteils (10) mit einem Trägerelement (7),an einer dem Zwischenträger (4) abgewandten Seite (3a) der Halbleiterbauteile (3), ein Entfernen des Zwischenträgers (4) und jeweils des Wafersubstrats (1) der Halbleiterbauteile (3), undein elektrisches Kontaktieren der Halbleiterbauteile (3) über die Kontakte (6) und den Verguss (5), wobei eine Kontaktschicht (8) über eine Oberseite (5a) des Vergusses (5), welche den Kontakten (6) abgewandt ist, zur lichtemittierenden Schichtenfolge (1a) geführt wird.

Abstract translation: 用于制造光电子组件的方法（10），包括包括：提供在晶片衬底（1）的发光层序列（1a）中，晶片衬底的分离（1），具有所述层序列（1A）划分为多个半导体器件（3），半导体器件的应用的 （3）到中间载体（4），和设置灌封化合物（5）至所述中间支撑件（4），使得所述封装（5）包围所述半导体部件（3）横向并具有侧面（3b）的半导体元件（3）的 至少局部地直接接触。 此外，该方法包括定位每一个相应的半导体部件（3）上的触点（6）的和背对半导体部件的侧面（3a）的铸件（5），其中，相应的中间载体上的接触（6）（4）（3） 布置和封装（5）。 该方法还包括连接包含（7）的面向远离所述半导体元件的中间载体（4）侧（3a）的一个支承元件的部件（10）（3），除去在中间载体（4），并且每个晶片衬底（1）的 半导体部件（3），安石经由触点（6）的半导体元件（3）的电接触和在铸件（5），其特征在于，接触层（8）在所述封装（5），该（触点6的上侧（5a）中 ）是远程的，（用于光发射层序列1a）中被引导。

公开(公告)号：WO2015113926A2

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/EP2015/051455

申请日：2015-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  GÖÖTZ, Britta ,  DIRSCHERL, Georg

IPC: H01L33/44

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L31/173 ,  H01L33/44 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird eine lichtemittierende Anordnung angegeben, mit - einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5), der im Betrieb Primärstrahlung (6) zumindest aus einer Hauptemissionsfläche (51) emittiert, - einem ersten Konversionselement (2), das einen Teil der Primärstrahlung (6) absorbiert und Sekundärstrahlung (7) emittiert, - einem Umlenkelement (9), das zumindest für einen Teil der Primärstrahlung (6) eine Richtungsänderung bewirkt, wobei - das erste Konversionselement (2) in einer lateralen Richtung neben dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (5) angeordnet ist, - das Umlenkelement (9) einen Teil der Primärstrahlung (6) auf das erste Konversionselement (2) leitet, und - die lichtemittierende Anordnung im Betrieb Mischlicht (8) umfassend die Primärstrahlung (6) und die Sekundärstrahlung (7) emittiert.

Abstract translation: 它是设置有发光装置 - 发射辐射的半导体芯片（5），其在操作中至少发射从主发射表面（51）的初级辐射（6）， - 第一转换元件（2），其吸收初级辐射的部分（6）和 次级辐射（7）发射的， - 一个偏转元件（9），使至少所述初级辐射（6）在方向上的变化，其中的一部分 - 除了发射辐射的半导体芯片（5）的第1转换元件（2）在横向方向上布置， - 偏转元件（9）引导初级辐射（6）的至少一部分到所述第一转换元件（2），以及 - 在所述操作混合光的发光装置（8）包括初级辐射（6）和次级辐射（7）发射。

公开(公告)号：WO2013135435A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2013/052167

申请日：2013-02-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  F21V8/00 ,  F21K99/00

CPC classification number: H01L33/507 ,  F21K9/64 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0021 ,  G02B6/0025 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0091

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P) und einen Strahlungsextraktor (3), der dem Halbleiterchip (2) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) nachgeordnet ist. Ein organisches Konversionsmittel (5) der Flächenlichtquelle (1) ist zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung (P) in eine hiervon verschiedene Sekundärstrahlung (S) eingerichtet. Dem Strahlungsextraktor (3) ist ein als Festkörper geformter, strahlungsdurchlässiger Lichtverteiler (4) optisch nachgeordnet. Der Strahlungsextraktor (3) befindet sich in einer Ausnehmung (43) in dem Lichtverteiler (4) und zwischen dem Lichtverteiler (4) und dem Strahlungsextraktor (3) befindet sich mindestens ein gasgefüllter oder evakuierter Trennspalt (6).

Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）包括的光电子半导体芯片（2），用于产生一个初级辐射（P）和一个Strahlungsextraktor（3），其是在半导体芯片（2）沿主发射方向（x）的下游。 的面光源（1），用于在由此建立次级辐射（S）不同的初级辐射（P）的部分或完全转化的有机转换装置（5）。 所述Strahlungsextraktor（3）是一个模制为固体，透射辐射的光分布光学下游（4）。 所述Strahlungsextraktor（3）位于在扩散器中的凹部（43）（4）和扩散器（4）和所述Strahlungsextraktor（3）有至少一个气体填充或排空分离间隙（6）之间。

公开(公告)号：WO2012126735A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：PCT/EP2012/053914

申请日：2012-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

Inventor： SABATHIL, Matthias ,  PLÖSSL, Andreas ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  LINKOV, Alexander ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/26 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504

Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauteil angegeben, mit - einem ersten Halbleiterkörper (1), der eine aktive Zone (11) umfasst, in der im Betrieb des Licht emittierenden Halbleiterbauteils elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, die den ersten Halbleiterkörper (1) zumindest teilweise durch eine Strahlungsaustrittsfläche (1a) hindurch verlässt, und - einem zweiten Halbleiterkörper (2), der zur Konversion der elektromagnetischen Strahlung in konvertierte elektromagnetische Strahlung kleinere Wellenlänge geeignet ist, wobei - der erste Halbleiterkörper (1) und der zweite Halbleiterkörper (2) getrennt voneinander gefertigt sind, - der zweite Halbleiterkörper (2) elektrisch inaktiv ist, und - der zweite Halbleiterkörper (2) sich in direktem Kontakt mit der Strahlungsaustrittfläche (1a) befindet und dort verbindungsmittelfrei am ersten Halbleiterkörper (1) befestigt ist.

Abstract translation: 本发明公开一种发光半导体器件，包括： - 第一半导体本体（1），它包括一个有源区（11），在光半导体装置的操作期间的发射产生的电磁辐射，所述第一半导体本体（1）至少部分地由一 辐射出射表面（1a）的通过叶，以及 - 第二半导体主体（2），其适合用于将电磁辐射转换成转换后的电磁辐射更短的波长，其特征在于， - 所述第一半导体本体（1）和第二半导体本体（2）彼此分开地制造， - 所述第二半导体本体（2）是电惰性，以及 - 所述第二半导体本体（2）与所述辐射出射表面（1a）的直接接触，并有连接装置自由所述第一半导体本体（1）附接在。

公开(公告)号：WO2011134727A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/EP2011/054680

申请日：2011-03-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ILLEK, Stefan ,  LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

Inventor： ILLEK, Stefan ,  LINKOV, Alexander ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/54 ,  G02B6/00 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B6/0023 ,  G02B6/0073 ,  H01L33/501 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00014

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (1) weist einen Träger (2) und mindestens einen Halbleiterchip (3) auf. Der Halbleiterchip (3) ist auf dem Träger (2) angeordnet und zum Emittieren einer Primärstrahlung (6) eingerichtet. Den Halbleiterchip (3) umschließt zumindest teilweise ein zumindest teilweise transparentes Medium (7) mit einer Höhe (8) über dem Träger (2) und einer Breite (9) entlang des Trägers (2). In das Medium (7) sind Partikel (10, 11) eingebracht, die mit der Primärstrahlung (6) wechselwirken. Das Medium (7) weist ein Verhältnis der Höhe (8) zu der Breite (9) von größer als 1 auf.

Abstract translation: 光电子器件（1）包括支撑件（2）和至少一个半导体芯片（3）。 半导体芯片（3）被布置在所述载体（2）和（6），其适于用于发射初级辐射上。 半导体芯片（3）包围至少部分（7）具有一高度的至少部分透明的介质（8）上方的支撑件（2）和宽度（9）沿所述载体（2）。 在介质（7），颗粒（10，11）插入时，与所述初级辐射（6）相互作用。 介质（7）具有的高度（8）的比例与宽度（9）大于第一

公开(公告)号：WO2018024705A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/EP2017/069383

申请日：2017-08-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SCHWARZ, Thomas ,  HOEPPEL, Lutz ,  SABATHIL, Matthias

IPC: H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Multichipmodul mit wenigstens zwei Leuchtdiodenchips, wobei die zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einem ersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet sind, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden sind, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt ist, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden sind, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers angeordnet sind. Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls, wobei wenigstens zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflächen in einenersten Träger aus einem Moldmaterial eingebettet werden, wobei die Leuchtdiodenchips erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite aufweisen, wobei die Vorderseite als Abstrahlseite ausgebildet ist, wobei die Leuchtdiodenchips zweite elektrische Kontakte auf einer Rückseite aufweisen, wobei die zweiten Kontakte mit einer Sammelleitung verbunden werden, wobei die Sammelleitung zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt wird, wobei die ersten Kontakte mit Steuerleitungen verbunden werden, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers ausgebildet werden.

