公开(公告)号：FR3086462A1

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：FR1858603

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CANVEL YANN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  BOIXADERAS CHRISTELLE

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L21/3065

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique (100) comprenant une première étape de gravure d'au moins une première couche (104) suivie, sans remise en contact avec de l'oxygène, d'une deuxième étape de passivation (112).

公开(公告)号：FR3011382B1

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：FR1359365

申请日：2013-09-27

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BARNOLA SEBASTIEN ,  MORAND YVES ,  NIEBOJEWSKI HEIMANU

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un circuit intégré sur un substrat comportant les étapes suivantes : - réalisation d'un empilement de grille à la surface d'une zone active, comportant les sous-étapes suivantes : • dépôt d'une couche d'un premier diélectrique ; • dépôt d'une couche conductrice de grille ; • dépôt d'une couche d'un premier métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième métal ; • dépôt d'une couche d'un deuxième diélectrique ; - gravure partielle de l'empilement de grille pour la formation d'une zone de grille sur zone active ; - réalisation d'espaceurs isolants de part et d'autre de la zone de grille sur zone active ; - réalisation de zones de source et de drain ; - réalisation de zones de siliciuration à la surface des zones de source et de drain ; - gravure, sur la zone de grille sur zone active, de la deuxième couche de diélectrique et de la couche du deuxième métal avec arrêt sur la couche du premier métal, de manière à former une cavité entre les espaceurs isolants ; - réalisation d'un bouchon de protection à la surface de la couche du premier métal de la zone de grille sur zone active, le bouchon de protection venant combler la cavité.

公开(公告)号：FR3025938B1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1458759

申请日：2014-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ARVET CHRISTIAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772