公开(公告)号：CN102292809A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980155187.X

申请日：2009-12-30

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： D·朗德吕 ,  F·格里蒂 ,  E·吉奥特 ,  O·科农丘克 ,  C·韦蒂祖

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: 本发明涉及一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构接连包括载体衬底、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。所述方法在所述主要热处理之前包括覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。