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公开(公告)号：DE102019115817B4
公开(公告)日：2025-05-15
申请号：DE102019115817
申请日：2019-06-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BINDER MICHAEL , SPECHT HOLGER , TAUER MAXIMILIAN
Abstract: Verfahren zum Betreiben einer Leuchtdiodenanordnung (1) mit zumindest einer Leuchtdiode (2) mit den Schritten:a) Bestimmung von zumindest einem aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaar;b) Abgleichen des aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaars mit einem ursprünglichen Strom-Spannungs-Wertepaar; undc) Ermitteln einer aktualisierten Bestromung anhand des Abgleichs und Ansteuern der Leuchtdiode mit der aktualisierten Bestromung; wobei anhand einer Abweichung zwischen dem aktuellen Strom-Spannungs-Wertepaar und dem ursprünglichen Strom-Spannungs-Wertepaar eine aktualisierte Effizienz der Leuchtdiode für verschiedene Dimmstufen ermittelt wird, wobei für die Ermittlung der aktualisierten Effizienz der Leuchtdiode ein Ersatzschaltbild (5) zugrunde gelegt wird, bei dem eine ideale strahlende Diode (DR) von einer parasitären nichtstrahlenden Diode (DNR) mit einem Vorwiderstand (RP) überbrückt ist.
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公开(公告)号：DE102018112255A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：DE102018112255
申请日：2018-05-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , MOLNAR ATTILA
Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (1) umfassend ein Aufwachssubstrat (20), einen Halbleiterschichtenstapel (30) mit einem aktiven Bereich (31), einem halbleitenden Bereich erster Art (32) und einem halbleitenden Bereich zweiter Art (33) und eine Abstrahlfläche (1a), bei dem- der Halbleiterschichtenstapel (30) mit dem halbleitenden Bereich erster Art (32) an einer ersten Hauptfläche (20a) des Aufwachssubstrats (20) angeordnet ist,- der Halbleiterchip (1) dazu eingerichtet ist im aktiven Bereich (31) elektromagnetische Strahlung (L) zu erzeugen und durch die Abstrahlfläche (1a) zu emittieren, wobei- die Abstrahlfläche (1a) eine Extraktionsverstärkungsfläche (11) aufweist,- im Bereich der Extraktionsverstärkungsfläche (11) die erste Hauptfläche (20a) frei von dem Halbleiterschichtenstapel (30) ist, oder- im Bereich der Extraktionsverstärkungsfläche (11) eine von der ersten Hauptfläche (20a) abgewandte Seite des halbleitenden Bereichs erster Art (32) frei von dem halbleitenden Bereich zweiter Art (33) und dem aktiven Bereich (31) ist.
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3.发明专利
公开(公告)号：DE112017003878A5
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：DE112017003878
申请日：2017-07-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , ZEISEL ROLAND , VOGL ANTON , EBBECKE JENS
IPC: G01R31/311
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公开(公告)号：DE102013113106A1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：DE102013113106
申请日：2013-11-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , SPECHT HOLGER
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform weist der Strahlung emittierende Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (20) zur Erzeugung einer Strahlung auf. Eine für die Strahlung durchlässige Stromaufweitungsschicht (3) befindet sich an einer Strahlungsaustrittsseite (25) der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine Isolierschicht (4) befindet sich zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3). Ein Spiegel (5) für die Strahlung ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und der Stromaufweitungsschicht (3) angebracht. Eine metallische, elektrische Kontaktstruktur (6) befindet sich an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3). Die Stromaufweitungsschicht (3) überdeckt dabei den Spiegel (5) und die Isolierschicht (4) vollständig.
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公开(公告)号：DE102012215092B4
公开(公告)日：2025-02-27
申请号：DE102012215092
申请日：2012-08-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , LINKOV ALEXANDER , KÖLPER CHRISTOPHER , KATZ SIMEON
Abstract: Verfahren zum Messen einer von einer Mehrzahl von Leuchtdioden (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300), wobei die Lichtstrahlung (300) von den auf einem Träger (200) nebeneinander angeordneten Leuchtdioden (210) gruppenweise gemessen wird, wobei zu vermessende Gruppen (220) aus den Leuchtdioden (210) jeweils in einer vorgegebenen Messposition gemessen werden, und wobei bei jeder zu vermessenden Gruppe (220) die zugehörigen Leuchtdioden (210) nacheinander die Lichtstrahlung (300) abgeben, wobei ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) der zu vermessenden Gruppe (220) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt wird, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird, wobei die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form abgegeben wird, wobei die optische Einrichtung (140) eine Streuscheibe aufweist, wobei die Leuchtdioden (210) der einzelnen Gruppen (220) von einer zum Aktivieren der Leuchtdioden (210) verwendeten Aktivierungseinrichtung (110) kontaktiert werden, welche die Leuchtdioden (210) einer Gruppe (220) aufeinanderfolgend aktiviert, wobei die Aktivierungseinrichtung (110) eine an einer Halterung befestigte Anordnung aus Messnadeln (111) umfasst, über die die Leuchtdioden (210) an einer Vorderseite kontaktiert werden, wobei sich die Messnadeln (111) von der Seite her zu den betreffenden Leuchtdioden (210) erstrecken.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102012217633A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：DE102012217633
申请日：2012-09-27
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , BERGBAUER WERNER , HIRAI ASAKO , SCHMID ULRICH , KRAGLER KARL
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils auf Risse (305, 307, 309, 507, 601), wobei das optoelektronische Bauteil ein Substrat (301, 801) und eine auf dem Substrat (301, 801) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (803) umfasst, umfassend die folgenden Schritte: – Messen eines ortsaufgelösten Intensitätsverlaufs von elektromagnetischer Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge (803) durch zumindest eine Teilfläche einer dem Substrat (301, 801) abgewandten Oberfläche (811) der Halbleiterschichtenfolge (803) emittiert wird, – Analysieren des Intensitätsverlaufs auf Extrema vom gleichen Typ, die eine zusammenhängende Struktur bilden, – wobei eine detektierte Struktur als ein Riss klassifiziert wird, wenn die detektierte Struktur ein geometrisches Merkmal aufweist, das einem vorbestimmten Geometrieparameter entspricht. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils. Die Erfindung betrifft ferner ein Computerprogramm.
