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    SEMICONDUCTOR LASER HAVING IMPROVED INDEX GUIDING
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR LASER HAVING IMPROVED INDEX GUIDING 审中-公开
    半导体激光器与改进的索引指南

    公开(公告)号：WO2014140035A2

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：PCT/EP2014054736

    申请日：2014-03-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED

    IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/20 ,  H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/22 ,  H01L21/3247 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/204 ,  H01S5/2045 ,  H01S5/222 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    Abstract: The invention relates to a semiconductor laser (1), comprising a main body (2). A strip (3) having a narrower width is provided on the main body (2). An active zone (4) for generating light radiation is provided. Surfaces (9, 10) of the main body (2) to the sides of the strip (3) and side surfaces (13, 14) of the strip (3) are covered with an electrically insulating protective layer (11). An electrically conductive layer (12) is provided on an upper side of the strip (3) as a contact. The semiconductor laser is characterised in that a cavity (15) is provided between a side surface (13, 14) of the strip (3) and the protective layer (11) at least in a limited section.

    Abstract translation: 本发明涉及一种半导体激光器（1）与基体（2），其特征在于，在基体（2）在宽条窄（3）设置有（4）提供了一种用于产生光辐射的有源区，所述表面 电（9，10）的条带（3）具有电绝缘性的保护层（11）的基体（2）的条带（3）表面和侧表面的侧（13，14）的覆盖，其特征在于，在条带的上侧（3） 提供导电层（12）作为触点，其特征在于，在条（3）的侧表面（13,4）和保护层（11）之间至少在有限的部分内设置空腔（15）。

    SEMICONDUCTOR STRIP LASER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR STRIP LASER AND SEMICONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    半导体带状激光器和半导体器件

    公开(公告)号：WO2015154975A2

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：PCT/EP2015056083

    申请日：2015-03-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/022

    CPC classification number: H01S5/02476 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02484 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/168 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

    Abstract: The invention relates to a semiconductor strip laser which, in at least one embodiment, comprises a first semiconductor region (11) of a first conductivity type. Furthermore, the semiconductor strip laser includes a second semiconductor region (13) of a second conductivity type. An active zone (12) for generating laser radiation is located between the semiconductor regions (11, 13). A strip waveguide (3) is formed in the second semiconductor region (13). The strip waveguide (3) is set up for one-dimensional wave guidance along a waveguide direction (L). A first electric contact (41) is located on the first semiconductor region (11), and a second electric contact (43) is located on the second semiconductor region (13). Furthermore, the semiconductor strip laser (1) includes a heat spreader (2) which, at least up to a temperature of 220° C, is dimensionally stably connected to the semiconductor regions (11, 13). The heat spreader (2) has an average thermal conductivity of at least 50 W/mK.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，半导体条形激光器包括第一导电类型的第一半导体区域（11）。 此外，半导体条形激光器包括第二导电类型的第二半导体区域（13）。 用于产生激光辐射的有源区（12）位于半导体区（11,13）之间。 在第二半导体区域（13）中形成条形波导（3）。 条形波导（3）被布置成沿波导方向（L）的一维波导。 第一电触点（41）位于第一半导体区域（11）上，第二电触点（43）位于第二半导体区域（13）上。 此外，半导体带状激光器（1）包括散热器（2），该散热器在尺寸上稳定地连接至半导体区域（11,13），至少达到220℃的温度 散热器（2）具有至少50W / mK的平均导热率。

    Optoelektronisches Halbleiterlaserbauteil
    4.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterlaserbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102014106159A1

    公开(公告)日：2015-11-05

    申请号：DE102014106159

    申请日：2014-05-02

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LELL ALFRED ,  MÜLLER JENS ,  EICHLER CHRISTOPH ,  GERHARD SVEN ,  VIERHEILIG CLEMENS

    IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterlaserbauteil (1) eine Laserdiode (2) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L). Ferner weist das Halbleiterlaserbauteil (1) ein luftdichtes Gehäuse (3) auf, in dem die Laserdiode (2) zusammen mit einem Reinhaltechip (4) angebracht ist. Der Reinhaltechip (4) ist zur Erzeugung einer Reinhaltestrahlung (C) vorgesehen. Die eine Laserdiode (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (22) auf, durch die hindurch die Laserstrahlung (L) die Laserdiode (2) verlässt. Eine Einfangfläche (44) wird zeitweise oder dauerhaft von der Reinhaltestrahlung (C) bestrahlt oder durchstrahlt. Durch diese Bestrahlung weist die Einfangfläche (44) für Wasser, Sauerstoff, Kohlenwasserstoffe und/oder Kohlenwasserstoffbruchstücke wenigstens zeitweise ein größeres Anhaftvermögen auf als die Strahlungsaustrittsfläche (22).

