公开(公告)号：FR2982072B1

公开(公告)日：2014-07-11

申请号：FR1159698

申请日：2011-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PETIT DAVID ,  RAUBER BRUNO

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：FR2982072A1

公开(公告)日：2013-05-03

申请号：FR1159698

申请日：2011-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PETIT DAVID ,  RAUBER BRUNO

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un transistor DMOS sur SOI comprenant une grille allongée (7) s'étendant sur toute la largeur d'une zone active ; une région de drain (5) d'un premier type de conductivité s'étendant sur toute la largeur de la zone active ; une région de source (18) du premier type de conductivité s'étendant parallèlement à la grille et s'arrêtant avant la limite de la zone active au moins d'un côté de la largeur du transistor, un intervalle (d) existant entre la limite de la région de source et la limite de la zone active ; une région de corps (10, 30) d'un deuxième type de conductivité s'étendant sous la grille et dans ledit intervalle ; une région (31) plus fortement dopée du deuxième type de conductivité s'étendant sur une partie (dl) dudit intervalle du côté de la limite de la zone active ; et une métallisation de source allongée (MS) s'étendant sur toute la largeur de la zone active.

公开(公告)号：FR2816108B1

公开(公告)日：2003-02-21

申请号：FR0013949

申请日：2000-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOISSONNET LAURENCE ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RAUBER BRUNO ,  GRANIER ANDRE

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232

Abstract: A method of simultaneously fabricating a pair of insulated gate transistors respectively having a thin oxide and a thick oxide, and an integrated circuit including a pair of transistors of this kind. Forming low-doped NLDD areas of the thin oxide second transistor includes implanting a first dopant having a first concentration and implanting a second dopant having a second concentration lower than the first concentration. Forming low-doped areas NLDD of the first, thick oxide transistor includes only said implantation of the second dopant.

公开(公告)号：FR3018140A1

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：FR1451651

申请日：2014-02-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： RAUBER BRUNO

IPC: H01L31/11

Abstract: L'invention concerne un photodétecteur formé dans une couche semiconductrice de type SOI, le photodétecteur comprenant une première région (21) et une deuxième région (23) d'un premier type de conductivité séparées l'une de l'autre par une région centrale (25) du deuxième type de conductivité, et une face transverse soumise à éclairement s'étendant orthogonalement à la surface supérieure de la région centrale.

公开(公告)号：FR2816108A1

公开(公告)日：2002-05-03

申请号：FR0013949

申请日：2000-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BOISSONNET LAURENCE ,  GOLANSKI DOMINIQUE ,  RAUBER BRUNO ,  GRANIER ANDRE

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8232

Abstract: The invention concerns a method wherein the formation of low doped zones (NLDD 17, 61) of the second transistor (T2) with fine oxide comprises an implantation of a first doping agent (16) having a first concentration and an implantation of a second doping agent (22) having a second concentration lower than the first concentration. The formation of low doped zones (NLDD 61) of the first transistor (T1) with thick oxide comprises only said implantation of the second doping agent (22).