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    SYSTEMS AND METHODS FOR ENABLING ESD PROTECTION ON 3-D STACKED DEVICES
    1.
    发明专利
    SYSTEMS AND METHODS FOR ENABLING ESD PROTECTION ON 3-D STACKED DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2735689A1

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：CA2735689

    申请日：2009-09-01

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60

    Abstract: An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

    CONTROL TERMICO ACTIVO PARA DISPOSITIVOS APILADOS.
    2.
    发明专利
    CONTROL TERMICO ACTIVO PARA DISPOSITIVOS APILADOS. 未知

    公开(公告)号：MX2010013880A

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：MX2010013880

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： TOMS THOMAS R ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38

    Abstract: La conductividad térmica en un dispositivo IC apilado (30) se puede mejorar construyendo uno o más dispositivos de control de temperatura activos dentro del dispositivo IC apilado; en una modalidad, los dispositivos de control son dispositivos eléctricos térmicos (TE) tal como dispositivos de Peltier; los dispositivos TE (300) entonces pueden ser selectivamente controlados para remover o agregar calor, según sea necesario, para mantener el dispositivo IC apilado dentro de un rango de temperatura definido; los elementos de control de temperatura activos pueden ser empalmes P-N (301-302) creados en el dispositivo IC apilado y pueden servir para mover el calor lateralmente y/o verticalmente, según se desee.

    Amplificador tridimensional de radiofrecuencia en chip
    3.
    发明专利
    Amplificador tridimensional de radiofrecuencia en chip 未知

    公开(公告)号：ES2854713T3

    公开(公告)日：2021-09-22

    申请号：ES10771245

    申请日：2010-10-07

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： KIM JONGHAE ,  GU SHIQUN ,  HENDERSON BRIAN MATTHEW ,  TOMS THOMAS R ,  CHUA-EOAN LEW G ,  BAZARJANI SEYFOLLAH S ,  NOWAK MATTHEW

    IPC: H01L21/02 ,  H01F17/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06

    Abstract: Un amplificador tridimensional de radiofrecuencia en chip (1600), comprendiendo el chip un sustrato que tiene un lado superior y un lado inferior, comprendiendo el amplificador de radiofrecuencia: un primer transformador en chip (1602) que comprende un primer inductor en chip (1620) y un segundo inductor en chip (1622); un segundo transformador en chip (1604) que comprende un tercer inductor en chip (1640) y un cuarto inductor en chip (1642); un primer transistor en chip (1606) que comprende una puerta (1662), un drenaje (1664) y una fuente (1666); en el que cada uno de los primer, segundo, tercer y cuarto inductores en chip comprende una pluralidad de primeros segmentos en una primera capa metálica (626), estando la primera capa metálica por encima del lado superior del sustrato; una pluralidad de segundos segmentos (624) en una capa de diseño de redistribución, RDL, estando la RDL debajo del lado inferior del sustrato; una primera entrada de inductor y una segunda entrada de inductor, estando localizadas las primera y segunda entradas de inductor en una de la primera capa metálica y de la RDL; y una pluralidad de vías de silicio pasantes que se extienden desde el lado superior del sustrato hasta el lado inferior del sustrato y acoplan la pluralidad de primeros segmentos y la pluralidad de segundos segmentos para formar una ruta continua, que no interseca entre la primera entrada de inductor y la segunda entrada de inductor; estando el primer inductor en chip acoplado de forma inductiva al segundo inductor en chip, estando el tercer inductor en chip acoplado de forma inductiva al cuarto inductor en chip, y no estando los primer, segundo, tercer y cuarto inductores en chip físicamente acoplados entre sí excepto a través del suelo; estando acoplada la primera entrada de inductor del primer inductor en chip a una entrada del amplificador de radiofrecuencia en chip; estando acoplada la primera entrada de inductor del segundo inductor en chip a la puerta del primer transistor en chip; estando acoplada la primera entrada de inductor del tercer inductor en chip al drenaje del primer transistor en chip, estando acoplada la primera entrada de inductor del cuarto inductor en chip a una salida del amplificador de radiofrecuencia en chip; estando la segunda entrada de inductor de los primer, segundo, tercer y cuarto inductores en chip acoplada a tierra; y estando la fuente del primer transistor en chip acoplada a tierra; en el que los inductores no forman parte de una estructura de detención de fisuras.

    Control térmico activo para dispositivos de IC apilados
    6.
    发明专利
    Control térmico activo para dispositivos de IC apilados 未知

    公开(公告)号：ES2796653T3

    公开(公告)日：2020-11-27

    申请号：ES09770821

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW ,  TOMS THOMAS R

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38 ,  H01L23/48

    Abstract: Un dispositivo de IC apilado (30) que comprende: un nivel superior (11) y un nivel inferior (12), teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior (11) y el nivel inferior (12) están apilados de modo que la capa activa (102) del nivel superior está enfrente de la capa activa (103) del nivel inferior; y un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N (301, 302) y un conductor inferior (303), en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato (101) del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada (110) del dispositivo de IC apilado (30), y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

    SYSTEMS AND METHODS FOR ENABLING ESD PROTECTION ON 3-D STACKED DEVICES
    8.
    发明专利
    SYSTEMS AND METHODS FOR ENABLING ESD PROTECTION ON 3-D STACKED DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2735689C

    公开(公告)日：2016-06-21

    申请号：CA2735689

    申请日：2009-09-01

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60

    Abstract: An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semi-conductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES
    9.
    发明专利
    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2726476C

    公开(公告)日：2016-05-24

    申请号：CA2726476

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW ,  TOMS THOMAS R

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38

    Abstract: Thermal conductivity in a stacked IC device (30) can be improved by constructing one or more active temperature control devices within the stacked IC device. In one embodiment, the control devices are thermal electric (TE) devices, such as Peltier devices. The TE devices (300) can then be selectively controlled to remove or add heat, as necessary, to maintain the stacked IC device within a defined temperature range. The active temperature control elements can be P-N junctions (301, 302) created in the stacked IC device and can serve to move the heat laterally and/or vertically, as desired.

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