公开(公告)号：FR3025938B1

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：FR1458759

申请日：2014-09-17

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ARVET CHRISTIAN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  POSSEME NICOLAS

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772

公开(公告)号：FR3086462A1

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：FR1858603

申请日：2018-09-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CANVEL YANN ,  LAGRASTA SEBASTIEN ,  BARNOLA SEBASTIEN ,  BOIXADERAS CHRISTELLE

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L21/3065

Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un composant électronique (100) comprenant une première étape de gravure d'au moins une première couche (104) suivie, sans remise en contact avec de l'oxygène, d'une deuxième étape de passivation (112).