公开(公告)号：WO2020094442A1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：PCT/EP2019/079378

申请日：2019-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： TÅNGRING, Ivar ,  NAGEL, Peter

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/44 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich, einem Wellenlängenkonversionselement umfassend einen Konversionsbereich und einen Opferbereich und einem Formkörper, in den der Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement zumindest teilweise eingebettet sind und der zumindest stellenweise direkt an den Halbleiterkörper und das Wellenlängenkonversionselement angrenzt angegeben. Der Konversionsbereich ist dazu eingerichtet zumindest einen Teil der in dem aktiven Bereich erzeugten elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu einer elektromagnetischen Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu konvertieren. Der Konversionsbereich ist zwischen dem Opferbereich und dem Halbleiterkörper angeordnet. Der Opferbereich ist für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs durchlässig. Der Formkörper und der Opferbereich weisen Spuren eines Abtragungsprozesses auf, und der Formkörper ist als Reflektor für die elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs und für die elektromagnetische Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs ausgebildet. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

公开(公告)号：WO2020173684A1

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：PCT/EP2020/053165

申请日：2020-02-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL, Peter ,  WIESMANN, Christopher ,  KIESSLING, Matthias

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Bauteil (10) mit einem gemeinsamen Träger (9), einer Mehrzahl von Bauelementen (1), Konverterschichten (1K) und inneren Streuregionen (5) angegeben, wobei die Bauelemente in lateraler Richtung nebeneinander und in vertikaler Richtung zwischen dem gemeinsamen Träger und den Konverterschichten angeordnet sind. Das Bauteil weist einen Durchtrittsbereich (2) und eine Strahlungsaustrittsfläche (10S) auf, die in vertikaler Richtung durch den Durchtrittsbereich von den Konverterschichten beabstandet ist. Die benachbarten Konverterschichten sind durch einen Zwischenbereich (3) voneinander lateral beabstandet, der in Draufsicht auf den Träger von dem Durchtrittsbereich vollständig bedeckt ist, wobei die inneren Streuregionen sowohl an den Durchtrittsbereich als auch an die Konverterschichten angrenzen und zumindest teilweise in dem Zwischenbereich angeordnet sind oder unmittelbar an den Zwischenbereich angrenzen.

公开(公告)号：WO2014184136A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/059643

申请日：2014-05-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL, Peter ,  ILLEK, Stefan ,  STRASSBURG, Martin

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10, 1010) umfasst eine Halbleiter-Schichtstruktur (100, 1100) die eine erste leuchtaktive Schicht (140) und eine zweite leuchtaktive Schicht (240) aufweist. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht (140) und der zweiten leuchtaktiven Schicht (240) ist ein erster Tunnelübergang (200) ausgebildet. Zwischen der ersten leuchtaktiven Schicht (140) und dem ersten Tunnelübergang (200) ist ein erster Bragg-Spiegel (160) ausgebildet. Zwischen der zweiten leuchtaktiven Schicht (240) und dem ersten Tunnelübergang (200) ist ein zweiter Bragg-Spiegel (260) ausgebildet.

Abstract translation: 的光电元件（10，1010）包括具有第一发光有源层（140）和第二发光有源层（240）的半导体层结构（100，1100）。 第一发光有源层（140）和所述第二发光有源层（240）之间的是第一隧道结（200）形成。 第一发光有源层（140）和所述第一隧道结（200）之间的是第一布拉格反射镜（160）被形成。 第二发光有源层（240）和所述第一隧道结（200）之间的是第二布拉格反射器（260）被形成。

公开(公告)号：WO2018234157A1

公开(公告)日：2018-12-27

申请号：PCT/EP2018/065852

申请日：2018-06-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： NAGEL, Peter ,  SANTANA ANNIBALE, Eder ,  REINGRUBER, Klaus ,  HUBER, Rainer ,  KREUTINGER, Leopold

