公开(公告)号：DE102012217633A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：DE102012217633

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SPECHT HOLGER ,  BERGBAUER WERNER ,  HIRAI ASAKO ,  SCHMID ULRICH ,  KRAGLER KARL

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/62 ,  G01N21/95 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils auf Risse (305, 307, 309, 507, 601), wobei das optoelektronische Bauteil ein Substrat (301, 801) und eine auf dem Substrat (301, 801) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (803) umfasst, umfassend die folgenden Schritte: – Messen eines ortsaufgelösten Intensitätsverlaufs von elektromagnetischer Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge (803) durch zumindest eine Teilfläche einer dem Substrat (301, 801) abgewandten Oberfläche (811) der Halbleiterschichtenfolge (803) emittiert wird, – Analysieren des Intensitätsverlaufs auf Extrema vom gleichen Typ, die eine zusammenhängende Struktur bilden, – wobei eine detektierte Struktur als ein Riss klassifiziert wird, wenn die detektierte Struktur ein geometrisches Merkmal aufweist, das einem vorbestimmten Geometrieparameter entspricht. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils. Die Erfindung betrifft ferner ein Computerprogramm.