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公开(公告)号：WO2014029852A3
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：PCT/EP2013067479
申请日：2013-08-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , SPECHT HOLGER , LINKOV ALEXANDER , KÖLPER CHRISTOPHER
CPC classification number: G01J1/0425 , G01J1/0474 , G01J1/42 , G01J2001/4252 , G01M11/30
Abstract: The invention relates to a method for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210). In the method, an end (121) of an optical fiber (120), which optical fiber is connected to a measuring apparatus (130), is irradiated with the light radiation (300) emitted by the light-emitting diode (210) through an optical apparatus (140), such that part of the light radiation (300) is coupled into the optical fiber (120) and conducted to the measuring apparatus (130). The optical apparatus (140) causes the light radiation (300) passing through the optical apparatus (140) to be emitted in diffuse form in the direction of the end (121) of the optical fiber (130). The invention further relates to a device (100) for measuring light radiation (300) emitted by a light-emitting diode (210).
Abstract translation: 本发明涉及一种用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。 在该方法中的光纤（120），这是通过光学装置连接到测量设备（130）的端部（121）（140）穿过其中与发射的发光二极管（210）的光辐射（300）的被照射，使 的光辐射（300）到所述光纤（120）和测量装置（130）的耦合部分中被引导。 导致的是，在所述光纤（130）的端部（121）的方向上扩散器形式的光学装置（140）是通过使光的辐射（300）分配的光学设备（140）。 本发明还涉及一种设备（100），用于测量发出的光的发光二极管（210）的光辐射（300）中的一个。
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102016114459A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：DE102016114459
申请日：2016-08-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , ZEISEL ROLAND , VOGL ANTON , EBBECKE JENS
IPC: G01R31/26 , G01R31/28 , G01R31/308 , H01L21/66
Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Vermessung einer Vielzahl an Halbleiterchips (10) in einem Waferverbund (100) angegeben. Bei dem Verfahren wird der Waferverbund auf einem elektrisch leitfähigen Träger (400) angeordnet, so dass jeweils ein Rückkontakt (101) der Halbleiterchips durch den Träger kontaktiert wird. Eine Kontaktstruktur (200), die ein Kontaktelement und/oder eine Vielzahl an strahlungsemittierenden Messhalbleiterchips (20) umfasst, wird auf einer dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet. Schließlich wird eine Spannung zwischen der Kontaktstruktur und dem Träger angelegt und eine Vermessung der Halbleiterchips abhängig von einem Leuchtbild durchgeführt, welches durch emittierte Strahlung generiert wird, die durch Fluoreszenz bei Beleuchtung der Halbleiterchips oder durch einen strahlungsemittierenden Betrieb der Messhalbleiterchips beim Anlegen der Spannung gleichzeitig hervorgerufen wird. Das Leuchtbild weist eine Vielzahl an Leuchtpunkten auf, wobei jeder Leuchtpunkt genau einem der Halbleiterchips eindeutig zugeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102013105227A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：DE102013105227
申请日：2013-05-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KATZ SIMEON , SPECHT HOLGER
IPC: H01L21/66 , G01B11/30 , H01L21/302 , H01L33/00
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterchips (10) eingerichtet. Das Verfahren umfasst die Schritte: – Bereitstellen eines Substrats (1), – Aufbringen einer epitaktisch erzeugten Halbleiterschichtenfolge (2) auf das Substrat (1), wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) eine aktive Schicht (22) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung umfasst, – Erzeugen einer Aufrauung (3) an einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), – zumindest zeitweises Belichten der Halbleiterschichtenfolge (2) während des Erzeugens der Aufrauung mit einer Teststrahlung (T), die von mindestens einer externen Lichtquelle (4) erzeugt wird, – Auswerten einer von der Halbleiterschichtenfolge (2) kommenden Rückstrahlung (B), die auf die Teststrahlung (T) zurückgeht, und – nachfolgend Zerteilen der Halbleiterschichtenfolge (2) in eine Vielzahl der Halbleiterchips (10), wobei das Erzeugen der Aufrauung anhand des Auswerten der Teststrahlung (T) gesteuert wird.
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公开(公告)号：DE102012215092A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：DE102012215092
申请日：2012-08-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPECHT HOLGER , LINKOV ALEXANDER , KOELPER CHRISTOPHER , KATZ SIMEON
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300). Bei dem Verfahren wird ein Ende (121) einer Lichtleitfaser (120), welche mit einer Messeinrichtung (130) verbunden ist, durch eine optische Einrichtung (140) hindurch mit der von der Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300) bestrahlt, so dass ein Teil der Lichtstrahlung (300) in die Lichtleitfaser (120) eingekoppelt und zu der Messeinrichtung (130) geführt wird. Die optische Einrichtung (140) bewirkt, dass die die optische Einrichtung (140) durchtretende Lichtstrahlung (300) in diffuser Form in Richtung des Endes (121) der Lichtleitfaser (130) abgegeben wird. Die Erfindung betrifft des Weiteren eine Vorrichtung (100) zum Messen einer von einer Leuchtdiode (210) abgegebenen Lichtstrahlung (300).
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