IPC: H01L33/48 ,  H01L23/498

Abstract: Eine Trägerplatte (100) für ein elektronisches Bauteil (200) umfasst eine Oberseite (50) zum elektrischen Anschließen und Montieren eines elektronischen Bauteils. Ferner umfasst die Trägerplatte eine Unterseite (10) zum elektrischen Anschließen der Trägerplatte an eine Leiterplatte (300). Die Trägerplatte umfasst zwei oder mehr voneinander elektrisch isolierte Kontaktstrukturen (1), die zur Stromführung von der Unterseite zur Oberseite oder in umgekehrte Richtung eingerichtet sind. Die Kontaktstrukturen bilden dabei an der Unterseite jeweils elektrisch leitfähige Kontaktflächen (2). Eine Kontaktfläche ist im Bereich einer Ecke (11) der Unterseite angeordnet. Die im Bereich der Ecke angeordnete Kontaktfläche weist in Draufsicht auf die Unterseite betrachtet eine gekrümmte Kante (20) auf. Die gekrümmte Kante ist der Ecke zugewandt, sodass der am nächsten zu der Ecke liegende Punkt der Kontaktfläche auf der gekrümmten Kante liegt. Die der Ecke nächstliegende Kontaktfläche hat ferner einen Abstand zu der Ecke von zumindest 2,5 % und höchstens 10 % des Umfangs der Unterseite.

公开(公告)号：WO2015110460A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/EP2015/051115

申请日：2015-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  PLÖSSL, Andreas ,  RODE, Patrick ,  NAGEL, Peter ,  SCHOLZ, Dominik

IPC: H01L33/48

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/147 ,  H01L31/18 ,  H01L33/486 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100) angegeben, das folgende Schritte aufweist: a) Bereitstellen eines Hilfsträgers (2); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder der Halbleiterchips einen Trägerkörper (12) und einen auf einer Oberseite (22) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterkörper (4) aufweist; c) Befestigen der Mehrzahl von Halbleiterchips auf dem Hilfsträger, wobei die Halbleiterchips in einer lateralen Richtung (L) voneinander beabstandet sind und wobei die Halbleiterkörper vom Trägerkörper aus gesehen dem Hilfsträger zugewandt sind; d) Ausbilden einer Streuschicht (18) zumindest in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern benachbarter Halbleiterchips; e) Ausbilden eines Gehäusekörperverbunds (20); f) Entfernen des Hilfsträgers (2); und g) Vereinzeln des Gehäusekörperverbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (100).

Abstract translation: 一种用于制造规定的多个光电子半导体器件（100），包括以下步骤的方法：a）提供一辅助载体（2）; b的）提供多个半导体芯片（10），每个半导体芯片的承载体（12）和一个（在支撑体布置半导体主体（4）的上侧22）; c）中固定在临时载体上的多个半导体芯片，在横向方向（L）的半导体芯片彼此，并且其中所述半导体本体被从面向基座的支撑体看出间隔开; d）形成在相邻的半导体芯片的半导体本体之间的区域的至少一个扩散层（18）; e）形成的复合壳体主体（20）; f）移除所述辅助载体（2）; 和g）复合壳体（切割成多个光电子半导体器件100）的。

公开(公告)号：WO2018162583A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：PCT/EP2018/055653

申请日：2018-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ZITZLSPERGER, Michael ,  KÜHNELT, Michael ,  REITH, Andreas ,  NAGEL, Peter

