公开(公告)号：WO2015055500A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/EP2014/071651

申请日：2014-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  WURM, Teresa ,  RISTIC, Jelena ,  GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/34333

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) beschrieben, umfassend einen auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Schichtenstapel, der einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), einen p-Typ-Halbleiterbereich (8) und eine zwischen dem n-Typ- Halbleiterbereich (6) und dem p-Typ Halbleiterbereich (8) angeordnete aktive Schicht (7) aufweist. Der p-Typ Halbleiterbereich (8) weist zur Ausbildung einer Elektronenbarriere eine Schichtenfolge (13) mit mehreren p- dotierten Schichten (1, 2, 3, 4) aus A1 X In y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 auf, wobei die Schichtenfolge (13) eine erste p-dotierte Schicht (1) mit einem Aluminiumanteil x1 ≥ 0,5 und einer Dicke von nicht mehr als 3 nm aufweist, und derersten p-dotierten Schicht (1) an einer von der aktiven Schicht (7) abgewandten Seite mindestens eine zweite p-dotierte Schicht (2) mit einem Aluminiumanteil x2

Abstract translation: 它被描述，其包括的光电子半导体器件（10），基于具有n型半导体区域的氮化物化合物半导体层堆叠体（6）上，p型半导体区域（8）和所述n型半导体区域（6）之间 并具有布置在所述p型半导体区域（8）活性层（7）。 所述p型半导体区域（8）具有用于形成具有多个p型掺杂层的电子屏障，层序列（13）（1，2，3，4）从A1XInyGa1-X-Y n，其中0≤X≤1，0≤ÿ≤ 1并且x + y≤1，其中在层序列（13）包括（1）具有的铝含量X1≥0.5且厚度不大于3nm的，并且所述第一p型掺杂层（第一p掺杂层 按照1）至（通过与铝含量X2

公开(公告)号：WO2016020348A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/EP2015/067878

申请日：2015-08-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER, Christoph ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  WURM, Teresa ,  RISTIC, Jelena

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/20 ,  H01L33/025 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/325 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/083

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit einer aktiven Zone (3) zum Erzeugen einer elektromagnetischen Strahlung, wobei die aktive Zone (3) an wenigstens eine Schichtanordnung (100,200) aus einem halbleitenden Material angrenzt, wobei die Schichtanordnung (100,200) wenigstens zwei Schichten aufweist, wobei die zwei Schichten in der Weise ausgebildet sind, dass an einer Grenzfläche zwischen den zwei Schichten ein piezoelektrisches Feld erzeugt wird, das einen elektrischen Spannungsabfall an der Grenzfläche bewirkt, wobei an der Grenzfläche der zwei Schichten und in den zwei Schichten ein Spitzendotierbereich (6, 13) vorgesehen ist, um den elektrischen Spannungsabfall zu reduzieren, wobei eine Dotierung des Spitzendotierbereiches in Richtung weg von der aktiven Zone wenigstens um einen ersten Prozentwert ansteigt und wieder um wenigstens einen zweiten Prozentwert abfällt, wobei der erste und der zweite Prozentwert größer als 10 % einer maximalen Dotierung des Spitzendotierbereiches ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件和与活性区的光电子器件（3），用于产生电磁辐射，其中，所述有源区（3）相邻的半导体材料的至少一个层组件（100,200），其中，所述层布置 （100,200）包括至少两个层，形成在该压电电场在所述两个层之间的界面，这会导致通过该接口的电压降产生的，其中，在所述两层的界面并且以这样的方式将两层 所述两层的Spitzendotierbereich（6，13）被提供到降低电压降，其中Spitzendotierbereiches的在从至少由第一百分比值有源区增大远离的方向的掺杂，然后通过至少一个第二百分比值，其中，所述第一滴 和D 是他第二百分比是Spitzendotierbereiches的最大掺杂的大于10％。

公开(公告)号：WO2019042746A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：PCT/EP2018/071786

申请日：2018-08-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER, Matthias ,  WURM, Teresa ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01L33/14 ,  H01S5/042 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement(1)mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101).

