公开(公告)号：DE102018103291A1

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102018103291

申请日：2018-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUTERS BENJAMIN ,  SARIC JOHANNES ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer Strahlung. An einer Unterseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) befindet sich eine elektrisch isolierende Trennschicht (3) mit mehreren Öffnungen (32). Eine Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich neben den Öffnungen (32) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Trennschicht (3). An einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich eine durchgehende Metallisierungsschicht (5). Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in den Öffnungen (32) direkt von der Metallisierungsschicht (5) elektrisch kontaktiert. Die Metallisierungsschicht (5) sowie die Öffnungen (32) sind in Richtung senkrecht zur Trennschicht (3) von der aktiven Zone (22) beabstandet.