公开(公告)号：WO2014184136A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/059643

申请日：2014-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL, Peter ,  ILLEK, Stefan ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 1010) umfasst eine Halbleiter-Schichtstruktur (100, 1100) die eine erste leuchtaktive Schicht (140) und eine zweite leuchtaktive Schicht (240) aufweist. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht (140) und der zweiten leuchtaktiven Schicht (240) ist ein erster Tunnelübergang (200) ausgebildet. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht (140) und dem ersten Tunnelübergang (200) ist ein erster Bragg-Spiegel (160) ausgebildet. Zwischen der zweiten leuchtaktiven Schicht (240) und dem ersten Tunnelübergang (200) ist ein zweiter Bragg-Spiegel (260) ausgebildet.

Abstract translation: 的光电元件（10，1010）包括具有第一发光有源层（140）和第二发光有源层（240）的半导体层结构（100，1100）。 第一发光有源层（140）和所述第二发光有源层（240）之间的是第一隧道结（200）形成。 第一发光有源层（140）和所述第一隧道结（200）之间的是第一布拉格反射镜（160）被形成。 第二发光有源层（240）和所述第一隧道结（200）之间的是第二布拉格反射器（260）被形成。

公开(公告)号：WO2011144199A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/DE2011/001025

申请日：2011-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER, Werner ,  HÖPPEL, Lutz ,  DRECHSEL, Philipp ,  KÖLPER, Christopher ,  STRASSBURG, Martin ,  RODE, Patrick

Inventor： BERGBAUER, Werner ,  HÖPPEL, Lutz ,  DRECHSEL, Philipp ,  KÖLPER, Christopher ,  STRASSBURG, Martin ,  RODE, Patrick

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L31/02 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  Y02E10/50

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) auf, die zur Erzeugung oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Im Halbleiterschichtenstapel (2) und/oder auf der Strahlungsaustrittsfläche oder Strahlungseintrittsfläche (3) ist eine Mehrzahl von Nanostrukturen (4) angeordnet, die zumindest teilweise zumindest eine Substruktur (41, 42) aufweisen. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 提供了一种具有一半导体层堆叠（2）和辐射出射面或辐射入射表面（3）的光电子半导体芯片（10）。 半导体层堆叠（2）具有的活性层（2a）中，其适用于生成或接收的电磁辐射。 在半导体层堆叠（2）和/或在辐射出射面或辐射入射面（3）包括多个纳米结构（4）被布置为至少部分的至少一个子结构（41,42）。 此外，被指定用于制造这样的光电子半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：WO2009015645A2

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：PCT/DE2008/001225

申请日：2008-07-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  AHLSTEDT, Magnus ,  BADER, Stefan ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  STRASSBURG, Martin ,  ZEHNDER, Ulrich

Inventor： AHLSTEDT, Magnus ,  BADER, Stefan ,  BAUR, Johannes ,  SABATHIL, Matthias ,  STRASSBURG, Martin ,  ZEHNDER, Ulrich

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46

Abstract: Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).

Abstract translation:

包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4） 和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括 元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银 设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和 中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

公开(公告)号：WO2016120262A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/EP2016/051553

申请日：2016-01-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MÖNCH, Wolfgang ,  GÖÖTZ, Britta ,  SINGER, Frank ,  STRASSBURG, Martin ,  SCHIMPKE, Tilmann

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/46 ,  H01L33/48 ,  G02F2/02

CPC classification number: H01L33/502 ,  G02F1/13362 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0083 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem Halbleiterchip (2), der einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich aufweist, angegeben, wobei - dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist; - das Strahlungskonversionselement eine Mehrzahl von Konversionskörpern (4) mit jeweils einer Symmetrieachse (40) aufweist; - eine räumliche Ausrichtung der Symmetrieachsen eine Vorzugsrichtung (45) aufweist; - eine von dem Strahlungskonversionselement (3) abgestrahlte Strahlung eine Vorzugspolarisation (48) aufweist; und - die optoelektronische Anordnung ein reflektierendes Polarisationselement (5) aufweist, das dem Strahlungskonversionselement in Abstrahlungsrichtung nachgeordnet ist, wobei das reflektierende Polarisationselement Strahlung mit der Vorzugspolarisation überwiegend durchlässt, und eine senkrecht zur Vorzugspolarisation polarisierte Strahlung überwiegend reflektiert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungskonversionselements (3) angegeben.

