公开(公告)号：DE102013200509A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE102013200509

申请日：2013-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  WEBER MICHAELA ,  GOTSCHKE TOBIAS ,  OFF JÜRGEN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/08

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.

公开(公告)号：DE112014000439A5

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：DE112014000439

申请日：2014-01-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  WEBER MICHAELA ,  GOTSCHKE TOBIAS ,  OFF JÜRGEN

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50