公开(公告)号：FR2885733A1

公开(公告)日：2006-11-17

申请号：FR0504891

申请日：2005-05-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Une structure de transistor comprend un élément semiconducteur (1) s'étendant entre une zone de source (2) et une zone de drain (3), ainsi que trois portions de grilles (4, 5, 6) disposées sur des côtés différents de l'élément semiconducteur. Une telle structure est particulièrement compacte et peut être utilisée comme deux ou trois transistors ayant des fonctions respectives indépendantes. En particulier, la structure peut être utilisée comme une combinaison d'un transistor à fonction logique ou analogique, avec une ou deux cellules de mémoire à accès aléatoire.

公开(公告)号：FR2897981A1

公开(公告)日：2007-08-31

申请号：FR0601663

申请日：2006-02-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  BUSTOS JESSY

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

Abstract: Procédé de fabrication de transistor 1, dans lequel on forme une couche de résine électroniquement sensible disposée entre au moins deux doigts semiconducteurs 5 et on transforme ladite résine disposée entre au moins deux fils pour la rendre diélectrique.

公开(公告)号：FR2897981B1

公开(公告)日：2008-05-30

申请号：FR0601663

申请日：2006-02-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： WACQUEZ ROMAIN ,  CORONEL PHILIPPE ,  BUSTOS JESSY

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786

公开(公告)号：FR2885733B1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：FR0504891

申请日：2005-05-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Structure has a semiconductor unit (1) extending along a longitudinal direction (L1) between source and drain regions (2, 3), and comprising parts (11, 12). The part (12) is connected to a side of the part (11) on a length between the regions. A gate portion (4) is located on another side of the part (11) opposite to the part (12). Two gate portions (5, 6) are located respectively on the opposite sides of the part (12), along a direction (L2) perpendicular to the direction (L1). Electric insulation layers are located respectively between the unit and the gate portions (4, 5, 6). An independent claim is also included for: a method of forming a transistor structure.

公开(公告)号：FR2889622A1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：FR0552460

申请日：2005-08-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  BUSTOS JESSY ,  WACQUEZ ROMAIN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à nanodoigts semiconducteurs en parallèle, comprenant les étapes suivantes :former une couche monocristalline d'un matériau semiconducteur (6) sur une couche d'un matériau sous-jacent (5) sélectivement gravable par rapport à cette couche monocristalline ;graver des cloisons parallèles dans la couche monocristalline (6) et dans la couche (5) sous-jacente ;remplir l'intervalle entre les cloisons d'un premier matériau isolant ;délimiter une partie centrale des cloisons, éliminer le premier matériau isolant autour de ladite partie centrale, et éliminer ladite couche de matériau sous-jacent sous ladite partie centrale, d'où il résulte qu'un doigt (21) dudit matériau semiconducteur est formé ; etremplir et revêtir la partie centrale d'un matériau conducteur (29).