Abstract translation: 它是一种光电器件（1）包括半导体芯片（2），其具有用于指定放射线活性区域产生，其特征在于， - 在所述发射方向（21）的半导体芯片，一个辐射转换元件（3）被布置下游; - 具有多个转换元件（4）每一个具有对称（40）的轴线的辐射转换元件; - 具有优选方向（45）的对称轴的空间取向; 具有从所述一个辐射转换元件（3）的辐射发射的优先偏振（48） - ; 和 - 所述光电子组件包括其在发射方向，其中，与所述优先偏振反射偏振元件辐射通过主要辐射转换元件的下游，设置一个反射偏振元件（5），并垂直于主要反射的优选偏振光束偏振。 此外，被指定用于制备辐射转换元件（3）的方法。

公开(公告)号：WO2012052257A2

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011/066687

申请日：2011-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER, Werner ,  RODE, Patrick ,  STRASSBURG, Martin

Inventor： BERGBAUER, Werner ,  RODE, Patrick ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/38

CPC classification number: H01L33/12 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48463

Abstract: Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) aus einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial auf einem Trägersubstrat (2) angegeben, wobei das Trägersubstrat (2) eine Oberfläche (2a) aufweist, die Silizium enthält. Der Halbleiterschichtenstapel (1) weist eine Ausnehmung (3) auf, die sich von einer Rückseite (1e) des Halbleiterschichtenstapels (1) durch eine aktive Schicht (1a) zu einer Schicht (1b) eines ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt. Die Schicht (1b) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer ersten elektrischen Anschlussschicht (4), welche die Rückseite (1e) zumindest stellenweise bedeckt, durch die Ausnehmung (3) hindurch elektrisch angeschlossen. Eine Schicht (1c) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist mittels einer zweiten elektrischen Anschlussschicht (5), die an der Rückseite (1e) angeordnet ist, elektrisch angeschlossen. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

Abstract translation: 它是具有载体衬底（2）上由氮化物化合物半导体材料构成的半导体层堆叠（1），其中所述载体基片（2）具有一表面（2A）的光电子半导体芯片（10），其中包含硅。 半导体层堆叠（1）具有从后方侧延伸的凹部（3）通过的有源层（1a）的第一导电类型的层（1b）中的半导体层堆叠（1）的（1E）。 由在由凹部（3）覆盖的地方通过至少背面侧（1E）电连接的第一电连接层（4）的装置中的第一导电类型的层（1b）中。 由布置在后侧（1E）的第二电连接层（5），电连接的装置的第二导电类型的层（1c）中。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

公开(公告)号：WO2011117056A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/EP2011/053327

申请日：2011-03-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BERGBAUER, Werner ,  STRASSBURG, Martin ,  LUGAUER, Hans-Juergen ,  RODE, Patrick

Inventor： BERGBAUER, Werner ,  STRASSBURG, Martin ,  LUGAUER, Hans-Juergen ,  RODE, Patrick

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0083

Abstract: Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben mit zumindest einer epitaktisch entlang einer Wachstumsrichtung (91, 92) gewachsenen Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Gruppe-III-Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basiert und die in Wachstumsrichtung Stickstoff-Polarität aufweist, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) in Wachstumsrichtung (91, 92) eine n-dotierte Halbleiterschicht (11) und darüber eine aktive Zone (12) aufweist, wobei die aktive Zone (12) zumindest eine aktive Schicht enthält, die im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung abstrahlt, und wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) als Nanostab ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eins Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements angegeben.