公开(公告)号：WO2018206443A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/EP2018/061552

申请日：2018-05-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER, Matthias ,  WURM, Teresa ,  EICHLER, Christoph

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  H01S5/305 ,  H01S2301/173

Abstract: Es wird ein Halbleiterlaser (10) beschrieben, umfassend ein Substrat (1), eine auf dem Substrat (1) angeordnete Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) und eine auf der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (9), welche eine aktive Schicht (4) umfasst, wobei die aktive Schicht (4) ein Indium enthaltendes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) umfasst mit Silizium dotiertes In x Al y Ga i - x-y N mit 0 ≤ x ≤ 0,03 und 0 ≤y ≤ 0,03, wobei eine Dotierstoffkonzentration in der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) zwischen 1 * 10 19 cm -3 und 3 * 10 19 cm -3 beträgt. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) weist eine Dicke von mindestens 500 nm auf.

公开(公告)号：WO2014048687A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/068176

申请日：2013-09-03

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AVRAMESCU, Adrian Stefan ,  BRÜDERL, Georg ,  EICHLER, Christoph ,  GERHARD, Sven ,  WURM, Teresa ,  STRAUSS, Uwe

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2031 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/209 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers und einen Halbleiterlaser (1) mit einer Schichtstruktur mit aufeinander angeordneten Schichten mit wenigstens folgender Schichtenfolge: a. Eine n-dotierte Mantelschicht (10), b. Eine dritte Wellenleiterschicht (11), c. Eine aktive Zone (6), in der Licht erzeugende Strukturen angeordnet sind, d. Eine zweite Wellenleiterschicht (13), e. Eine Blockierschicht (14), f. Eine erste Wellenleiterschicht (15), g. Eine p-dotierte Mantelschicht (16), wobei die erste, zweite und dritte Wellenleiterschicht (15, 13, 11) wenigstens AlxInyGa ( 1-x-y ) N aufweist, wobei x Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei eine Summe aus x und y Werte zwischen 0 und 1 annehmen kann, wobei die Blockierschicht (14) einen Al-Gehalt aufweist, der um wenigstens 2% größer ist als der Al-Gehalt der benachbarten ersten Wellenleiterschicht (15), wobei die Blockierschicht (14) eine Zunahme von Al-Gehalt von der ersten Wellenleiterschicht (15) in Richtung zur zweiten Wellenleiterschicht (13) aufweist, wobei die Schichtstruktur eine beidseitige Abstufung (9) aufweist, wobei die beidseitige Abstufung (9) auf der Höhe der Blockierschicht (14) angeordnet ist, so dass wenigstens ein Teil der Blockierschicht (14) oder die gesamte Blockierschicht (14) eine größere Breite als die erste Wellenleiterschicht (15) aufweist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体激光器和具有布置成与至少以下层序列的连续层的层结构的半导体激光器（1）：一。 n型掺杂的包覆层（10）中，b。 第三波导层（11）中，c。 的有源区（6），在光结构产生排列，D。 第二波导层（13）中，e。 阻挡层（14）中，f。 第一波导层（15）中，g。 p掺杂包层（16），其中，所述第一，第二和第三波导层（15，13，11）具有至少AlxInyGa（1-XY）N，其中x可在0和1之间的0和之间的值，其中y值 1可以假设，其中，0和1之间的x和y值的总和可以采取，其中，所述阻挡层（14）具有的Al含量比相邻的第一波导层中的Al含量大至少2％（15） 其中，所述阻挡层（14）增加所述第二波导层（13）的方向上的第一波导层（15）的Al含量，其中所述层结构包括一个双面步骤（9），其中，所述可逆步骤（9）上的 阻挡层（14）的量被设置成使得至少所述阻挡层（14）或整个阻挡层（14）的一部分具有大于第一波导层（15）具有更大的宽度。 此外，本发明涉及一种用于制造半导体激光器的方法。