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    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND TIEFENERFASSUNGSSYSTEM
    2.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND TIEFENERFASSUNGSSYSTEM 审中-公开
    亚光电子设备和深检测系统

    公开(公告)号：WO2016189149A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/EP2016/062044

    申请日：2016-05-27

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HALBRITTER, Hubert ,  ARZBERGER, Markus ,  LINKOV, Alexander

    IPC: H01L33/58 ,  H01L33/08

    CPC classification number: H01L33/08 ,  G02B1/005 ,  G02B5/04 ,  G06T7/521 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/105 ,  H01L33/58

    Abstract: Eine optoelektronische Anordnung zur Erzeugung eines Lichtmusters umfasst einen Leuchtdiodenchip, der ausgebildet ist, an seiner Oberseite elektromagnetische Strahlung abzustrahlen, die an der Oberseite des Leuchtdiodenchips ein zweidimensionales Muster bildet. Die optoelektronische Anordnung umfasst außerdem ein optisch abbildendes Element, das ausgebildet ist, von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlte elektromagnetische Strahlung in eine Umgebung der optoelektronischen Anordnung abzubilden.

    Abstract translation: 用于产生光图案的光电装置包括一个发光二极管芯片，其被设计成在其上侧，其形成在LED芯片的上表面上的两维图案发射电磁辐射。 所述光电子组件还包括被设计为在所述光电子装置的周围区域从LED芯片的电磁辐射发射的图像光的成像光学元件。

    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG
    3.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHE LEUCHTVORRICHTUNG 审中-公开
    光电照明装置和方法用于制造光电子发光装置

    公开(公告)号：WO2016150837A1

    公开(公告)日：2016-09-29

    申请号：PCT/EP2016/055926

    申请日：2016-03-18

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LEIRER, Christian ,  LINKOV, Alexander ,  SPERL, Matthias ,  KIESSLING, Matthias

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/58 ,  H01L33/005 ,  H01L33/507

    Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend: - einen Träger (403), - auf welchem eine lichtemittierende Diode (405) angeordnet ist, - wobei auf einer lichtemittierenden Oberfläche (407) der Diode eine mehrere Mikrolinsen (105) aufweisende Mikrolinsenstruktur (101, 801) angeordnet ist, - wobei auf der Mikrolinsenstruktur eine Konversionsschicht (501) angeordnet ist, - so dass von der lichtemittierenden Oberfläche (407) emittiertes Licht zumindest teilweise durch die Mikrolinsenstruktur (101, 801) abgebildet und dann konvertiert werden kann. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung.

    Abstract translation: 本发明涉及一种光电子发光装置，包括： - 支承件（403）， - 在其上的发光二极管（405）设置， - 其中，具有多个微透镜（105）的微透镜结构的二极管的发光表面（407）（101上 位于801）， - 其中，转换层（501）被设置在微透镜结构， - 使得（来自发光面407），通过微透镜结构（101至少部分地发出的光，准备801），然后可以被转换。 本发明还涉及一种用于制造光电发光装置。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    4.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    光电半导体器件与方法研究

    公开(公告)号：WO2016119973A1

    公开(公告)日：2016-08-04

    申请号：PCT/EP2015/080033

    申请日：2015-12-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： LINKOV, Alexander ,  HERRMANN, Siegfried

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L24/96 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

    Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterchip (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (5) aussendet, angegeben. Das Halbleiterbauelement umfasst außerdem eine erste Konversionsschicht (11) auf einer Seitenflanke (6) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, und eine zweite Konversionsschicht (12) auf der Strahlungsaustrittsfläche (5) des Halbleiterchips (1), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung des zweiten oder eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln. Die erste Konversionsschicht (11) ist hierbei von der zweiten Konversionsschicht (12) verschieden. Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterbauelements angegeben.

    Abstract translation: 它发出一种半导体器件，包括：半导体芯片（1），在第一波长范围中所示的辐射出射表面（5）的所述电磁辐射。 该半导体器件还包括在一侧侧面转换的第一转换层（11）（6）的半导体芯片（1），它是适合于第一波长范围转换为第二波长范围的电磁辐射的电磁辐射，并且辐射出射表面上的第二转换层（12）的 在半导体芯片（1），其适于转换为第二的电磁辐射或所述第一波长范围的电磁辐射的第三波长范围的（5）。 第一转换层（11）在这种情况下，从所述第二转换层（12）是不同的。 此外，提供了一种制造这种半导体器件的方法。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    6.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开

    公开(公告)号：WO2018188976A1

    公开(公告)日：2018-10-18

    申请号：PCT/EP2018/058247

    申请日：2018-03-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KUA, Jackson Jia Ping ,  ECKERT, Tilman ,  LINKOV, Alexander

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/56 ,  H01L33/48

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (100) umfassend einen Halbleiterchip (2) angegeben, der dazu eingerichtet ist,eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der Halbleiterchip (2) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (A) auf und über der Strahlungsaustrittsfläche (A) ist eine Schutzschicht (5) angeordnet. Die Schutzschicht (5) umfasst - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid, - zumindest eine erste Schicht (5a) umfassend ein Aluminiumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid oder - zumindest eine zweite Schicht (5b) umfassend ein Siliziumoxid und zumindest eine dritte Schicht (5c) umfassend ein Titanoxid.

