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    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
    2.
    发明申请
    OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
    光电子半导体芯片及其制造方法

    公开(公告)号：WO2012052257A3

    公开(公告)日：2012-11-15

    申请号：PCT/EP2011066687

    申请日：2011-09-26

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  RODE PATRICK ,  STRASSBURG MARTIN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

    Abstract: The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10) comprising a stack of semiconductor layers (1) consisting of a nitride compound semiconductor material on a carrier substrate (2), said carrier substrate having a surface (2a) containing silicon. The stack (1) of semiconductor layers comprises a recess (3) that extends from a rear side (1e) of the stack (1) of semiconductor layers, through an active layer (1a), to a layer (1b) of a first type of conductivity. The layer (1b) of the first type of conductivity is electrically connected via the recess (3) by means of a first electrical connection layer (4) that covers the rear side (1e) at least in parts. A layer (1c) of a second type of conductivity is electrically connected by means of a second electrical connection layer (5) arranged on the rear side (1e). The invention also relates to a method for producing such a semiconductor chip (10).

    Abstract translation: 提供一种光电子半导体芯片（10），其具有在载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料制成的半导体层叠层（1），其中载体衬底（2）具有包含硅的表面（2a）。 半导体层堆叠（1）具有从半导体层堆叠（1）的后侧（1e）穿过有源层（1a）延伸到第一导电类型的层（1b）的凹槽（3）。 第一导电类型的层（1b）借助于第一电连接层（4）通过凹部（3）电连接，该第一电连接层（4）至少局部覆盖后侧（1e）。 第二导电类型的层（1c）通过布置在后侧（1e）上的第二电连接层（5）电连接。 此外，给出了用于制造这种半导体芯片（10）的方法。

    Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
    3.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE112014000633B4

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：DE112014000633

    申请日：2014-01-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  DRECHSEL PHILIPP ,  STAUSS PETER ,  RODE PATRICK

    IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32

    Abstract: Halbleiterschichtenfolge (100) umfassend eine erste nitridische Verbindungshalbleiterschicht (1), eine zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2), und eine zwischen der ersten (1) und zweiten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (2) angeordnete Zwischenschicht (10),- wobei beginnend mit der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (1) die Zwischenschicht (10) und die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) in einer Wachstumsrichtung (Z) der Halbleiterschichtenfolge (100) nachfolgend angeordnet sind,- wobei die Zwischenschicht (10) zumindest stellenweise eine von der ersten nitridischen Verbindungshalbleiterschicht (1) verschiedene Gitterkonstante aufweist,- wobei die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) zu der Zwischenschicht (10) zumindest stellenweise gitterangepasst ist, und- wobei die Zwischenschicht (10) Mikrorisse (11) umfasst und in den Mikrorissen (11) die zweite nitridische Verbindungshalbleiterschicht (2) zumindest stellenweise vorhanden ist.

    Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102018101558A1

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：DE102018101558

    申请日：2018-01-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： DRECHSEL PHILIPP ,  BERGBAUER WERNER ,  LEHNHARDT THOMAS ,  OFF JÜRGEN ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/12 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L33/32

    Abstract: Es wird eine Verfahren zur Herstellung eines Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, mit den Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1),- Aufwachsen einer Nukleationsschicht (2) aus einem Aluminium enthaltenden Nitrid-Verbindungshalbleiter auf das Aufwachssubstrat (1),- Aufwachsen einer Verspannungsschichtstruktur (10) zur Erzeugung einer kompressiven Spannung, wobei die Verspannungsschichtstruktur (10) mindestens eine erste GaN-Halbleiterschicht (4) und eine zweite GaN-Halbleiterschicht (7) umfasst, und wobei zwischen der ersten GaN-Halbleiterschicht (4) und der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine Al(Ga)N-Zwischenschicht (5) zur Erzeugung der kompressiven Spannung angeordnet ist, und- Aufwachsen einer funktionellen Halbleiterschichtenfolge (14) des Nitrid-Verbindungshalbleiter-Bauelements auf die Verspannungsschichtstruktur (10),wobei- vor dem Aufwachsen der zweiten GaN-Halbleiterschicht (7) eine 3D-AlGaN-Schicht (6) auf der Al(Ga)N Zwischenschicht (5) derart aufgewachsen wird, dass sie nicht-planare Strukturen aufweist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    6.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102016113274A1

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：DE102016113274

    申请日：2016-07-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/40 ,  H01L29/45