Abstract translation: 它是沿着生长方向外延设有至少一个发射辐射的半导体器件（91，92）生长的半导体层序列（10），它是基于III族氮化物化合物半导体材料和包含在生长氮极性的方向，其特征在于，所述半导体层序列（10） 在生长方向（91，92）的n掺杂半导体层（11）和有源区（12），其中，所述有源区（12）至少包含该半导体器件的操作期间发射电磁辐射的有源层之上，并且其中所述 半导体层序列（10）被设计为一个纳米棒。 此外，用于制备方法中给出一个发射辐射的半导体部件。

公开(公告)号：WO2011069769A2

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/EP2010/067271

申请日：2010-11-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG, Martin ,  LELL, Alfred

Inventor： STRASSBURG, Martin ,  LELL, Alfred

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01S5/4043 ,  H01S5/2068 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087

Abstract: Es handelt sich um eine Laserdiodenanordnung mit - einem Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72), - mindestens zwei Laserstapeln (17, 18;117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) mit jeweils einer aktiven Zone (6, 12; 105, 109, 113; 207, 213; 307, 311; 76, 82, 88) und - mindestens einem lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85). Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) und der lichtdurchlässige ohmsche Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) sind monolithisch auf das Halbleitersubstrat (2; 101; 201; 301; 72) aufgewachsen. Die Laserstapel (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) sind durch den lichtdurchlässigen ohmschen Kontakt (9; 107, 111; 204, 210; 304, 309; 79, 85) elektrisch leitend miteinander verbunden. Die aus den Laserstapeln (17, 18; 117, 118, 119; 217, 218; 317, 318; 97, 98, 99) gebildeten Laserdioden (26a, 26b, 27a, 27b; 36a, 36b, 37a, 37b; 46a, 46b, 47a, 47b; 66a, 66b, 67a, 67b; 94a, 94b, 95a, 95b, 96a, 96b) weisen eine zwei-dimensionale Struktur auf.

Abstract translation: 它是一种激光二极管组件，包括： - 一个半导体基片（2; 101; 201; 301; 72）， - 至少两个激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99 ），每个有源区（6,12; 105，109，113; 207，213; 307，311; 76，82，88），以及 - 至少一个透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304 ，309; 79，85）。 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）和所述透光性欧姆接触（9; 107，111; 204，210; 304，309; 79，85 ）是单片的半导体衬底（2; 72生长）; 101; 201;第三百〇一 激光堆（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98,99）（通过透光欧姆接触9; 107,111; 204，210; 304，309; 79， 85）电连接到彼此。 从激光叠层（17，18; 117，118，119; 217,218; 317，318; 97，98，99）形成的激光二极管（26A，26B，27A，27B; 36A，36B，37A，37B; 46A， 46B，47A，47B; 66A，66B，67A，67B; 94A，94B，95A，95B，96A，96B）具有一个二维结构。

公开(公告)号：WO2010051790A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/DE2009/001449

申请日：2009-10-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STREUBEL, Klaus ,  STRASSBURG, Martin ,  WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl

Inventor： LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STREUBEL, Klaus ,  STRASSBURG, Martin ,  WINDISCH, Reiner ,  ENGL, Karl

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements (1) weist dieses folgende Schritte auf: - Bereitstellen eines Substrats (2), - Aufwachsen von Nanostäben (3) auf dem Substrat (2), - epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) mit mindestens einer aktiven Schicht (5) auf den Nanostäben (3), - Aufbringen eines Trägers (6) auf der Halbleiterschichtenfolge (4), und - Abtrennen von Halbleiterschichtenfolge (4) und Träger (6) vom Substrat (2) durch mindestens teilweises Zerstören der Nanostäbe (3). Durch ein solches Herstellungsverfahren können mechanische Spannungen und Risse in der Halbleiterschichtenfolge (4), die durch das Aufwachsen resultieren, reduziert werden.

