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1.

发明公开
用于改进所剥离薄层质量的热处理失效

公开(公告)号：CN1930674A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007126.0

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔 , T·赤津 , N-P·阮 , O·雷萨克 , K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 , Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成结构(30)的方法，该结构包含从施主晶片(10)剥离的层(1，2)，在剥离之前该施主晶片包含由含锗的半导体材料制成的第一层(1)。本发明的方法包括(a)在所述第一含锗层(1)的厚度中形成弱区(4)，(b)将施主晶片(10)键合到主晶片(20)和(c)提供能量，以便于弱化弱区(4)中的施主晶片(10)。本发明的特征在于，步骤(a)是通过使施主晶片经受至少两种不同原子种类的共同注入而实现的，以及步骤(c)是通过在300℃到400℃的温度进行30分钟到四个小时的热处理而实现的。

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