    Halbleiter-Streifenlaser und Halbleiterbauteil
    5.
    发明专利
    Halbleiter-Streifenlaser und Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102014105191A1

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：DE102014105191

    申请日：2014-04-11

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE

    IPC: H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst der Halbleiter-Streifenlaser einen ersten Halbleiterbereich (11) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ferner beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser einen zweiten Halbleiterbereich (13) eines zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine aktive Zone (12) zur Erzeugung einer Laserstrahlung befindet sich zwischen den Halbleiterbereichen (11, 13). Ein Streifenwellenleiter (3) ist in dem zweiten Halbleiterbereich (13) geformt. Der Streifenwellenleiter (3) ist zu einer eindimensionalen Wellenleitung entlang einer Wellenleitrichtung (L) eingerichtet. Ein erster elektrischer Kontakt (41) befindet sich an dem ersten Halbleiterbereich (11) und ein zweiter elektrischer Kontakt (43) befindet sich an dem zweiten Halbleiterbereich (13). Weiterhin beinhaltet der Halbleiter-Streifenlaser (1) einen Wärmespreizer (2), der wenigstens bis zu einer Temperatur von 220 °C formstabil mit den Halbleiterbereichen (11, 13) verbunden ist. Der Wärmespreizer (2) weist eine mittlere Wärmeleitfähigkeit von mindestens 50 W/mK auf.

    Halbleiterlaser mit einseitig verbreiterter Ridgestruktur
    6.
    发明专利
    Halbleiterlaser mit einseitig verbreiterter Ridgestruktur 未知

    公开(公告)号：DE102013220641A1

    公开(公告)日：2015-04-16

    申请号：DE102013220641

    申请日：2013-10-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  MÜLLER JENS ,  KOPP FABIAN

    IPC: H01S5/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einem Grundkörper und einer auf dem Grundkörper angeordneten Ridgestruktur, die entlang einer Längsachse über einer aktiven Zone ausgerichtet ist, wobei die Ridgestruktur eine erste Breite aufweist, und wobei die Ridgestruktur entlang der Längsachse zwei gegenüberliegende Endflächen aufweist, wobei die Ridgestruktur angrenzend an wenigstens eine Endfläche einen in Bezug auf eine Mittenachse der Ridgestruktur einseitig angeordneten Endabschnitt aufweist, so dass die Ridgestruktur angrenzend an die Endfläche einseitig verbreitert ist.

    Halbleiterlaser mit verbesserter Indexführung
    7.
    发明专利
    Halbleiterlaser mit verbesserter Indexführung 未知

    公开(公告)号：DE102013204192A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：DE102013204192

    申请日：2013-03-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER JENS ,  LELL ALFRED

    IPC: H01S5/22

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser (1) mit einem Grundkörper (2), wobei auf dem Grundkörper (2) ein in der Breite schmälerer Streifen (3) vorgesehen ist, wobei eine aktive Zone (4) zum Erzeugen von Lichtstrahlung vorgesehen ist, wobei Oberflächen (9, 10) des Grundkörpers (2) seitlich des Streifens (3) und Seitenflächen (13, 14) des Streifens (3) mit einer elektrisch isolierenden Schutzschicht (11) abgedeckt sind, wobei auf einer Oberseite des Streifens (3) eine elektrisch leitende Schicht (12) als Kontakt vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen einer Seitenfläche (13, 14) des Streifens (3) und der Schutzschicht (11) wenigstens in einem begrenzten Abschnitt ein Hohlraum (15) vorgesehen ist.

    Halbleiterstreifenlaser
    8.
    发明专利
    Halbleiterstreifenlaser 未知

    公开(公告)号：DE102012111512A1

    公开(公告)日：2014-05-28

    申请号：DE102012111512

    申请日：2012-11-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： AVRAMESCU ADRIAN STEFAN ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  MÜLLER JENS

    IPC: H01S5/22 ,  H01S5/02

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der Halbleiterstreifenlaser (1) einen ersten Halbleiterbereich (11) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp und einen zweiten Halbleiterbereich (13) mit einem anderen, zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Zwischen den Halbleiterbereichen (11, 13) ist eine aktive Zone (12) zur Erzeugung einer Laserstrahlung angeordnet. Ein Streifenwellenleiter (3) ist in dem zweiten Halbleiterbereich (13) geformt und zu einer eindimensionalen Wellenleitung sowie für eine Stromdichte von mindestens 0,5 kA/cm2 eingerichtet. An dem zweiten Halbleiterbereich (13) und an einer elektrischen Kontaktstruktur (44) zur externen elektrischen Kontaktierung befindet sich ein zweiter elektrischer Kontakt (43). Eine elektrische Passivierungsschicht (5) ist stellenweise an dem Streifenwellenleiter (3) angebracht. Zwischen dem zweiten elektrischen Kontakt (43) und der aktiven Zone (12) und/oder an dem Streifenwellenleiter (3) befindet sich eine thermische Isoliervorrichtung (2).

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS
    10.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 未知

    公开(公告)号：DE102018103291A1

    公开(公告)日：2019-08-14

    申请号：DE102018103291

    申请日：2018-02-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： REUTERS BENJAMIN ,  SARIC JOHANNES ,  MÜLLER JENS

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer Strahlung. An einer Unterseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) befindet sich eine elektrisch isolierende Trennschicht (3) mit mehreren Öffnungen (32). Eine Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich neben den Öffnungen (32) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Trennschicht (3). An einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich eine durchgehende Metallisierungsschicht (5). Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in den Öffnungen (32) direkt von der Metallisierungsschicht (5) elektrisch kontaktiert. Die Metallisierungsschicht (5) sowie die Öffnungen (32) sind in Richtung senkrecht zur Trennschicht (3) von der aktiven Zone (22) beabstandet.

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