公开(公告)号：CN100483740C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN1773725A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510104071.7

申请日：2005-09-15

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 帕司考·安希 ,  尼古拉斯·艾博勒 ,  法布瑞司·卡赛特

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H03B5/12

CPC classification number: G01P15/124 ,  B81B3/0035 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0109 ,  G01L1/005 ,  G01L9/0098 ,  H03B5/12 ,  H03B5/1237 ,  H03B5/30

Abstract: 一种具有形成在半导体衬底中的可变形栅极的MOS晶体管，包括由沟道区隔开的源区和漏区，该沟道区沿从源极到漏极的第一方向延伸，并沿与该第一方向垂直的第二方向延伸，以及至少设置在于沟道区每一侧的衬底上设置的支承点之间、沿第二方向延伸的沟道区上方的导电栅极梁，使得该沟道区的表面是空的，并且具有类似于当所述梁处于朝向沟道区的最大弯折时的栅极梁形状的形状。

公开(公告)号：CN1975946A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610128024.0

申请日：2006-08-31

Applicant: ST微电子公司

Inventor： 纪尧姆·布什 ,  法布瑞司·卡赛特 ,  帕司考·安希

IPC: H01G5/00 ,  H01G13/00

CPC classification number: H01G5/16 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49139 ,  Y10T29/49147 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T83/0476 ,  Y10T83/0505 ,  Y10T83/051 ,  Y10T83/0577

Abstract: 一种形成可变电容器的方法，所述可变电容器包括覆盖空腔的内部的导电带和置在该空腔的上方的弹性导电薄膜，其中该空腔的形成包括：在基片中形成凹口；在该凹口中置入展性材料；在该凹口处使模具靠压着该基片以赋予该展性材料的上部希望的形状；使该展性材料硬化；以及移除该模具。