Abstract translation:

本发明涉及具有至少两个发光二极管芯片，所述两个LED芯片与至少Seitenfl＆AUML多芯片模块;陈在第一Tr的BEAR被GER嵌入在模制材料，其特征在于，具有在其前侧的第一电触头的发光二极管芯片， 前侧被设计成放射面，其中，在A R导航LED芯片第二触点使用的下侧，所述第二接触器被连接到一个歧管，其中所述歧管到A R导航使用第一Tr的AUML的下侧;热尔实测导航用途是HRT，其中，所述 第一触点连接到控制线，其中控制线布置在第一扭矩器的前侧。 本发明涉及AU ROAD另外的方法用于制造多芯片模块，其中，与至少Seitenfl＆AUML至少两个发光二极管芯片;陈在第一Tr的BEAR被GER嵌入在模制材料，其特征在于，具有在其前侧的第一电触头的发光二极管芯片，前侧形成为射出侧 是，其特征在于，在R导航所述发光二极管芯片的第二电接触用的下侧，所述第二接触器被连接到一个歧管，其中所述歧管到A R导航使用第一Tr的AUML的下侧;热尔实测导航用途是HRT，其中，与控制线的第一接触器连接 控制线形成在第一个门的前侧。

公开(公告)号：WO2017174730A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：PCT/EP2017/058266

申请日：2017-04-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  SINGER, Frank

IPC: H01L33/02 ,  H01L27/15 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L22/20 ,  H01L27/156 ,  H01L33/005 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; b) Ermitteln einer Position von zumindest einem Defektbereich (4) der Halbleiterschichtenfolge; c) Ausbilden einer Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen (5), die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind; und d) Vereinzeln des Verbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.

Abstract translation: 包括以下步骤：a）提供具有半导体层序列（2）的复合物（3），一个用于产生或接收辐射的复合物（3） 提供有效区域（20）; b）确定半导体层序列的至少一个缺陷区域（4）的位置; c）形成多个可电接触的功能区域（5），每个功能区域具有一部分半导体层序列并且没有缺陷区域; 以及d）将复合物分离成多个光电子半导体部件，每个光电子半导体部件具有至少一个功能区。 此外，指定了光电子半导体元件。

公开(公告)号：WO2017167812A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/EP2017/057434

申请日：2017-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  SINGER, Frank

IPC: H01L27/15 ,  H05B33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/508 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0893

Abstract: Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Modul (1) mit: • - einer Vielzahl von Emissionsbereichen, die dazu ausgebildet sind, im Betrieb Licht zu emittieren, umfassend zumindest einen ersten (101) und einen zweiten (102) Emissionsbereich erster Art, die Licht eines ersten Farbortes emittieren und zumindest einen ersten (201) und einen zweiten (202) Emissionsbereich zweiter Art, die Licht eines zweiten Farbortes emittieren, und • - einer Ansteuervorrichtung (2) zur Bestromung der Emissionsbereiche, wobei: • - mehrere der Emissionsbereiche auf einem gemeinsamen Halbleiterchip angeordnet sind, • - der erste Farbort unterschiedlich vom zweiten Farbort ist, • - der erste (101) und zweite (102) Emissionsbereich erster Art zueinander benachbart sind, • - der erste (201) und zweite (202) Emissionsbereich zweiter Art zueinander benachbart sind, • - die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, alle Emissionsbereiche getrennt voneinander zu betreiben, • - die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, die Emissionsbereiche erster Art (101, 102) redundant zu betreiben, und • - die Ansteuervorrichtung (2) dazu ausgebildet ist, die Emissionsbereiche zweiter Art (201, 202) redundant zu betreiben.

Abstract translation:

本发明涉及一种发光模块（1），包括：• - 多个，其适于发射操作期间发光区域的方法，包括至少一个第一（101）和第二（102） 发射所述第一类型的区域，一个第一彩色图的光发射和至少一个第一（201）和第二（202）的第二类型的发射区，第二颜色图的光发射，以及• - 驱动装置（2），用于将电流供给到发光区域，其特征在于：• - 多个发光区域被布置在共同的半导体芯片上，• - 第一色点与所述第二色点不同，• - 第一（101）和第二（102）彼此相邻，•第一类型的发射区 - 所述第一（201）和第二 （202）发射区域彼此相邻， - 驱动装置（2）被设计成使所有发射区域彼此分开地操作，·-d 即控制装置（2）适于将所述第一类型的（101，102）的发射区域到冗余操作，以及• - 所述控制装置（2）适于将所述第二类型的（201,202），以冗余操作

