公开(公告)号：JP2013136512A

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：JP2013027620

申请日：2013-02-15

Applicant: Freiberger Compound Materials Gmbh ,  フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングFreiberger Compound Materials Gmbh ,  Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム・オプト・セミコンダクターズ・ゲーエムベーハーOsram Opto Semiconductors Gmbh

Inventor： SCHOLZ FERDINAND ,  BRUECKNER PETER ,  HABEL FRANK ,  PETER MATTHIAS ,  KOEHLER KLAUS

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  Y10S117/915 ,  Y10T428/24355

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a III-N substrate having (0001) plane and improved surface morphology.SOLUTION: A method for producing the III-N substrate (where III denotes at least one element selected from group III elements of the periodic table) includes a step for depositing a III-N thick film layer having a thickness of at least 40 μm by epitaxially growing at a predetermined N/III ratio and a predetermined reactor pressure, and is characterized by lowering the N/III ratio and/or the reactor pressure than the predetermined N/III ratio and the predetermined reactor pressure, respectively, in the final stage of the epitaxial growth process of the III-N thick film layer. The surface morphology is further improved by allowing the substrate to have an orientation direction difference of the crystal of from about 0.1° or more to less than 1°.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有（0001）面和改进的表面形态的III-N基材。溶液：制备III-N基材的方法（其中III表示选自周期表的III族元素中的至少一种元素 ）包括通过以预定的N / III比和预定的反应器压力外延生长沉积厚度至少为40μm的III-N厚膜层的步骤，其特征在于降低N / III比和/或 在III-N厚膜层的外延生长工艺的最后阶段，反应器压力分别为预定的N / III比和预定的反应器压力。 通过使基板的晶体的取向方向差为约0.1°以上且小于1°，进一步提高了表面形态。

公开(公告)号：WO2008089728A3

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：PCT/DE2008000081

申请日：2008-01-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  EICHLER CHRISTOPH ,  ENGL KARL ,  PETER MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  EICHLER CHRISTOPH ,  ENGL KARL ,  PETER MATTHIAS ,  STRASSBURG MARTIN

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/145 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a light-emitting diode chip comprising a series of layers (10) provided with at least one n-type conductivity layer. Said light-emitting diode chip comprises a reflective layer (5) that is connected in a conductive manner to the n-type conductivity layer (31). At least one transparent dielectric layer (4) is arranged between the n-type conductivity layer and the reflective layer.

Abstract translation: 公开了一种具有层序列（10），其具有至少一个n型层的发光二极管芯片。 LED芯片包括一个相关联的反射镜层（5）上传导地连接到n型层（31）。 n型层和该反射层之间包括至少一个透明的介电层（4）被布置。

公开(公告)号：WO2011080144A2

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：PCT/EP2010070274

申请日：2010-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  TAKI TETSUYA ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  WALTER ALEXANDER

Inventor： PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  GMEINWIESER NIKOLAUS ,  TAKI TETSUYA ,  LUGAUER HANS-JUERGEN ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: In at least one form of embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (100), said chip comprises a semiconductor layer sequence (1) based on GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN. The semiconductor layer sequence (1) contains a p-doped layer sequence (2), an n-doped layer sequence (4), and an active zone (3) between the p-doped layer sequence (2) and the n-doped layer sequence (4). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one intermediate layer (5) based on AlxGa1-xN, where 0

Abstract translation: 在光电子半导体芯片（100），其包括的至少一个实施例的GaN基，氮化铟镓，AlGaN和（1）/或InAlGaN系半导体层序列。 半导体层序列（1）包括p掺杂的层序列（2），位于p型掺杂的（2）和n型掺杂的层序列（4）之间和活性区（3）n型掺杂的层序列（4） 定位。 此外，半导体层序列（1）包括至少一个基于的Al x Ga 1-X N的中间层（5），其特征在于，0

公开(公告)号：WO2009006870A3

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：PCT/DE2008001039

申请日：2008-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  STRASSBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS ,  PETER MATTHIAS ,  STRAUSS UWE

Inventor： STRASSBURG MARTIN ,  HOEPPEL LUTZ ,  SABATHIL MATTHIAS ,  PETER MATTHIAS ,  STRAUSS UWE

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32 ,  H01S5/343 ,  H01S5/40

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3095 ,  H01S5/34333

Abstract: A radiation-emitting semiconductor body having a contact layer (3) and an active zone (7) is specified, wherein the semiconductor body has a tunnel junction (4) which is arranged between the contact layer and the active zone, and the active zone has a multiple quantum well structure containing at least two active layers (71) which emit electromagnetic radiation into the semiconductor body when an operating current is impressed.