    Abstract: In einer Ausführungsform weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2, 4, 5) aus AlInGaN auf. Die Halbleiterschichtenfolge beinhaltet einen n-leitenden n-Bereich (2), einen p-leitenden p-Bereich (5) und eine dazwischenliegende aktive Zone (4) mit mindestens einem Quantentrog zur Erzeugung einer Strahlung. Der p-Bereich (5) umfasst eine Elektronenbarriereschicht (56), eine Kontaktschicht (58) und eine dazwischenliegende Zersetzungsstoppschicht (50). Die Kontaktschicht (58) grenzt direkt an eine Kontaktmetallisierung (8), insbesondere eine Anode, des Halbleiterchips (1). In der Zersetzungsstoppschicht (50) liegt stellenweise ein Aluminiumgehalt (C) von mindestens 5 % und höchstens 30 % vor. Der Aluminiumgehalt (C) ist in der Zersetzungsstoppschicht (50) variiert.

    Halbleiterschichtenfolge
    7.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102016112294A1

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：DE102016112294

    申请日：2016-07-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER

    IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) einen n-leitenden n-Bereich (2) und einen p-leitenden p-Bereich (5) sowie eine dazwischenliegende aktive Zone (4). Die aktive Zone (4) beinhaltet mindestens einen Quantentopf (41) und ist dazu eingerichtet, eine Strahlung zu erzeugen. Die Halbleiterschichtenfolge (1) ist aus dem Materialsystem AlInGaN und der n-Bereich (2) umfasst ein Übergitter (20). Das Übergitter (20) weist eine sich mindestens dreimal wiederholende Struktureinheit (25) auf. Dabei ist die Struktureinheit (25) aus mindestens einer AlGaN-Schicht (21), mindestens einer GaN-Schicht (22, 24) und mindestens einer InGaN-Schicht (23) gebildet. Eine Dicke der Struktureinheit (25) liegt zwischen einschließlich 2 nm und 15 nm.

    Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102014106505A1

    公开(公告)日：2015-11-12

    申请号：DE102014106505

    申请日：2014-05-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  BERGBAUER WERNER

    IPC: H01L33/32 ,  H01L21/20 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge angegeben, das die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (50) mit einer Aufwachsfläche (51) an einer Aufwachsseite (50a), – Aufwachsen einer ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) an der Aufwachsseite, – Aufwachsen einer zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) auf die erste nitridische Halbleiterschicht (10), wobei die zweite nitridische Halbleiterschicht (20) zumindest eine Öffnung (21) aufweist oder zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) erzeugt wird oder während des Aufwachsens zumindest eine Öffnung (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20) entsteht, – Entfernen zumindest eines Teils der ersten nitridischen Halbleiterschicht (10) durch die Öffnungen (21) in der zweiten nitridischen Halbleiterschicht (20), – Aufwachsen einer dritten nitridischen Halbleiterschicht (30) auf die zweite nitridische Halbleiterschicht (20), wobei die dritte nitridische Halbleiterschicht (30) die Öffnungen (21) zumindest stellenweise überdeckt, derart, dass zwischen dem Aufwachssubstrat (50) und den nachfolgenden Halbleiterschichten (10, 20, 30) Kavitäten vorhanden sind, die frei von einem Halbleitermaterial sind, – Ablösen des Aufwachssubstrats (50).

    Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils auf Risse
    9.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils auf Risse 未知

    公开(公告)号：DE102012217633A1

    公开(公告)日：2014-03-27

    申请号：DE102012217633

    申请日：2012-09-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SPECHT HOLGER ,  BERGBAUER WERNER ,  HIRAI ASAKO ,  SCHMID ULRICH ,  KRAGLER KARL

    IPC: H01L21/66 ,  G01N21/62 ,  G01N21/95 ,  H01L21/20 ,  H01L33/02

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils auf Risse (305, 307, 309, 507, 601), wobei das optoelektronische Bauteil ein Substrat (301, 801) und eine auf dem Substrat (301, 801) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (803) umfasst, umfassend die folgenden Schritte: – Messen eines ortsaufgelösten Intensitätsverlaufs von elektromagnetischer Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge (803) durch zumindest eine Teilfläche einer dem Substrat (301, 801) abgewandten Oberfläche (811) der Halbleiterschichtenfolge (803) emittiert wird, – Analysieren des Intensitätsverlaufs auf Extrema vom gleichen Typ, die eine zusammenhängende Struktur bilden, – wobei eine detektierte Struktur als ein Riss klassifiziert wird, wenn die detektierte Struktur ein geometrisches Merkmal aufweist, das einem vorbestimmten Geometrieparameter entspricht. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Überprüfung eines optoelektronischen Bauteils. Die Erfindung betrifft ferner ein Computerprogramm.

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