公开(公告)号：FR2996679A1

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：FR1259614

申请日：2012-10-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CAUBET PIERRE ,  DOMENGIE FLORIAN ,  BAUDOT SYLVAIN

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de nitrure de titane d'aluminium (TiAlN) sur une plaquette (56) par un dépôt physique en phase vapeur assisté par plasma, comprenant une première étape uniquement à une puissance radiofréquence comprise entre 100 et 500 W, et une seconde étape à puissance radiofréquence comprise entre 500 et 1000 W superposée à une puissance continue (DC) comprise entre 100 et 1000 W. L'invention concerne également une grille isolée comprenant une telle couche de nitrure de titane d'aluminium.

公开(公告)号：FR3005201A1

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：FR1353728

申请日：2013-04-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BAUDOT SYLVAIN ,  CAUBET PIERRE ,  DOMENGIE FLORIAN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: Le procédé de réalisation d'au moins un transistor MOS, comprend une formation de régions dopées de source et de drain comportant un recuit d'activation des dopants (RC) et, préalablement à ladite formation des régions de source et de drain, une formation au dessus d'un substrat d'une région diélectrique (2) et une formation d'une grille (3) comportant une formation d'une région de grille métallique (30). La formation de la région de grille métallique (30) comprend une formation d'une couche d'un premier matériau (301) destiné à diminuer la valeur absolue de la tension de seuil du transistor, et une configuration d'une partie (302) de la région de grille métallique de façon à former également une barrière de diffusion au dessus de ladite couche du premier matériau.

公开(公告)号：FR3063151B1

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：FR1751328

申请日：2017-02-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GUERBER SYLVAIN ,  BAUDOT CHARLES ,  DOMENGIE FLORIAN

IPC: G02B6/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: Circuit intégré photonique comportant un dispositif de couplage (DIS) situé entre deux niveaux de métal successifs (61, 62) de sa région d'interconnexion (6) et comportant une première portion (P1) configurée pour recevoir un signal optique incident (SIG), comportant une composante transverse électrique dans un mode fondamental et une composante transverse magnétique, une deuxième portion (P2) configurée pour convertir la composante transverse magnétique du signal incident (SIG) en une composante transverse électrique convertie dans un mode différent du mode fondamental, une troisième portion (P3) configurée pour séparer la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie de façon à faire passer la composante transverse électrique convertie dans un mode fondamental, et une quatrième portion (P4) configurée pour transmettre la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie audit au moins un guide d'ondes (GO).

公开(公告)号：FR3063151A1

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：FR1751328

申请日：2017-02-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GUERBER SYLVAIN ,  BAUDOT CHARLES ,  DOMENGIE FLORIAN

IPC: G02B6/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: Circuit intégré photonique comportant un dispositif de couplage (DIS) situé entre deux niveaux de métal successifs (61, 62) de sa région d'interconnexion (6) et comportant une première portion (P1) configurée pour recevoir un signal optique incident (SIG), comportant une composante transverse électrique dans un mode fondamental et une composante transverse magnétique, une deuxième portion (P2) configurée pour convertir la composante transverse magnétique du signal incident (SIG) en une composante transverse électrique convertie dans un mode différent du mode fondamental, une troisième portion (P3) configurée pour séparer la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie de façon à faire passer la composante transverse électrique convertie dans un mode fondamental, et une quatrième portion (P4) configurée pour transmettre la composante transverse électrique et la composante transverse électrique convertie audit au moins un guide d'ondes (GO).