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    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES
    2.
    发明专利
    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2726476A1

    公开(公告)日：2009-12-30

    申请号：CA2726476

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW ,  TOMS THOMAS R

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38

    Abstract: Thermal conductivity in a stacked IC device (30) can be improved by constructing one or more active temperature control devices within the stacked IC device. In one embodiment, the control devices are thermal electric (TE) devices, such as Peltier devices. The TE devices (300) can then be selectively controlled to remove or add heat, as necessary, to maintain the stacked IC device within a defined temperature range. The active temperature control elements can be P-N junctions (301, 302) created in the stacked IC device and can serve to move the heat laterally and/or vertically, as desired.

    Sistema y procedimiento de suministro de potencia conmutado por silicio usando un encapsulado
    3.
    发明专利
    Sistema y procedimiento de suministro de potencia conmutado por silicio usando un encapsulado 未知

    公开(公告)号：ES2785055T3

    公开(公告)日：2020-10-05

    申请号：ES07797397

    申请日：2007-05-09

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： CHUA-EOAN LEW G ,  TOMS THOMAS R ,  ANDREEV BORIS DIMITROV ,  GAGNE JUSTIN JOSEPH ROSEN ,  SHI CHUNLEI

    IPC: H03K17/22

    Abstract: Un procedimiento que comprende: recibir una señal de activación del conmutador en un terminal de control de un conmutador (312) embebido en un sustrato (304), incluyendo el sustrato (304) una pluralidad de dominios, en el que el conmutador (312) está ubicado en un primer dominio de la pluralidad de dominios, y en el que el conmutador (312) comprende una pluralidad de transistores; conmutar una señal a una primera protuberancia ("bump", 336) de un encapsulado de flip chip (302) acoplado física y eléctricamente al sustrato, estando acoplada la primera protuberancia al conmutador (312) del sustrato (304) en respuesta a recibir la activación del conmutador señal; en el que conmutar la señal comprende activar la pluralidad de transistores en etapas durante varios ciclos de reloj para producir un voltaje de suministro en rampa aplicado a la primera protuberancia (336) del encapsulado, en el que cada una de las etapas incluye la activación de al menos un transistor de la pluralidad de transistores, y comprende, además, acoplar selectivamente un terminal del conmutador a la primera protuberancia del encapsulado para encaminar la señal a través de una metalización del encapsulado; y recibir la señal en una unidad de procesamiento de un segundo dominio de la pluralidad de dominios del sustrato desde una segunda protuberancia (340) del encapsulado (302).

    Sistema y procedimiento de control de distribución de energía de un circuito integrado
    5.
    发明专利
    Sistema y procedimiento de control de distribución de energía de un circuito integrado 未知

    公开(公告)号：ES2810015T3

    公开(公告)日：2021-03-08

    申请号：ES07761131

    申请日：2007-04-23

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： CHUA-EOAN LEW G ,  ANDREEV BORIS ,  RIDDLE CHRISTOPHER ,  SHI CHUNLEI ,  JUNG SEONG-OOK ,  TOMS THOMAS R ,  GAGNE JUSTIN JOSEPH ROSEN

    IPC: H02M3/158 ,  H02M1/00 ,  H03K19/00

    Abstract: Un circuito integrado de administración de energía (102) que comprende: un primer pin (116) para suministrar energía a un primer dominio de energía (106) de un dispositivo de circuito integrado (104); un segundo pin (118) para suministrar energía a un segundo dominio de energía (108) del dispositivo de circuito integrado (104); un regulador de conmutación (110) acoplado al primer pin (116) para proporcionar una primera fuente de alimentación regulada al primer dominio de energía (106) y acoplado al segundo pin (118) para proporcionar una segunda fuente de alimentación regulada al segundo dominio de energía (108); una lógica (112) que comprende un controlador principal (210) acoplado al primer pin (116) y al segundo pin (118) para mantener el flujo de corriente al primer pin (116) mientras se reduce selectivamente el flujo de corriente al segundo pin (118)) durante un evento de baja potencia; un primer transistor (212) que incluye un primer terminal (232) conectado al primer pin (116), un terminal de control (234) acoplado al controlador principal (210) y un segundo terminal (236) conectado al segundo pin (118); un segundo transistor (302) dispuesto en paralelo con el primer transistor (212) que incluye un primer terminal (304) conectado al primer pin (116), un terminal de control (306) acoplado al terminal de control (234) del primer transistor (212), y un segundo terminal (306) conectado al segundo pin (118); y en donde el controlador principal (210) desactiva selectivamente el primer transistor (212) y el segundo transistor (302) para cortar el flujo de corriente al segundo pin (118) durante el evento de baja potencia.

    CONTROL TERMICO ACTIVO PARA DISPOSITIVOS APILADOS.
    6.
    发明专利
    CONTROL TERMICO ACTIVO PARA DISPOSITIVOS APILADOS. 未知

    公开(公告)号：MX2010013880A

    公开(公告)日：2011-01-20

    申请号：MX2010013880

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： TOMS THOMAS R ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38

    Abstract: La conductividad térmica en un dispositivo IC apilado (30) se puede mejorar construyendo uno o más dispositivos de control de temperatura activos dentro del dispositivo IC apilado; en una modalidad, los dispositivos de control son dispositivos eléctricos térmicos (TE) tal como dispositivos de Peltier; los dispositivos TE (300) entonces pueden ser selectivamente controlados para remover o agregar calor, según sea necesario, para mantener el dispositivo IC apilado dentro de un rango de temperatura definido; los elementos de control de temperatura activos pueden ser empalmes P-N (301-302) creados en el dispositivo IC apilado y pueden servir para mover el calor lateralmente y/o verticalmente, según se desee.

    Control térmico activo para dispositivos de IC apilados
    7.
    发明专利
    Control térmico activo para dispositivos de IC apilados 未知

    公开(公告)号：ES2796653T3

    公开(公告)日：2020-11-27

    申请号：ES09770821

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW ,  TOMS THOMAS R

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38 ,  H01L23/48

    Abstract: Un dispositivo de IC apilado (30) que comprende: un nivel superior (11) y un nivel inferior (12), teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior (11) y el nivel inferior (12) están apilados de modo que la capa activa (102) del nivel superior está enfrente de la capa activa (103) del nivel inferior; y un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N (301, 302) y un conductor inferior (303), en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato (101) del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada (110) del dispositivo de IC apilado (30), y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES
    10.
    发明专利
    ACTIVE THERMAL CONTROL FOR STACKED IC DEVICES 未知

    公开(公告)号：CA2726476C

    公开(公告)日：2016-05-24

    申请号：CA2726476

    申请日：2009-06-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW ,  TOMS THOMAS R

    IPC: H01L25/065 ,  H01L23/38

    Abstract: Thermal conductivity in a stacked IC device (30) can be improved by constructing one or more active temperature control devices within the stacked IC device. In one embodiment, the control devices are thermal electric (TE) devices, such as Peltier devices. The TE devices (300) can then be selectively controlled to remove or add heat, as necessary, to maintain the stacked IC device within a defined temperature range. The active temperature control elements can be P-N junctions (301, 302) created in the stacked IC device and can serve to move the heat laterally and/or vertically, as desired.

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