公开(公告)号：FR2971888A1

公开(公告)日：2012-08-24

申请号：FR1151473

申请日：2011-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BLONKOWSKI SERGE ,  LOPEZ DIANA

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0203

Abstract: Procédé de mesure d'énergie lumineuse reçue par au moins un photosite (P)comprenant un transistor de transfert (3) et une photodiode (P) comportant une zone de stockage de charge (6), le procédé comprenant une encapsulation de la grille du transistor de transfert (3) du photosite (P) dans une couche (5) de matériau semi-conducteur dont au moins une partie comprend un matériau semi-conducteur amorphe hydrogéné, une mise à la masse de la zone de stockage de charges (6) du photosite (P), et une détermination de la dérive temporelle de l'intensité du courant drain-source du transistor de transfert (3).