公开(公告)号：KR20180006515A

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR20187001042

申请日：2011-07-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JEREBIC SIMON ,  HEINEMANN ERIK ,  GAERTNER CHRISTIAN ,  MARKYTAN ALES

IPC: H01L33/46 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/44 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0025

Abstract: 본발명은적어도하나의광전자반도체칩(2)을구비하고, 그리고상기반도체칩(2)이그 위에배치되어있는연결면(53)을갖는연결캐리어(5)를구비하는반도체소자(1)와관련이있다. 상기연결캐리어(5) 상에는반사기층(4) 및제한구조물(3)이형성되어있으며, 이경우상기제한구조물(3)은상기반도체칩(2)을가로방향으로적어도국부적으로둘러싸고, 상기반사기층(4)은상기반도체칩(2)의한 측면(21)과상기제한구조물(3) 사이에서가로방향으로적어도국부적으로뻗는다. 본발명은또한반도체소자를제조하기위한방법과도관련이있다.

Abstract translation: 半导体元件包括至少一个光电子半导体芯片和具有其上设置有半导体芯片的连接表面的连接载体。 在连接载体上形成反射涂层和限制结构。 该限制结构在横向方向上至少部分地包围半导体芯片，并且反射涂层至少部分地在半导体芯片的侧表面与限制结构之间的横向方向上延伸。

公开(公告)号：WO2015055646A3

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/EP2014072007

申请日：2014-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  GELTL TOBIAS

IPC: H01L33/54

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L22/26 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention relates to a method for the production of an optoelectronic component. In said method, a number of optoelectronic semiconductor chips are arranged on a carrier. Further provision is made for a common compression of separate moulding compounds in the region of the optoelectronic semiconductor chips, allowing separate moulded bodies to be formed in the region of the optoelectronic semiconductor chips.

Abstract translation: 制造光电子器件，本发明涉及一种方法，用于制造光电子组件。 在该方法中，多个光电子半导体芯片被布置在载体上。 还提供了在光电子半导体芯片的分开的字段模塑组合物的一个共同的压缩，所述光电子半导体芯片的区域中形成单独的模制品。

公开(公告)号：DE112017004383A5

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：DE112017004383

申请日：2017-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEISEN DANIEL ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/62 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/52

公开(公告)号：DE102014114613A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：DE102014114613

申请日：2014-10-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  JEREBIC SIMON ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  PERZLMAIER KORBINIAN

IPC: H01L33/20 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet, angegeben. Die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) ist auf einem transparenten Träger (4) aufgebracht, wobei der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und die Seitenflanke (10) eine Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterchips sowie ein Bauelement mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben.

公开(公告)号：DE102011003969A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102011003969

申请日：2011-02-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/56 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist ein Substrat (102) und eine lichtdurchlässige Abdeckung (106) auf. Auf dem Substrat (102) ist ein Halbleiterchip (104) angeordnet. Die lichtdurchlässige Abdeckung (106) überdeckt zumindest die vom Substrat (102) abgewandte Fläche des Halbleiterchips (104). Die lichtdurchlässige Abdeckung (106) weist eine größere Härte als Silikon auf.

公开(公告)号：WO2014060355A3

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/EP2013071428

申请日：2013-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRANDL MARTIN ,  BOSS MARKUS ,  PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  BRUNNER HERBERT ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method for producing a multiplicity of optoelectronic semiconductor components is specified, comprising the following steps: - providing an auxiliary carrier (1), - applying a multiplicity of arrangements (20) of electrically conductive first contact elements (21) and second contact elements (22) on the auxiliary carrier (1), - applying an optoelectronic semiconductor chip (3) in each case on the second contact element (22) of each arrangement (20), - electrically conductively connecting the optoelectronic semiconductor chips (3) to the first contact elements (21) of the relevant arrangement (20), - encapsulating the first contact elements (21) and the second contact elements (22) with an encapsulation material (4), and - singulating into a multiplicity of optoelectronic semiconductor components, wherein - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (21b) of each first contact element (21), said underside facing the auxiliary carrier (1), and - the encapsulation material (4) terminates flush with the underside (22b) of each second contact element (22), said underside facing the auxiliary carrier (1).

Abstract translation: 提供了一种方法，用于生产包括以下步骤光电子半导体器件的多重性：• - 提供辅助载体（1），• - 将导电的第一接触元件（21）和第二接触元件的多个阵列的（20）（22） 在辅助支架（1），• - 将在每种情况下一个光电半导体的每个组件（20）的第二接触元件（22）上芯片（3），• - 光电子半导体芯片的导电连接（3）与相应的第一接触元件（21） 组件（20），• - 涂覆第一接触元件（21）和所述第二接触元件（22）的包装材料（4），以及• - 分离成多个光电半导体部件的方法，其中• - 所述包装材料（4）与冲洗 面向底部的辅助载体（1）（21B）的每个第一接触元件（21）关闭，并且• - 订单 hüllungsmaterial（4）与所述辅助载体（1）齐平面对底部（22b）的每一个第二接触元件（22）关闭。

公开(公告)号：WO2012107263A3

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012050776

申请日：2012-01-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  GEBUHR TOBIAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/483 ,  H01L33/505 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: An optoelectronic component (100) comprises a substrate (102) and a transparent cover (106) in which a cavity (108) is formed. A semiconductor (104) is mounted on the substrate (102). The transparent cover (106) covers at least the surface of the semiconductor chip (104) facing away from the substrate (102). The transparent cover (106) has a hardness greater than that of silicone.

Abstract translation: 光电子器件（100）包括衬底（102）和在所述腔（108）的光透过的盖（106）形成。 在该基板（102），半导体芯片（104）被布置。 透光盖（106）覆盖所述半导体芯片（104）中的至少面向远离所述基板（102）表面。 透光盖（106）具有比硅更大的硬度。

公开(公告)号：DE112014004745A5

公开(公告)日：2016-10-27

申请号：DE112014004745

申请日：2014-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PINDL MARKUS ,  JEREBIC SIMON ,  GELTL TOBIAS

IPC: H01L33/52 ,  H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE112014001282A5

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：DE112014001282

申请日：2014-02-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： JEREBIC SIMON ,  PINDL MARKUS

IPC: H01L33/50

公开(公告)号：DE102013111503A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111503

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KÄMPF MATHIAS ,  NEUDECKER INGO ,  SPATH GÜNTER ,  HUBER MICHAEL ,  JEREBIC SIMON

IPC: H01L33/48 ,  H01L21/301

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Träger (2) und einem Halbleiterkörper (1) aufweisend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) angegeben, bei dem der Träger (2) eine dem Halbleiterkörper zugewandte erste Hauptfläche (2A), eine dem Halbleiterkörper abgewandte zweite Hauptfläche (2B) und eine zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche angeordnete Seitenflanke (2C) aufweist. Der Träger (2) weist einen strukturierten Bereich (21, 22, 23, 2C) zur Vergrößerung einer Gesamtoberfläche der Seitenflanke auf, wobei der strukturierte Bereich Vereinzelungsspuren aufweist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.