公开(公告)号：FR2928029A1

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：FR0851266

申请日：2008-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BERNARD EMILIE ,  GUILLAUMOT BERNARD ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une région semi-conductrice de canal et une région de grille, la région de grille comprenant au moins une partie enterrée s'étendant sous la région de canal. La formation de la partie enterrée de la région de grille comprend :- une formation d'une cavité sous la région de canal,- un remplissage au moins partiel de la cavité par au moins du silicium et un métal,- la formation d'un siliciure dudit métal.

公开(公告)号：FR2928029B1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0851266

申请日：2008-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BERNARD EMILIE ,  GUILLAUMOT BERNARD ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2928028B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0851265

申请日：2008-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BERNARD EMILIE ,  GUILLAUMOT BERNARD ,  CORONEL PHILIPPE ,  VIZIOZ CHRISTIAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2928028A1

公开(公告)日：2009-08-28

申请号：FR0851265

申请日：2008-02-27

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS GRENOBLE ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： BERNARD EMILIE ,  GUILLAUMOT BERNARD ,  CORONEL PHILIPPE ,  VIZIOZ CHRISTIAN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comportant une région semi-conductrice de canal et une région de grille, la région de grille comprenant au moins une partie enterrée s'étendant sous la région de canal. La formation de la partie enterrée de la région de grille comprend :- une formation d'une cavité sous la région de canal,- le remplissage de la cavité par un premier matériau,- la mise en contact avec le premier matériau, d'aluminium ou d'un deuxième matériau semi-conducteur différent du premier,- une substitution du premier matériau par l'aluminium, ou la diffusion du second matériau semi-conducteur dans le premier matériau.