公开(公告)号：DE102010028407A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：DE102010028407

申请日：2010-04-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PREUS STEPHAN ,  BRUNNER HERBERT ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  SCHOELL HANSJOERG ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen des optoelektronischen Bauelements weisen einen optoelektronischen Halbleiterchip (104) auf, der eine Kontaktseite (106) und eine der Kontaktseite (106) gegenüberliegende Strahlungsauskopplungsseite (108) aufweist. Das optoelektronische Bauelement weist einen Chipträger (102) auf, auf den der Halbleiterchip (104) über seine Kontaktseite (106) aufgebracht ist. Auf der Strahlungsauskopplungsseite (108) ist ein Strahlungskonversionselement (110) aufgebracht. Auf dem Chipträger (102) ist zudem eine Vergussmasse (112) aufgebracht, die den Halbleiterchip (104) und das Strahlungskonversionselement (108) seitlich umschließt. Die Vergussmasse (112) ist eine reflektierende Vergussmasse (112). Sie schließt im Wesentlichen bündig an eine Oberkante des Strahlungskonversionselements (110) an, so dass eine Oberseite des Strahlungskonversionselements (110) frei von der Vergussmasse (112) ist.