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    等离子处理装置
    1.
    发明公开
    等离子处理装置 有权

    公开(公告)号：CN102859664A

    公开(公告)日：2013-01-02

    申请号：CN201080064852.7

    申请日：2010-11-25

    Applicant: SPP科技股份有限公司

    Inventor： 林靖之 ,  富阪贤一

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/321

    Abstract: 本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。

    蚀刻装置与等离子处理装置
    2.
    发明授权
    蚀刻装置与等离子处理装置 有权

    公开(公告)号：CN102859664B

    公开(公告)日：2015-03-11

    申请号：CN201080064852.7

    申请日：2010-11-25

    Applicant: SPP科技股份有限公司

    Inventor： 林靖之 ,  富阪贤一

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/321

    Abstract: 本发明涉及一种可将覆盖基板的外周侧缘部上表面的保护构件高精度地定位的等离子处理装置。等离子处理装置（1）包括：处理腔室（11）；基台（21），载置基板（K）；气体供给装置（45），供给处理气体；等离子生成装置（50），将处理气体等离子化；高频电源（55），对基台（21）供给高频电力；环状且为板状的保护构件（31），形成为环状且为板状，构成为可载置在基台（21）的外周部，并且当载置在基台（21）的外周部时，利用内周侧缘部覆盖基板（K）的外周侧缘部上表面；支撑构件（35），支撑保护构件（31）；及升降气缸（30），使基台（21）升降。在保护构件（31）的下表面上形成设置在节圆上的至少3个第1突起（33），当保护构件（31）载置在基台（21）上时，所述第1突起（33）与基台（21）的外周部卡合，且该节圆的中心与保护构件（31）的中心轴在同一轴上。

    基板载置台及其电浆处理装置以及电浆处理方法
    3.
    发明授权
    基板载置台及其电浆处理装置以及电浆处理方法 有权

    公开(公告)号：CN110352482B

    公开(公告)日：2024-06-07

    申请号：CN201980001478.7

    申请日：2019-01-09

    Applicant: SPP科技股份有限公司

    Inventor： 林靖之

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台(15)，其可减轻腔室(11)内的温度等的外部因素影响。配置于电浆处理装置(1)中的腔室(11)内的基板载置台(15)，具备静电夹头(61)与冷却套管(62)，静电夹头(61)由上侧圆盘部(61a)与下侧圆盘部(61b)所构成，该上侧圆盘部(61a)内建用以静电吸附的电极(71)，该下侧圆盘部(61b)具有比上侧圆盘部(61a)更大的直径，且内建加热器(72)。配置于上侧圆盘部(61a)的径向外侧并且覆盖下侧圆盘部(61b)上表面的聚焦环(64)、将冷却套管(62)的至少一部分及下侧圆盘部(61b)围住的隔热用上侧环状盖(65)、以及与上侧环状盖(65)一起夹持冷却套管(62)的隔热用下侧环状盖(66)为陶瓷制成。

    基板载置台及其电浆处理装置以及电浆处理方法
    4.
    发明公开
    基板载置台及其电浆处理装置以及电浆处理方法 有权

    公开(公告)号：CN110352482A

    公开(公告)日：2019-10-18

    申请号：CN201980001478.7

    申请日：2019-01-09

    Applicant: SPP科技股份有限公司

    Inventor： 林靖之

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

    Abstract: 本发明提供一种基板载置台(15)，其可减轻腔室(11)内的温度等的外部因素影响。配置于电浆处理装置(1)中的腔室(11)内的基板载置台(15)，具备静电夹头(61)与冷却套管(62)，静电夹头(61)由上侧圆盘部(61a)与下侧圆盘部(61b)所构成，该上侧圆盘部(61a)内建用以静电吸附的电极(71)，该下侧圆盘部(61b)具有比上侧圆盘部(61a)更大的直径，且内建加热器(72)。配置于上侧圆盘部(61a)的径向外侧并且覆盖下侧圆盘部(61b)上表面的聚焦环(64)、将冷却套管(62)的至少一部分及下侧圆盘部(61b)围住的隔热用上侧环状盖(65)、以及与上侧环状盖(65)一起夹持冷却套管(62)的隔热用下侧环状盖(66)为陶瓷制成。

    等離子蝕刻裝置
    8.
    发明专利
    等離子蝕刻裝置 审中-公开
    等离子蚀刻设备

    公开(公告)号：TW201419406A

    公开(公告)日：2014-05-16

    申请号：TW102134536

    申请日：2013-09-25

    Applicant: SPP科技股份有限公司 ,  SPP TECHNOLOGIES CO., LTD.

    Inventor： 山本孝 ,  YAMAMOTO, TAKASHI ,  太田和也 ,  OTA, KAZUYA ,  笹倉昌浩 ,  SASAKURA, MASAHIRO ,  林靖之 ,  HAYASHI, YASUYUKI

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32724 ,  H01J2237/0656 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667

    Abstract: 本發明係有關一種基板蝕刻裝置，其可提高所生成等離子平面內密度之均勻性，並對基板表面整體均勻地進行蝕刻。該基板蝕刻裝置具備有腔室2，其設定有等離子生成空間3及處理空間4；線圈30，其配設於上腔體部6外側；基台40，其配設於處理空間4，用以載置基板K；蝕刻氣體供應機構25，其係將蝕刻氣體供應至等離子生成空間3；線圈電力供應機構35，其係將高頻率電力供應至線圈30；及基台電力供應機構45，其係將高頻率電力供應至基台40。再者，錐狀之等離子密度調整構件20係固設於等離子生成空間3與基台40間之腔室2之內壁上，而且於腔室20之上部，朝向下方地延設有圓筒狀之芯構件10，該芯構件10係形成有朝向下端部直徑變小之錐形部。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种基板蚀刻设备，其可提高所生成等离子平面内密度之均匀性，并对基板表面整体均匀地进行蚀刻。该基板蚀刻设备具备有腔室2，其设置有等离子生成空间3及处理空间4；线圈30，其配设于上腔体部6外侧；基台40，其配设于处理空间4，用以载置基板K；蚀刻气体供应机构25，其系将蚀刻气体供应至等离子生成空间3；线圈电力供应机构35，其系将高频率电力供应至线圈30；及基台电力供应机构45，其系将高频率电力供应至基台40。再者，锥状之等离子密度调整构件20系固设于等离子生成空间3与基台40间之腔室2之内壁上，而且于腔室20之上部，朝向下方地延设有圆筒状之芯构件10，该芯构件10系形成有朝向下端部直径变小之锥形部。

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