公开(公告)号：FR2971888A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151473

申请日：2011-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BLONKOWSKI SERGE ,  LOPEZ DIANA

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0203

Abstract: Procédé de mesure d'énergie lumineuse reçue par au moins un photosite (P)comprenant un transistor de transfert (3) et une photodiode (P) comportant une zone de stockage de charge (6), le procédé comprenant une encapsulation de la grille du transistor de transfert (3) du photosite (P) dans une couche (5) de matériau semi-conducteur dont au moins une partie comprend un matériau semi-conducteur amorphe hydrogéné, une mise à la masse de la zone de stockage de charges (6) du photosite (P), et une détermination de la dérive temporelle de l'intensité du courant drain-source du transistor de transfert (3).

公开(公告)号：WO2008047000A3

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：PCT/FR2007001701

申请日：2007-10-16

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

Inventor： DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/06 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: According to the invention, the dielectric (6) of a capacitor (1) is made by superimposing at least two thin layers (6a, 6b) made of the same metallic oxide respectively in crystalline and amorphous forms and respectively having relative capacity quadratic ratios according to the opposed-signs voltage. The respective thickness d a and d c of the amorphous (6b) and crystalline (6a) thin layers correspond to the following general formulae in which: e 0 is the vacuum permittivity, e c and e a correspond to the relative permittivity of the metallic oxide respectively in the crystalline and amorphous forms, C s0 is the zero-field total surface capacity, and ? c et ? a correspond to the relative capacity quadratic ratios according to the electric field of the metallic oxide respectively in the crystalline form and in the amorphous form.

Abstract translation: 根据本发明，电容器（1）的电介质（6）通过将由相同金属氧化物制成的至少两个薄层（6a，6b）分别叠加在晶体和非晶形中并分别具有相对容量二次比 到相反的电压。 非晶（6b）和结晶（6a）薄层的相应厚度d a a和d c c对应于以下通式，其中：e < / SUB>是真空介电常数，e和c分别对应于结晶和无定形形式的金属氧化物的相对介电常数，C < / SUB>是零场总表面容量，α3和α3分别对应于分别在金属氧化物的电场中的相对容量二次比 结晶形式和无定形形式。

公开(公告)号：FR2907593B1

公开(公告)日：2009-01-23

申请号：FR0701346

申请日：2007-02-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01G4/33

Abstract: The method involves depositing thin amorphous metal oxide layer (9) on an electrode (5) at predetermined temperature corresponding to temperature at which metal oxide presents quadratic coefficient of relative capacitance close to zero based on voltage. Heat treatment is performed after the metal oxide layer is deposited on the electrode. Another electrode (7) is formed on the metal oxide layer.

公开(公告)号：FR2973568A1

公开(公告)日：2012-10-05

申请号：FR1152825

申请日：2011-04-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01L23/50

Abstract: Procédé de contrôle de la conduction électrique entre deux portions électriquement conductrices (2 et 3), comprenant un placement d'un cristal (4) au moins partiellement ionique entre les deux portions électriquement conductrices (2 et 3), le cristal (4) comprenant au moins une région surfacique (41) couplée aux deux portions électriquement conductrices (2 et 3), ladite région surfacique (41) étant isolante sous l'application d'un champ électrique sur ladite région surfacique (41) et électriquement conductrice en l'absence dudit champ électrique, et une application ou non d'un champ électrique sur ladite au moins une région surfacique (41) de façon à empêcher ou établir ladite conduction électrique.

公开(公告)号：FR2915315A1

公开(公告)日：2008-10-24

申请号：FR0754581

申请日：2007-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01L21/02 ,  H01G4/10

Abstract: On ajuste la composition d'un alliage diélectrique comportant deux matériaux diélectrique ayant respectivement des susceptibilités diélectriques non linéaires d'ordre deux de signes opposés de façon à obtenir un alliage ayant une susceptibilité diélectrique non linéaire d'ordre deux inférieure à un seuil choisi, et on réalise le condensateur avec un diélectrique monocouche formé par ledit alliage.

公开(公告)号：FR2915315B1

公开(公告)日：2009-06-26

申请号：FR0754581

申请日：2007-04-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01L21/02 ,  H01G4/10

Abstract: A dielectric alloy is composed of two dielectric materials that respectively have second-order non-linear dielectric susceptibilities with opposite signs. The composition is adjusted so that the alloy has a second-order non-linear dielectric susceptibility below a chosen threshold. A dielectric layer within an integrated circuit is made using the alloy. More specifically, an integrated capacitor is produced with a single-layer dielectric formed by said alloy.

公开(公告)号：FR2907592B1

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：FR0609177

申请日：2006-10-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01G4/33

Abstract: The dielectric of a capacitor is formed by superposition of at least two thin layers made from the same metal oxide, respectively in crystalline and amorphous form and respectively presenting quadratic voltage coefficients of capacitance of opposite signs. The respective thicknesses da and dc of the amorphous and crystalline thin layers comply with the following general formulas: d a = ɛ 0 ⁢ɛ a C s ⁢⁢ 0 ⁢ ( 1 1 - ( ɛ c ɛ a ) 2 ⁢γ a γ c ) ⁢⁢ and ⁢⁢ d c = ɛ 0 ⁢ɛ c C s ⁢⁢ 0 ⁢ ( 1 1 - ( ɛ a ɛ c ) 2 ⁢γ c γ a ) in which ∈0 corresponds to the electric constant, ∈c and ∈a correspond to the relative permittivity of the metal oxide respectively in crystalline form and in amorphous form, Cs0 corresponds to the total surface capacitance at zero field, and γc and γa correspond to the quadratic coefficient of capacitance with respect to the electric field of the metal oxide respectively in crystalline form and in amorphous form.

公开(公告)号：FR2907593A1

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：FR0701346

申请日：2007-02-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01G4/33

Abstract: Un condensateur (8) est fabriqué en déposant une couche mince unique (9) en oxyde métallique amorphe sur une première électrode (5). Un traitement thermique de ladite couche mince unique (9) est, ensuite réalisé, à une température prédéterminée correspondant à la température à laquelle ledit oxyde métallique présente un coefficient quadratique de capacité relative en fonction de la tension proche de zéro. Puis, une seconde électrode (7) est, formée sur ladite couche mince unique (9).

公开(公告)号：FR2907592A1

公开(公告)日：2008-04-25

申请号：FR0609177

申请日：2006-10-19

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DEFAY EMMANUEL ,  GUILLAN JULIE ,  BLONKOWSKI SERGE

IPC: H01G4/33

Abstract: Le diélectrique (6) d'un condensateur (1) est constitué par la superposition d'au moins deux couches minces (6a, 6b) constituées par un même oxyde métallique, respectivement sous forme cristalline et amorphe et présentant respectivement des coefficients quadratiques de capacité relative en fonction de la tension de signes opposés. Les épaisseurs respectives da et dc des couches minces amorphe (6b) et cristalline (6a) répondent aux formules générales suivantes : dans lesquelles epsilon0. correspond à la permittivité du vide, epsilonc et epsilona correspondent aux permittivités relatives de l'oxyde métallique respectivement sous forme cristalline et sous forme amorphe, Cs0 correspond à la capacité surfacique totale à champ nul, gammac et gammaa correspondent aux coefficients quadratiques de capacité relative en fonction du champ électrique de l'oxyde métallique respectivement sous forme cristalline et sous forme amorphe.