公开(公告)号：CA2735689C

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：CA2735689

申请日：2009-09-01

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60

Abstract: An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semi-conductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

公开(公告)号：ES2798601T3

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：ES16733262

申请日：2016-06-15

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： SEZAN MUHAMMED IBRAHIM ,  DANTSKER EUGENE ,  KASKOUN KENNETH ,  NIZNIK BRIAN DAVID ,  TALBOT CHRISTOPHER ,  KLEIN ILENE

IPC: A61B1/00 ,  A61B1/227 ,  A61B5/00 ,  A61B5/01

Abstract: Un aparato (100), que comprende: un primer auricular (105, 105a, 105b); un segundo auricular (105, 105a, 105b); un sistema de fuente de luz (205) que incluye una fuente de luz (110); un sistema de sensores de imagen (120) capaz de formar imágenes en base, al menos en parte, a la luz reflejada desde el primer oído (220a, 220b) del usuario (215) y el segundo oído (220a, 220b) del usuario (215); y un sistema de control (125) capaz de controlar el sistema de fuente de luz (205) y el sistema de sensores de imagen (120), caracterizado porque el sistema de fuente de luz (205) es un sistema de fuente de luz única (205); y comprendiendo además el aparato (100): un sistema de transporte de luz (115) capaz de transportar luz desde el sistema de fuente de luz única (205) a un primer oído (220a, 220b) del usuario (215) y al segundo oído (220a, 220b) del usuario (215), a través del primer auricular (105, 105a, 105b) y el segundo auricular (105, 105a, 105b).

公开(公告)号：CA2720966C

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：CA2720966

申请日：2009-04-27

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW M

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: By filling an air gap between tiers (31,32) of a stacked IC device with a thermally conductive material (320) heat generated at one or more locations within one of the tiers can be laterally displaced. The lateral displacement of the heat can be along the full length of the tier and the thermal materia can be electrically insulating. Through silicon-vias (331) can be constructe at certain locations to assist in heat dissipation away from thermally troubled locations (310).

公开(公告)号：MX2010011848A

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：MX2010011848

申请日：2009-04-27

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： GU SHIQUN ,  KASKOUN KENNETH ,  NOWAK MATTHEW M

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L23/373

Abstract: Mediante el relleno de un espacio de aire entre las capas (31,32) de un dispositivo IC apilado con un material térmicamente conductor (320), se puede desplazar lateralmente el calor generado en una o más ubicaciones dentro de una de las capas. El desplazamiento lateral del calor puede ser a lo largo de la longitud total de la capa y el material térmico se puede aislar eléctricamente. En ciertas ubicaciones se pueden construir interconexiones de silicio continuas (331) para ayudar en la disipación de calor lejos de las ubicaciones (310) con problemas térmicos.

公开(公告)号：CA2735689A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：CA2735689

申请日：2009-09-01

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60

Abstract: An electrostatic discharge (ESD) protection device is fabricated in a vertical space between active layers of stacked semiconductor dies thereby utilizing space that would otherwise be used only for communication purposes. The vertical surface area of the through silicon vias (TSVs) is used for absorbing large voltages resulting from ESD events. In one embodiment, an ESD diode is created in a vertical TSV between active layers of the semiconductor dies of a stacked device. This ESD diode can be shared by circuitry on both semiconductor dies of the stack thereby saving space and reducing die area required by ESD protection circuitry.

公开(公告)号：CA2952504A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：CA2952504

申请日：2015-06-04

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  ZHANG RONGTIAN ,  NOWAK MATTHEW MICHAEL ,  GU SHIQUN

IPC: H01L21/48 ,  A61B5/00 ,  A61M37/00 ,  H01L23/50

Abstract: An integrated circuit (IC) module with a lead frame micro-needle for a medical device, and methods of forming the IC module are described. The methods include forming a lead frame blank including a micro-needle integrally formed therein. The micro-needle may be bent beyond an initial lower side of the lead frame blank. The initial lower side may be joined with a protection layer such that the bent micro-needle is embedded in the protection layer, which may be removably attached to the initial lower side and the bent micro-needle. An IC component may be affixed to an upper side of the lead frame blank. The IC component and an upper surface of a core of the lead frame blank may be encapsulated with a molding compound forming a packaging of the IC module. Removal of the protection layer may expose the bent micro-needle projecting away from the packaging.

公开(公告)号：MX2011002564A

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：MX2011002564

申请日：2009-09-01

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： GU SHIQUN ,  KASKOUN KENNETH ,  NOWAK MATTHEW

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L23/60

Abstract: Un dispositivo de protección contra descarga electrostática (ESD) se fabrica en un espacio vertical entre capas activas de dados de semiconductor apilados utilizando así espacio que de otra forma sería utilizado solamente para propósitos de comunicación; el área de superficie vertical de las vías a través de silicio (TSV) se utiliza para absorber voltajes grandes que resultan de os eventos ESD; en una modalidad, un diodo ESD se crea en una TSV vertical entre capas activas de dados de semiconductor de un dispositivo apilado; este diodo ESD puede ser compartido por circuitería en ambos dados de semiconductor de la pila ahorrando así espacio y reduciendo él área de dado requerida por circuitería de protección ESD.

公开(公告)号：CA2720966A1

公开(公告)日：2009-11-12

申请号：CA2720966

申请日：2009-04-27

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  GU SHIQUN ,  NOWAK MATTHEW M

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: By filling an air gap between tiers (31,32) of a stacked IC device with a thermally conductive material (320) heat generated at one or more locations within one of the tiers can be laterally displaced. The lateral displacement of the heat can be along the full length of the tier and the thermal materia can be electrically insulating. Through silicon-vias (331) can be constructe at certain locations to assist in heat dissipation away from thermally troubled locations (310).

公开(公告)号：WO2010065667A3

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/US2009066450

申请日：2009-12-02

Applicant: QUALCOMM INC ,  KASKOUN KENNETH ,  MATSUMORI BARRY ,  YU NICHOLAS ,  NOWAK MATTHEW

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  MATSUMORI BARRY ,  YU NICHOLAS ,  NOWAK MATTHEW

IPC: H04M3/24

CPC classification number: G06Q30/02 ,  G06Q30/0185

Abstract: A device wirelessly broadcasts branding information associated with a consumer product attached to the device. The branding information is sent to a receiver located remotely from the product.

Abstract translation: 设备无线地广播与附接到设备的消费者产品相关联的品牌信息。 品牌信息被发送到远离产品的接收器。

公开(公告)号：EP2401820A4

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：EP09775415

申请日：2009-12-02

Applicant: QUALCOMM INC

Inventor： KASKOUN KENNETH ,  MATSUMORI BARRY ,  YU NICHOLAS ,  NOWAK MATTHEW

IPC: G06Q30/06

CPC classification number: G06Q30/02 ,  G06Q30/0185

Abstract: A device wirelessly broadcasts branding information associated with a consumer product attached to the device. The branding information is sent to a receiver located remotely from the product.