公开(公告)号：FR3001577A1

公开(公告)日：2014-08-01

申请号：FR1350770

申请日：2013-01-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： CHAPELON LAURENT-LUC ,  ANCEY PASCAL ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L23/36 ,  H01L25/065

Abstract: Structure intégrée, comprenant un support (7) supportant au moins une puce (1) et un boîtier de dissipation thermique (4), fixé à ladite puce, thermiquement conducteur et thermiquement dilatable de façon compatible avec ladite puce.

公开(公告)号：FR3041772B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：FR1559267

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN ,  MARTY MICHEL ,  BOUTAMI SALIM ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: G02B5/20 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR3011120A1

公开(公告)日：2015-03-27

申请号：FR1359150

申请日：2013-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TALUY ALISEE ,  BAR PIERRE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L23/373 ,  H01L21/76 ,  H01L21/98 ,  H01L23/538

Abstract: L'invention concerne un dispositif (15) comprenant une puce (3) de circuits intégrés, un support (5), une couche (17) disposée entre la puce de circuits intégrés et le support, et des éléments conducteurs (9) adaptés à conduire électriquement reliant la puce de circuits intégrés au support à travers la couche, la couche comprenant des particules métalliques (19) réparties dans un matériau isolant électriquement (21), chaque élément conducteur électriquement étant revêtu latéralement d'une gaine isolante électriquement (23).

公开(公告)号：FR3014243A1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：FR1362088

申请日：2013-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BOUTAMI SALIM ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146 ,  G02B5/20

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif imageur intégré à illumination face avant, le procédé comprenant : - une formation d'au moins une première région diélectrique inférieure, la première région diélectrique inférieure ayant une face supérieure, - une formation d'au moins un premier filtre optique métallique (FIL1) comportant un motif métallique, ledit filtre étant sur ladite face supérieure ou s'étendant dans la première région diélectrique inférieure depuis ladite face supérieure, - une formation d'une première région diélectrique supérieure au-dessus de la première région diélectrique inférieure et du premier filtre optique métallique pour former avec au moins une partie de la première région inférieure une première zone diélectrique (ZD1) associée à un niveau de métallisation du dispositif imageur intégré.

公开(公告)号：FR3010830A1

公开(公告)日：2015-03-20

申请号：FR1358934

申请日：2013-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  LHOSTIS SANDRINE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  CORONEL PHILIPPE

IPC: H01L23/473

Abstract: L'invention concerne un dispositif (200) de refroidissement d'une puce (IC) de circuit intégré, comportant un réseau de micro-canalisations (209, 211, 213, 215) dans lequel des portions de canalisations sont reliées par des vannes (218) comportant chacune au moins une lamelle (221) bicouche.

公开(公告)号：FR3014245A1

公开(公告)日：2015-06-05

申请号：FR1362093

申请日：2013-12-04

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： LHOSTIS SANDRINE ,  BOUTAMI SALIM ,  MARTY MICHEL ,  GIRARD DESPROLET ROMAIN

IPC: H01L31/18 ,  G02B5/20 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H04N5/335

Abstract: Procédé de formation d'un dispositif imageur intégré à illumination face arrière comprenant au moins une première zone photosensible (ZP1) dans un substrat (SUB) et une région diélectrique (RD) en dessous d'une face arrière (BF) du substrat et de la première zone photosensible, ce procédé comprend une formation d'un premier filtre optique métallique (FIL1) comprenant un motif métallique dans ladite région diélectrique en dessous de la première zone photosensible.

公开(公告)号：WO2008155490A3

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：PCT/FR2008050753

申请日：2008-04-25

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  CENTRE NAT RECH SCIENT ,  INST NAT POLYTECHNIQUE GRENOBL ,  DUBOURDIEU CATHERINE ,  RAUWEL ERWAN YANN ,  COSNIER VINCENT ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BENSAHEL DANIEL-CAMILLE

Inventor： DUBOURDIEU CATHERINE ,  RAUWEL ERWAN YANN ,  COSNIER VINCENT ,  LHOSTIS SANDRINE ,  BENSAHEL DANIEL-CAMILLE

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28194 ,  G11B7/005 ,  G11B20/10009 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: The invention relates to an integrated electronic circuit including a thin film portion based on hafnium oxide (1). According to the invention, said portion also contains magnesium atoms in the form of a mixed oxide of hafnium and magnesium. One such portion has high dielectric permittivity and very low leakage current. The invention is particularly suitable for forming part of a gate insulating film of an MOS transistor or part of an MIM capacitor dielectric.

Abstract translation: 本发明涉及包括基于氧化铪（1）的薄膜部分的集成电子电路。 根据本发明，所述部分还含有铪和镁的混合氧化物形式的镁原子。 一个这样的部分具有高介电常数和非常低的漏电流。 本发明特别适用于形成MOS晶体管或MIM电容器电介质的一部分的栅极绝缘膜的一部分。

公开(公告)号：FR2995442A1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：FR1258471

申请日：2012-09-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NODIN JEAN-FRANCOIS ,  SOUSA VERONIQUE ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire comprenant un via en un matériau à changement de phase (41) disposé entre une électrode inférieure (33) et une électrode supérieure (39), dans laquelle le via comprend une région centrale (43) entourée latéralement par une région périphérique (45), les températures de cristallisation et de fusion de la région centrale étant respectivement inférieures à celles de la région périphérique.

公开(公告)号：FR2995442B1

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：FR1258471

申请日：2012-09-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NODIN JEAN-FRANCOIS ,  SOUSA VERONIQUE ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

公开(公告)号：FR2995443A1

公开(公告)日：2014-03-14

申请号：FR1258472

申请日：2012-09-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： NODIN JEAN-FRANCOIS ,  SOUSA VERONIQUE ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire comprenant un via (41) en un matériau à changement de phase disposé entre une électrode inférieure (33) et une électrode supérieure (39), dans laquelle le via comprend une première région (41a) accolée à une deuxième région (41b) elle-même accolée à au moins une troisième région (41c), les première, deuxième et troisième régions s'étendant chacune de l'électrode supérieure à l'électrode inférieure, la température de cristallisation de la deuxième région étant comprise entre celle de la première région et celle de la troisième région, et les températures de fusion des première, deuxième et troisième régions étant sensiblement identiques.