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    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：FR2915023B1

    公开(公告)日：2009-07-17

    申请号：FR0702696

    申请日：2007-04-13

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

    Inventor： DUTARTRE DIDIER ,  CORONEL PHILIPPE ,  LOUBET NICOLAS

    IPC: H01L21/48 ,  H01L21/20

    Abstract: Metal contacts are self-positioned on a wafer of semiconductor product. Respective placement areas for a metal contact are determined by a selective deposition of a growth material over a region of the substrate surface (for example, through epitaxial growth). The growth material is surrounded by an insulating material. The grown material is then removed to form a void in the insulating material which coincides with the desired location of the metal contact. This removal of the grown material exposes the region on the substrate surface. Conductive material is then deposited to fill the void and thus form the metal contact directly with the region of the substrate surface.

    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES
    9.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLETEMENT DEPLETES ET PARTIELLEMENT DEPLETES 未知

    公开(公告)号：FR2905519A1

    公开(公告)日：2008-03-07

    申请号：FR0653524

    申请日：2006-08-31

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL

    IPC: H01L21/8236 ,  H01L27/088

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré contenant des transistors MOS complètement et partiellement déplétés, comprenant les étapes suivantes .a) former des transistors MOS similaires sur une couche mince de silicium (3) formée sur une couche de silicium-germanium (2) reposant sur un substrat de silicium ;b) coller la face supérieure de la structure à une plaquette support (21) ;c) éliminer le substrat;d) déposer un masque (23) et ouvrir ce masque aux emplacements des transistors complètement déplétés ;e) oxyder le silicium-germanium aux emplacements des transistors complètement déplétés dans des conditions telles qu'il se produit un phénomène de condensation ; etf) éliminer la partie oxydée et la partie de silicium-germanium, d'où il résulte qu'il demeure des transistors dont la couche de silicium est amincie.

    CAPTEUR D'IMAGES ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A TEMPERATURE DE SUBSTRAT UNIFORME
    10.
    发明专利
    CAPTEUR D'IMAGES ECLAIRE PAR LA FACE ARRIERE A TEMPERATURE DE SUBSTRAT UNIFORME 未知

    公开(公告)号：FR2904143A1

    公开(公告)日：2008-01-25

    申请号：FR0653082

    申请日：2006-07-24

    Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

    Inventor： CAZAUX YVON ,  CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146 ,  H04N3/15

    Abstract: L'invention concerne un capteur d'images comprenant des cellules photosensibles comportant des photodiodes (D) et au moins un circuit supplémentaire à forte dissipation thermique comportant des transistors (M7, M8). Le capteur d'images est réalisé de façon monolithique et comprend une couche (60) d'un matériau semiconducteur ayant des première et deuxième faces opposées (15, 16) et comprenant, du côté de la première face (15), des premières régions (34, 38) correspondant aux bornes de puissance des transistors, l'éclairage du capteur d'images étant destiné à être réalisé du côté de la deuxième face ; un empilement de couches isolantes (70) recouvrant la première face ; un renfort (78) thermiquement conducteur recouvrant l'empilement du côté opposé à la couche ; et des vias (76) thermiquement conducteurs reliant la couche au renfort.

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