公开(公告)号：FR3013474A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361179

申请日：2013-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： IGHILAHRIZ SALIM ,  CACHO FLORIAN ,  HUARD VINCENT

IPC: G06F17/50 ,  H01L21/8222 ,  H01L29/737

Abstract: L'invention concerne un procédé de simulation de circuit comprenant : simuler, par un dispositif de traitement, le comportement d'un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) sur la base d'au moins une première tension base-émetteur (VBE) du transistor pour déterminer une première densité de courant de base ou de collecteur (JB, JC) du dispositif HBT ; et déterminer si l'application de la première tension base-émetteur au dispositif HBT va provoquer une dégradation du courant de base en réalisant une première comparaison de la première densité de courant à une première limite de densité de courant.