公开(公告)号：DE102018103291A1

公开(公告)日：2019-08-14

申请号：DE102018103291

申请日：2018-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： REUTERS BENJAMIN ,  SARIC JOHANNES ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/46

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung einer Strahlung. An einer Unterseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) befindet sich eine elektrisch isolierende Trennschicht (3) mit mehreren Öffnungen (32). Eine Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich neben den Öffnungen (32) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Trennschicht (3). An einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Haftvermittlungsschicht (4) befindet sich eine durchgehende Metallisierungsschicht (5). Die Halbleiterschichtenfolge (2) ist in den Öffnungen (32) direkt von der Metallisierungsschicht (5) elektrisch kontaktiert. Die Metallisierungsschicht (5) sowie die Öffnungen (32) sind in Richtung senkrecht zur Trennschicht (3) von der aktiven Zone (22) beabstandet.

公开(公告)号：DE102018107673A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018107673

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PICKEL SEBASTIAN ,  SARIC JOHANNES ,  SCHMID WOLFGANG ,  STROZECKA-ASSIG ANNA ,  BAUR JOHANNES

IPC: H01L33/46 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08 ,  H01L33/30 ,  H01L33/38

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung einer Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) basiert auf AlInGaP und/oder auf AlInGaAs. Ein Metallspiegel (3) für die Strahlung befindet sich an einer einer Lichtauskoppelseite (10) gegenüberliegenden Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Schutzmetallisierung (6) ist direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite des Metallspiegels (3) angebracht. Eine Haftvermittlungsschicht (7) befindet sich direkt an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) zugewandten Seite des Metallspiegels (3). Die Haftvermittlungsschicht (7) ist eine Verkapselungsschicht für den Metallspiegel (3), sodass der Metallspiegel (3) zumindest an einem äußeren Rand von der Haftvermittlungsschicht (7) zusammen mit der Schutzmetallisierung (6) verkapselt ist.

公开(公告)号：DE102018107667A1

公开(公告)日：2019-09-19

申请号：DE102018107667

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STROZECKA-ASSIG ANNA ,  SARIC JOHANNES

IPC: H01L33/46 ,  G02B1/00 ,  G02B5/08

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (23) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität L. Ein Spiegel (3) umfasst eine Deckschicht (31). Die Deckschicht (31) ist aus einem für die Strahlung durchlässigen Material und weist eine optische Dicke zwischen einschließlich 0,5 L und 3 L auf. Der Deckschicht (31) folgen in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) zwischen einschließlich zwei und zehn Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) des Spiegels (3) nach. Die Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) weisen abwechseln hohe und niedrige Brechungsindizes auf. Eine optische Dicke von zumindest einer der Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) ist ungleich L/4. Den Zwischenschichten (32, 33, 34, 35) folgt in Richtung weg von der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest eine Metallschicht (39) des Spiegels (3) als Reflexionsschicht nach.