IPC: H01L21/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L21/78

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von mindestens einem Halbleiterbauelement (11) angegeben mit den aufeinander folgenden Schritten: -Bereitstellen von mindestens einem Halbleiterchip (1) umfassend: -ein Chipsubstrat (2) -eine auf dem Chipsubstrat (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (3), -eine erste Hauptfläche (1A) und eine der ersten Hauptfläche (1A) gegenüberliegende zweite Hauptfläche (1B), -mindestens eine Seitenfläche (1C), die quer zu der ersten und zweiten Hauptfläche (1A, 1B) angeordnet ist, wobei der Halbleiterchip (1) an der Seitenfläche (1C) Spuren (8) einer Vereinzelung aufweist, -Bereitstellen eines Trägers (9) mit einer Montagefläche (9A), -Montage des mindestens einen Halbleiterchips (1) auf dem Träger (9), wobei die erste Hauptfläche (1A) des mindestens einen Halbleiterchips (1) mit der Montagefläche (9A) des Trägers (9) verbunden wird, -Ätzen des Halbleiterchips (1) an der Seitenfläche (1C). Des Weiteren wird ein Halbleiterbauelement(11) angegeben, das mit einem derartigen Verfahren hergestellt werden kann.

公开(公告)号：WO2014049154A2

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/070280

申请日：2013-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  NAGEL, Peter

IPC: H01L25/16

CPC classification number: H05B33/083 ,  H01L23/34 ,  H01L25/162 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L27/15 ,  H01L29/866 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0066 ,  H05B33/089 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und ein optoelektronisches Bauelement mit wenigstens einem ersten Träger (1) mit wenigstens zwei Licht emittierenden Dioden (2) und/oder mit zwei ersten Trägern mit jeweils einer Licht emittierenden Diode (2), wobei jede Diode (2) zwei elektrische Anschlüsse (4, 5) aufweist, wobei jeder elektrische Anschluss (4, 5) zu einer Kontaktfläche (7, 8) geführt ist, wobei die Kontaktflächen (7, 8) auf einer Unterseite (6) eines ersten Träger (1) angeordnet sind, mit einem zweiten Träger (9), wobei im zweiten Träger (9) wenigstens zwei Z-Dioden (10) angeordnet sind, wobei die Z-Dioden (10) weitere elektrische Anschlüsse (11, 12) aufweisen, wobei jeder weitere elektrische Anschluss (11, 12) zu einer weiteren Kontaktfläche (13, 14) geführt ist, wobei die weiteren Kontaktflächen (13,14) auf einer Oberseite (16) des zweiten Trägers (9) angeordnet sind, wobei der erste Träger (1) und/oder die ersten Träger (1) mit der Unterseite (6) auf der Oberseite (16) des zweiten Träger (9) aufliegen und mit dem zweiten Träger (9) fest verbunden sind, wobei die Z-Dioden (10) antiparallel zu den Dioden (2) angeordnet sind, wobei eine elektrische Leitung (15) vorgesehen ist, die die Z- Dioden (10) in einer Serienschaltung verbindet, und wobei die Kontaktflächen (7, 8) einer Diode (2) mit den weiteren Kontaktflächen (13, 14) einer Z-Diode (10) elektrisch in Kontakt stehen.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造光电子器件的方法以及一种光电子器件，该光电子器件具有至少一个第一保持器（1）和至少两个发光二极管（2）和/或两个第一保持器 每个具有发光二极管2，每个二极管2具有两个电端子4,5，每个电端子4,5通向接触表面7,8， ，其中所述接触表面（7,8）布置在第一载体（1）的下侧（6）上，与第二载体（9）一起，其中在所述第二载体（9）中至少两个 其中Z型二极管（10）被布置，其中Z型二极管（10）的另外的电端子（11,12），其中每个另外的电连接（11,12）到另一个接触表面（13,14） 其中所述另外的接触表面（13,14）布置在所述第二门（13,14）的上侧（16）上。 具有下侧（6）的第一载体（1）和/或第一载体（1）搁置在第二载体（9）的上侧（16）上并且与 第二Tr的AUML; GER（9）被牢固地连接，其中所述Z-二极管（10）与在所述二极管（2），其特征在于，提供了一种电线（15），所述齐纳二极管（10），其设置在反平行 串联连接，并且其中二极管（2）的接触表面（7,8）与齐纳二极管（10）的其他接触表面（13,14）电接触。