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    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip
    1.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips und Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102014114109A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：DE102014114109

    申请日：2014-09-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： PERZLMAIER KORBINIAN ,  OFF JÜRGEN ,  GOTSCHKE TOBIAS

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/31 ,  H01L21/78

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterchips (10) angegeben, mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), das eine Aufwachsfläche (1a) aufweist, die mit Saphir gebildet ist, – Aufbringen eines Maskenmaterials (2) auf die Aufwachsfläche (1a) des Aufwachssubstrats (1), – Strukturieren des Maskenmaterials (2) zu einer mehrfach zusammenhängenden Maskenschicht (21) durch Einbringen von Öffnungen (22) in das Maskenmaterial (2), wobei am Boden (23) zumindest mancher der Öffnungen (22) die Aufwachsfläche (1a) freigelegt wird, – Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) in die Öffnungen (22) und auf die Maskenschicht (21), – Vereinzeln zumindest der Halbleiterschichtenfolge (3) zu einer Vielzahl von Halbleiterchips (10), wobei jeder Halbleiterchip (10) laterale Abmessungen (L) aufweist und die lateralen Abmessungen (L) groß sind gegen einen mittleren Abstand (A) der Öffnungen (22) zur nächstliegenden Öffnung.

    Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement
    3.
    发明专利
    Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016200957A1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：DE102016200957

    申请日：2016-01-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOTSCHKE TOBIAS ,  ROSSBACH GEORG

    IPC: H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheideseite gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite erste Strukturelemente und zweite Strukturelemente angeordnet sind und die ersten Strukturelemente und die zweiten Strukturelemente bereichsweise übereinander angeordnet sind. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (8) mit einem solchen Substrat angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Wachstumssubstrat
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips und Wachstumssubstrat 未知

    公开(公告)号：DE102015109677A1

    公开(公告)日：2016-12-22

    申请号：DE102015109677

    申请日：2015-06-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOTSCHKE TOBIAS ,  BERGBAUER WERNER ,  OFF JÜRGEN ,  LEHNHARDT THOMAS ,  FREY ALEXANDER

    IPC: H01L33/12

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips, insbesondere von Leuchtdiodenchips, eingerichtet und umfasst die Schritte: – Erzeugen einer Modulation an einer Wachstumsseite (20) eines Wachstumssubstrats (2), und – nachfolgend Wachsen einer Halbleiterschichtenfolge (4) auf dem Wachstumssubstrat (2), wobei durch die Modulation die Halbleiterschichtenfolge (4), in Draufsicht gesehen, abwechselnd stellenweise druckverspannt und stellenweise zugverspannt gewachsen wird, sodass während des Wachsens eine Durchbiegung (B) des Wachstumssubstrats (2) reduziert wird, im Vergleich zu einem Wachsen ohne der Modulation.

    Optoelektronischer Halbleiterchip
    8.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102013200509A1

    公开(公告)日：2014-07-17

    申请号：DE102013200509

    申请日：2013-01-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  WEBER MICHAELA ,  GOTSCHKE TOBIAS ,  OFF JÜRGEN

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/08

    Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip, aufweisend eine Halbleiterschichtenfolge (130) mit einer aktiven Zone (135) zum Erzeugen einer Lichtstrahlung und eine Konversionsstruktur (120, 125). Die Konversionsstruktur (120, 125) weist Konversionsbereiche (121, 126, 221) zum Konvertieren der erzeugten Lichtstrahlung auf, zwischen denen nichtkonvertierende Bereiche (122, 127, 222) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterchips.

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