Abstract translation: 本发明提供一种发射辐射的半导体体与接触层（3）和有源区（7），其中，所述半导体本体包括设置在所述接触层和所述有源区的隧道结（4）之间和所述有源区包括多量子阱结构，包括至少两个有源层 （71），其在半导体本体中留下深刻印象的操作电流发射电磁辐射。

公开(公告)号：DE102016101442B4

公开(公告)日：2025-03-13

申请号：DE102016101442

申请日：2016-01-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LÖFFLER ANDREAS ,  BAUER ADAM ,  PETER MATTHIAS ,  BINDER MICHAEL

IPC: H10H20/851 ,  H10H20/82

Abstract: Konversionselement (1) mit- einem aktiven Bereich (13), der mit einem Halbleitermaterial gebildet ist und eine Vielzahl von Barrieren (131) und Quantentrögen (132) umfasst,- einer Vielzahl erster Strukturelemente (14), die an einer Oberseite (1a) des Konversionselements (1) angeordnet sind, und- einer Vielzahl zweiter Strukturelemente (15) und/oder dritter Strukturelemente (16), die an einer der Vielzahl erster Strukturelemente (14) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (13) angeordnet sind, wobei- die Vielzahl erster Strukturelemente (14) im aktiven Bereich (13) ausgebildet ist,- das Konversionselement (1) frei von elektrischen Anschlüssen ist, und- ein Durchmesser der ersten Strukturelemente (14) kleiner ist als ein Durchmesser der zweiten (15) und/oder dritten (16) Strukturelemente.

公开(公告)号：DE102017122032A1

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102017122032

申请日：2017-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  PETER MATTHIAS ,  WAGNER JAN

IPC: H01S5/343

Abstract: Es wird eine Laserdiode (10) beschrieben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (12), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend eine n-Typ Mantelschicht (2), eine erste Wellenleiterschicht (3A), eine zweite Wellenleiterschicht (3B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (3A) und der zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) zur Erzeugung von Laserstrahlung und eine p-Typ Mantelschicht (6), wobei die p-Typ Mantelschicht (6) eine der aktiven Schicht (4) zugewandte erste Teilschicht (6A) und eine von der aktiven Schicht abgewandte zweite Teilschicht (6B) aufweist. Die erste Teilschicht (6A) weist AlGaN mit 0 ≤ x1 ≤ 1 oder AlInGaN mit 0 ≤ x1 ≤ 1, 0 ≤ y1

公开(公告)号：DE102017119931A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017119931

申请日：2017-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  WURM TERESA ,  EICHLER CHRISTOPH

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (10), in dem eine zur Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Schicht (103), eine erste Zwischenschicht (101) und eine p-leitende Kontaktschicht (104) ausgebildet sind, und einer auf den Halbleiterkörper (10) aufgebrachten Anschlussschicht (121) angegeben. Wobei die Kontaktschicht (104) zwischen der ersten Zwischenschicht (101) und der Anschlussschicht (121) angeordnet ist, an die Anschlussschicht (121) angrenzt und die aktive Schicht (103) auf einer der Kontaktschicht (104) abgewandten Seite der ersten Zwischenschicht (101) angeordnet ist. Die erste Zwischenschicht (101) und die Kontaktschicht (104) basieren auf einem Nitridverbindungshalbleiter und die Kontaktschicht (104) ist mit einem p-Dotierstoff dotiert. Die Kontaktschicht (104) weist eine Dicke von höchstens 50nm auf und hat einen geringeren Aluminiumgehalt als die erste Zwischenschicht (101) .

公开(公告)号：DE102013112885A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102013112885

申请日：2013-11-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EBBECKE JENS ,  KUGLER SIEGMAR ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/66 ,  G01R31/265 ,  H01L31/10 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur ganzflächigen optischen Charakterisierung eines optoelektronischen Halbleitermaterials (1), das zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips vorgesehen ist und das eine Bandlücke aufweist, durch die eine charakteristische Wellenlänge des Halbleitermaterials (1) gegeben ist, mit den Schritten: A) Ganzflächiges Bestrahlen einer Hauptoberfläche (11) des optoelektronischen Halbleitermaterials (1) mit Licht (20) mit einer Anregungswellenlänge, die kleiner als die charakteristische Wellenlänge des Halbleitermaterials (1) ist, zur Erzeugung von Elektron-Loch-Paaren im Halbleitermaterial (1); B) Ganzflächiges Detektieren einer durch Rekombination der Elektron-Loch-Paare von der Hauptoberfläche (11) des Halbleitermaterials (1) abgestrahlten Rekombinationsstrahlung (30) mit der charakteristischen Wellenlänge. Weiterhin wird eine Vorrichtung (100) zur Durchführung des Verfahrens angegeben.

公开(公告)号：DE102007003282A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：DE102007003282

申请日：2007-01-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SABATHIL MATTHIAS ,  HOEPPEL LUTZ ,  EICHLER CHRISTOPH ,  ENGL KARL ,  PETER MATTHIAS ,  STRASBURG MARTIN

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: The invention relates to a light-emitting diode chip comprising a series of layers (10) provided with at least one n-type conductivity layer. Said light-emitting diode chip comprises a reflective layer (5) that is connected in a conductive manner to the n-type conductivity layer (31). At least one transparent dielectric layer (4) is arranged between the n-type conductivity layer and the reflective layer.

公开(公告)号：DE10261362B4

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：DE10261362

申请日：2002-12-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER ALEXANDER ,  HAERLE VOLKER ,  PETER MATTHIAS ,  BADER STEFAN

IPC: C30B25/12 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  C30B25/08 ,  C30B33/02

Abstract: The holder (1) has a temperature-equalization structure promoting a defined temperature profile over the entire surface of the substrate (2). The substrate lies on or near the holder during processing, which involves heating or cooling.