公开(公告)号：CN102119440B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN200980131338.8

申请日：2009-09-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·维提泽 ,  F·格里蒂 ,  E·吉奥特 ,  O·科农丘克 ,  D·朗德吕

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述绝缘体上半导体型结构连续包括支撑衬底(1)、氧化物层(2)和薄半导体层(3)，所述方法包括下列步骤：(a)在薄半导体层(3)上形成氮化硅或氮氧化硅掩膜(4)，从而在所述层(3)的表面确定所谓的暴露区域(3a)，所述暴露区域(3a)未被掩膜(40)覆盖，并且以所需图案设置，(b)在中性或受控的还原气氛中以及在受控的温度和时间条件下进行热处理，从而引发氧化物层(2)中的至少一部分氧扩散穿过薄半导体层(3)，由此导致在氧化物层的对应于所述所需图案的区域(2a)中在氧化物的厚度上的受控还原。在步骤(a)中，形成掩膜(4)，从而至少部分的将其埋入在薄半导体层(3)的厚度中。

公开(公告)号：CN102119440A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131338.8

申请日：2009-09-21

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： C·维提泽 ,  F·格里蒂 ,  E·吉奥特 ,  O·科农丘克 ,  D·朗德吕

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述绝缘体上半导体型结构连续包括支撑衬底(1)、氧化物层(2)和薄半导体层(3)，所述方法包括下列步骤：(a)在薄半导体层(3)上形成氮化硅或氮氧化硅掩膜(4)，从而在所述层(3)的表面确定所谓的暴露区域(3a)，所述暴露区域(3a)未被掩膜(40)覆盖，并且以所需图案设置，(b)在中性或受控的还原气氛中以及在受控的温度和时间条件下进行热处理，从而引发氧化物层(2)中的至少一部分氧扩散穿过薄半导体层(3)，由此导致在氧化物层的对应于所述所需图案的区域(2a)中在氧化物的厚度上的受控还原。在步骤(a)中，形成掩膜(4)，从而至少部分的将其埋入在薄半导体层(3)的厚度中。

公开(公告)号：CN102292809A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980155187.X

申请日：2009-12-30

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： D·朗德吕 ,  F·格里蒂 ,  E·吉奥特 ,  O·科农丘克 ,  C·韦蒂祖

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

Abstract: 本发明涉及一种处理绝缘体上半导体型结构的方法，所述结构接连包括载体衬底、氧化物层(2)和半导体材料的薄层(3)，所述结构具有露出所述氧化物层(2)的外周环，所述方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。所述方法在所述主要热处理之前包括覆盖至少所述氧化物层(2)的暴露外周部分的步骤，所述主要热处理是在受控的时间和温度条件下进行的，以便促进所述氧化物层(2)的至少一部分氧通过薄半导体层(3)扩散，导致所述氧化物层(2)的厚度的受控降低。