Abstract translation: 在用于制造发射辐射的薄膜元件（1）具有在此以下步骤的方法的至少一个实施例中： - 在衬底（2）上的纳米棒（3）的生长， - - 提供衬底（2），外延生长的半导体层序列（4- ），具有至少一个有源层（5）上的纳米棒（3）， - 将载体（6）在该半导体层序列（4），以及 - （4）和载体从衬底（2）由至少（6）分离所述半导体层序列 纳米棒的部分破坏（3）。 由机械应力和裂纹这样的制造方法，能够在半导体层序列中的（4）可以减小通过生长得到的。

公开(公告)号：WO2010051786A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/DE2009/001415

申请日：2009-10-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BIEBERSDORF, Andreas ,  GROLIER, Vincent ,  HOEPPEL, Lutz ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STRASSBURG, Martin

Inventor： BIEBERSDORF, Andreas ,  GROLIER, Vincent ,  HOEPPEL, Lutz ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/16 ,  H01L33/325 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: A) Ausbilden einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit zumindest einer dotierten funktionellen Schicht (7), die Bindungskomplexe mit zumindest einem Dotierstoff und zumindest einem Kodotierstoff aufweist, wobei einer ausgewählt aus dem Dotierstoff und dem Kodotierstoff ein Elektronenakzeptor und der andere ein Elektronendonator ist, B) Aktivieren des Dotierstoffs durch Aufbrechen der Bindungskomplexe mittels Einbringen einer Energie (14, 15), wobei der Kodotierstoff zumindest teilweise in der Halbleiterschichtenfolge (200) verbleibt und zumindest teilweise keine Bindungskomplexe mit dem Dotierstoff bildet. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：（7），其具有至少一种掺杂剂和至少一种共掺杂剂，所述结合复合物，其中一个从所选择的A）形成具有至少一个掺杂的功能层的半导体层序列（200） 掺杂剂和共掺杂剂是电子，和所述其它电子给体，b）通过通过引入能量（14,15），其中所述共掺杂剂至少部分（半导体层序列200）中保持，并且至少部分地与没有结合复合物的手段破坏结合复合激活所述掺杂剂 形成掺杂剂。 此外，光电子半导体芯片被指定。

公开(公告)号：WO2009112020A2

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/DE2009/000332

申请日：2009-03-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

Inventor： ENGL, Karl ,  STRASSBURG, Martin ,  AVRAMESCU, Adrian Stefan

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L25/0756 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/18 ,  H01L33/325 ,  H01L2924/0002 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips mit vergrabener p-Seite, aufweisend die folgenden Verfahrensschritte angegeben: a) Herstellen eines Wafers (1, 2, 3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (100, 200, 300), die eine n-dotierte Schicht (12, 22, 32), eine aktive Schicht (13, 23, 33) und eine p-dotierte Schicht (14, 24, 34) umfasst, wobei die aktive Schicht zwischen der n-dotierten Schicht und der p-dotierten Schicht angeordnet ist und die p-dotierte Schicht freigelegt ist, b) elektrisches Aktivieren der Akzeptoren in der freigelegten p-dotierten Schicht (14, 24, 34) durch ein thermisches Aktivierungsverfahren, c) Abdecken der p-dotierten Schicht (14, 24, 34), und d) Vereinzeln des Wafers (1, 2, 3) in eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips.

Abstract translation:

一种用于制备光电子半导体芯片的多个具有掩埋p侧，其包括下列方法步骤的方法表示：a）制备一个晶片（1，2，3），其具有半导体层序列（100，200 ，300），n型掺杂层（12，22，32），有源层（13，23，33）和p掺杂层（14，24，其包括34），其特征在于，所述n之间的有源层 掺杂层和p掺杂层被布置和p掺杂层被暴露，b），其电激活所述暴露的p掺杂层（）通过热活化方法的受体14，24，34，C）覆盖p （14,24,34），和d）将晶片（1,2,3）分割成多个光电子半导体芯片。