    LICHTQUELLE
    7.
    发明申请
    LICHTQUELLE 审中-公开
    光源

    公开(公告)号：WO2017207500A1

    公开(公告)日：2017-12-07

    申请号：PCT/EP2017/062914

    申请日：2017-05-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER, Frank ,  LINKOV, Alexander ,  ILLEK, Stefan ,  BUTENDEICH, Rainer ,  KOLLER, Christoph ,  SCHWARZ, Thomas

    IPC: F21V8/00 ,  H01L25/16 ,  H05B33/08 ,  F21K9/61 ,  F21Y115/10

    CPC classification number: H01L31/167 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/002 ,  H01L25/13 ,  H01L25/167 ,  H01L31/02002 ,  H01L31/02325 ,  H01L31/02327

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiteremitter (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiteremitter (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farbort des Mischlichts eingerichtet. Die Halbleiteremitter (21, 22) sind entlang einer Linie (L) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) angeordnet und bedeckt jede der Seitenflächen (25) mindestens teilweise, gesehen in Projektion auf die entsprechende Seitenfläche (25), sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiteremitter (21, 22), vermittelt durch den Lichtmischkörper (3) und/oder durch den Lichtmischkörper (3) hindurch, gleich viel Licht empfängt.

    Abstract translation:

    在一个示例性导航用途货币形成光源（1）包括用于产生第一光，并用于产生具有不同颜色的第二光的第二半导体发射极（22）的第一半导体发射极（21）。 在光混合体（3）中，第一光和第二光被混合，从而形成混合光。 检测器（4）位于光混合体（3）上并被设置以确定混合光的颜色位置。 半导体发射器（21,22）沿着线（L）布置并且与检测器（4）具有不同的距离。 所述Lichtmischk＆OUML;主体（3）是在Seitenfl＆AUML;在所述半导体发光体的陈（25）（21，22）和覆盖每个的Seitenfl＆AUML;陈（25），其在投影看到到相应Seitenfl BEAR表面（25）至少部分地，这样 该检测器（4），每个所述半导体发光体（21,22），由Lichtmischk＆oUML介导的;主体（3）和/或由Lichtmischk＆oUML;主体（3）通过，光的相同量的接收＆AUML;取决于。

    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    9.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    光电子半导体芯片和方法及其

    公开(公告)号：WO2012100868A1

    公开(公告)日：2012-08-02

    申请号：PCT/EP2011/071526

    申请日：2011-12-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  HÖPPEL, Lutz ,  LINKOV, Alexander ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  TAEGER, Sebastian ,  HAHN, Berthold

    Inventor： HÖPPEL, Lutz ,  LINKOV, Alexander ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  TAEGER, Sebastian ,  HAHN, Berthold

    IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

    CPC classification number: H01L33/501 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) mit einem Halbleiterschichtenstapel (1) angegeben, der eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (1a) und eine Strahlungsaustrittsseite (1b) aufweist, und mit einer Konversionsschicht (2), die auf der Strahlungsaustrittsseite (1b) des Halbleiterschichtenstapels (1) angeordnet ist. Die Konversionsschicht (2) weist ein Matrixmaterial und Konverterpartikel auf, die geeignet sind, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (1a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Das Matrixmaterial der Konversionsschicht (2) weist einen Brechungsindex auf, der an den Brechungsindex des Halbleiterschichtenstapels (1) angepasst ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.

    Abstract translation: 它是具有高于半导体层堆叠（1），具有用于产生辐射活性层（1a）和一个辐射出射侧上的开口的光电子半导体芯片（10）（1b）中，并用在辐射出射侧上的转换层（2）（图1b）的 布置半导体层堆叠（1）。 转换层（2）包括适于至少从有源层（1a）中成不同波长的辐射发射的光的一部分转换基质材料和颗粒转换器。 转换层（2）的所述基质材料具有匹配于半导体层堆叠（1）的折射率的折射率。 此外，被指定用于制造这样的半导体芯片（10）的方法。

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