公开(公告)号：CN1950938A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014164.9

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： T·赤津 ,  N·达瓦尔 ,  N-P·源 ,  K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成包括层(1)的结构(30)的方法，该层(1)由选自半导体材料的材料制成且从施主晶片(10)剥离。本发明的方法包括：(a)注入原子种类用于在施主晶片(10)中接近剥离层(1)厚度的深度处形成脆弱区(4)，(b)将该施主晶片键合到接收晶片(20)，(c)提供热能用于在脆弱区(4)中从施主晶片(10)分开剥离层(1)，以及(d)处理该剥离层(1)。所述方法的特征在于：阶段(e)包括当所述剥离层仍与施主晶片(10)的剩余部分接触时所进行的剥离层(1)的恢复操作，且所述恢复操作通过在比剥离层(1)与施主晶片剩余部分(10′)的重附着温度低的温度的热处理进行。

公开(公告)号：CN1950937A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014163.4

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔 ,  T·赤津 ,  N-P·源 ,  O·雷萨克 ,  K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成包含从施主晶片(10)剥离的层(2)的结构(30)的方法，该施主晶片(10)在去除之前包含由不同材料制成的第一层(1)和第二层(2)。本发明的方法在于：(a)注入原子种类用于在第二层(2)下面形成脆弱区(4)，(b)将施主晶片(10)键合到接收晶片(20)，(c)提供能量用于在脆弱区(4)中从施主晶片分离剥离层(1，2)，以及(d)选择性地蚀刻在第二层(2)前面的第一层(1)的剩余部分。所述方法还涉及在低于约800℃的温度进行的键合增强阶段。以这样一种方式来控制在阶段(a)执行的注入的参数，使得在阶段(c)之后立即出现的粗糙度最小化。

公开(公告)号：CN102084478A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126223.X

申请日：2009-07-03

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： K·布德尔 ,  D·朗德吕 ,  K·朗德里

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及一种制造结构的方法，所述结构特别应用于电子学、光学、或光电子学的领域，该结构包括支撑衬底(3)上的半导体材料的薄层(1)，其中：a)所述薄层(1)通过分子附着力粘接键合到所述支撑衬底(3)上；b)通过该方式得到的所述结构被热处理，以稳定粘接键合界面(2)，其特征在于在步骤b)之前，在所述界面(2)上进行离子注入，从而薄层(1)上的原子被转移到支撑衬底(3)上，和/或支撑衬底(3)上的原子被转移到薄层(1)上。

公开(公告)号：CN1950937B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200580014163.4

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔 ,  T·赤津 ,  N-P·源 ,  O·雷萨克 ,  K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成包含从施主晶片(10)剥离的层(2)的结构(30)的方法，该施主晶片(10)在去除之前包含由不同材料制成的第一层(1)和第二层(2)。本发明的方法在于：(a)注入原子种类用于在第二层(2)下面形成脆弱区(4)，(b)将施主晶片(10)键合到接收晶片(20)，(c)提供能量用于在脆弱区(4)中从施主晶片分离剥离层(1，2)，以及(d)选择性地蚀刻在第二层(2)前面的第一层(1)的剩余部分。所述方法还涉及在低于约800℃的温度进行的键合增强阶段。以这样一种方式来控制在阶段(a)执行的注入的参数，使得在阶段(c)之后立即出现的粗糙度最小化。

公开(公告)号：CN1930674A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200580007126.0

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： N·达瓦尔 ,  T·赤津 ,  N-P·阮 ,  O·雷萨克 ,  K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成结构(30)的方法，该结构包含从施主晶片(10)剥离的层(1，2)，在剥离之前该施主晶片包含由含锗的半导体材料制成的第一层(1)。本发明的方法包括(a)在所述第一含锗层(1)的厚度中形成弱区(4)，(b)将施主晶片(10)键合到主晶片(20)和(c)提供能量，以便于弱化弱区(4)中的施主晶片(10)。本发明的特征在于，步骤(a)是通过使施主晶片经受至少两种不同原子种类的共同注入而实现的，以及步骤(c)是通过在300℃到400℃的温度进行30分钟到四个小时的热处理而实现的。

公开(公告)号：CN100592493C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200580014164.9

申请日：2005-03-07

Applicant: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

Inventor： T·赤津 ,  N·达瓦尔 ,  N-P·源 ,  K·布德尔

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y02P70/605

Abstract: 本发明涉及一种形成包括层(1)的结构(30)的方法，该层(1)由选自半导体材料的材料制成且从施主晶片(10)剥离。本发明的方法包括：(a)注入原子种类用于在施主晶片(10)中接近剥离层(1)厚度的深度处形成脆弱区(4)，(b)将该施主晶片键合到接收晶片(20)，(c)提供热能用于在脆弱区(4)中从施主晶片(10)分开剥离层(1)，以及(d)处理该剥离层(1)。所述方法的特征在于：阶段(e)包括当所述剥离层仍与施主晶片(10)的剩余部分接触时所进行的剥离层(1)的恢复操作，且所述恢复操作通过在比剥离层(1)与施主晶片剩余部分(10′)的重附着温度低的温度的热处理进行。