公开(公告)号：WO2016071308A1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：PCT/EP2015/075518

申请日：2015-11-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  HOXHOLD, Björn ,  SPERL, Matthias

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L25/167 ,  H01L33/005 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (30) weist einen Verbundkörper (100) auf, der einen Formkörper (200) und einen in den Formkörper (200) eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip (300) umfasst. Ein elektrisch leitender Durchkontakt (400) erstreckt sich von einer Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) zu einer Unterseite (102) des Verbundkörpers (100) durch den Formkörper (200). Eine Oberseite (301) des optoelektronischen Halbleiterchips (300) ist zumindest teilweise nicht durch den Formkörper (200) bedeckt. Der optoelektronische Halbleiterchip (300) weist an seiner Oberseite (301) einen ersten elektrischen Kontakt (310) auf. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist eine erste Oberseitenmetallisierung (110) angeordnet, die den ersten elektrischen Kontakt (310) elektrisch leitend mit dem Durchkontakt (400) verbindet. An der Oberseite (101) des Verbundkörpers (100) ist außerdem eine zweite Oberseitenmetallisierung (120) angeordnet, die elektrisch gegen die erste Oberseitenmetallisierung (110) isoliert ist.

Abstract translation: 光电子器件（30）包括复合体（100）包括成型体（200）和一个嵌入到形主体（200）的光电子半导体芯片（300）。 一个通过由模制体（200）从所述复合体（100）的顶表面（101）延伸到所述复合材料主体（100）的下侧（102）（400）导电。 光电子半导体芯片（300）的上表面（301）由所述模体（200）至少部分覆盖。 光电子半导体芯片（300）具有在其上侧（301）的第一电接触（310）。 在复合体（100）的顶部（101）是第一顶部金属化（110）被布置成，它连接所述第一电接触（310）电连接到所述通孔（400）。 第二顶部金属化（120）进一步设置在复合体（100），其是从所述第一顶部金属化（110）电绝缘的顶部（101）。

公开(公告)号：WO2015107153A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/EP2015/050783

申请日：2015-01-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SOBCZYK, Sandra ,  SINGER, Frank ,  MÖNCH, Wolfgang ,  SABATHIL, Matthias

IPC: F21K99/00 ,  F21V8/00 ,  F21V5/04 ,  F21Y101/02 ,  F21Y103/00

CPC classification number: F21K9/64 ,  F21K9/61 ,  F21K9/90 ,  F21V3/02 ,  F21V5/043 ,  F21Y2103/10 ,  F21Y2115/10

Abstract: Es wird ein Leuchtmittel (1) angegeben, umfassend • - einen Optikkörper (3), aufweisend • - eine Haupterstreckungsrichtung (Z), • - eine Strahlungseintrittsfläche (3a) und • - eine Strahlungsaustrittsfläche (3b), und • - zumindest zwei Leuchtdioden (2), jeweils umfassend • - zumindest einen Leuchtdiodenchip (21) und • - eine Strahlungsdurchtrittsfläche (2a), die sich entlang einer Haupterstreckungsebene (XZ) erstreckt, • - die zumindest zwei Leuchtdioden (2) entlang der Haupterstreckungsrichtung (Z) des Optikkörpers (3) angeordnet sind, • - die Strahlungseintrittsfläche (3a) des Optikkörpers (3) den Strahlungsdurchtrittsflächen (2a) der zumindest zwei Leuchtdioden (2) zugewandt ist, • - der Optikkörper (3) als Vollkörper ausgebildet ist, • - die Strahlungseintrittsfläche (3a) des Optikkörpers (3) flach verläuft oder konvex gekrümmt ist, und • - die Strahlungsaustrittsfläche (3b) des Optikkörpers (3) zumindest eine Vertiefung (4) im Optikkörper (3) umfasst.

Abstract translation: 它是（1）指定了一个照明装置，其包括• - 一个光学体（3），包括• - 主延伸方向（Z），• - 放射线入射面（3a），以及• - 辐射出射面（3b）中，以及• - 至少两个发光二极管（ （所述至少两个发光二极管（2）沿所述光学体的主延伸方向（Z） - 2），每个包括• - 至少一个LED芯片（21）和• - 辐射穿透表面（2a）中，沿主延伸平面（XZ）延伸，• 3）被设置，• - 在光学体的（3）形成为实心体，• - - 放射线入射面（3a面向至少两个发光二极管（2），•光学体（3）的辐射穿透面（2a）的辐射入口面（3a） ）的光学体的运行（3）是平的或凸出弯曲，并且• - 所述辐射出口面（3b）中的光学体的（3）的至少一个凹部（4）在所述光学体（ 3）。