公开(公告)号：FR3126258A1

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：FR2108802

申请日：2021-08-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DEL MEDICO SYLVIE ,  GRENIER JEAN-CHRISTOPHE ,  GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE ,  KOWALCZYK PHILIPPE ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: H01L21/82 ,  H01L23/528 ,  H01L33/52

Abstract: Structure d'interconnexion d’un circuit intégré La présente description concerne un procédé de fabrication d’une structure d’interconnexion (210) d’un circuit intégré (200) destiné à être encapsulé dans une résine d’encapsulation en contact avec une première face (220A) d’une couche de protection (220), ladite couche de protection reposant sur une première face (210A) de la structure d’interconnexion, la structure d’interconnexion comprenant des éléments d’interconnexion en cuivre (212, 214) s’étendant au moins en partie à travers une couche isolante (216) et affleurant à la première face de ladite structure d’interconnexion ;le procédé de fabrication comprenant une étape de structuration de la couche de protection ou une étape de formation de la couche de protection avec structuration, ladite étape de structuration ou ladite étape de formation étant adaptée à structurer la première face de la couche de protection sous la forme d’une alternance de crêtes et de dépressions. Figure pour l'abrégé : Fig. 3D

公开(公告)号：FR2966284A1

公开(公告)日：2012-04-20

申请号：FR1058345

申请日：2010-10-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GIRAUDIN JEAN-CHRISTOPHE ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L23/538

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant passif (3) dans au moins un niveau de métallisation supérieur (M7) d'un empilement de niveaux de métallisation et de couches isolantes (70b) alternés revêtant un substrat semiconducteur (5) d'une puce (10) de circuits intégrés, les niveaux de métallisation étant reliés par des vias métalliques traversant les couches isolantes, ce procédé comprenant les étapes suivantes : a) former, sous le composant, un réseau (21) d'une ou plusieurs pistes métalliques interconnectées s étendant dans au moins un niveau inférieur ou intermédiaire de métallisation de l'empilement, ce niveau étant disposé entre le substrat (5) et le dit au moins un niveau supérieur ; b) former au moins une zone d'accès (23) reliant le réseau à la face supérieure de l'empilement ; et c) retirer le métal du réseau par gravure sélective.