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    Modulateur optique capacitif
    1.
    发明专利
    Modulateur optique capacitif 未知

    公开(公告)号：FR3098977B1

    公开(公告)日：2021-07-30

    申请号：FR1908189

    申请日：2019-07-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BARRERA CYRILLE

    IPC: H01L21/20 ,  G02B6/42 ,  H01L21/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    Abstract: Modulateur optique capacitif La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CAPACITE PARASITE REDUITE
    4.
    发明专利
    PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CAPACITE PARASITE REDUITE 未知

    公开(公告)号：FR3049110A1

    公开(公告)日：2017-09-22

    申请号：FR1652403

    申请日：2016-03-21

    Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： LE ROYER CYRILLE ,  BOEUF FREDERIC ,  GRENOUILLET LAURENT ,  HUTIN LOUIS ,  MORAND YVES

    IPC: H01L21/336

    Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication, comprenant les étapes de : -fournir un substrat (100) comportant une couche de matériau semi-conducteur (133) surmontée d'une grille sacrificielle comportant un isolant de grille sacrificiel comportant : -une partie médiane, et -des bords surmontés d'espaceurs sacrificiels et présentant une épaisseur tox; -retirer l'isolant de grille sacrificiel et le matériau de grille sacrificiel; -former un dépôt conforme d'une épaisseur thk de matériau diélectrique à l'intérieur de la gorge formée pour former un isolant de grille, avec tox > thk ≥ tox/2 ; -former une électrode de grille (142) dans la gorge ; -retirer les espaceurs sacrificiels pour découvrir des bords (122) de la couche d'isolant de grille ; -former des espaceurs (150, 151) sur les bords (122) de la couche d'isolant de grille de part et d'autre de l'électrode de grille (142), ces espaceurs présentant une constante diélectrique au plus égale à 3,5.

    Modulateur optique capacitif
    6.
    发明专利
    Modulateur optique capacitif 未知

    公开(公告)号：FR3098977A1

    公开(公告)日：2021-01-22

    申请号：FR1908189

    申请日：2019-07-19

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  BARRERA CYRILLE

    IPC: H01L21/20 ,  G02B6/42 ,  H01L21/18 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

    Abstract: Modulateur optique capacitif La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur. Figure pour l'abrégé : Fig. 5

    Dispositif optoélectronique
    9.
    发明专利
    Dispositif optoélectronique 未知

    公开(公告)号：FR3111015A1

    公开(公告)日：2021-12-03

    申请号：FR2005573

    申请日：2020-05-27

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

    IPC: H01L27/146

    Abstract: Dispositif optoélectronique La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un empilement : - d'un premier étage (14) comprenant des premières photodiodes configurées pour fonctionner dans une première gamme de longueurs d'onde ; et - d'un deuxième étage (16) comprenant des deuxièmes photodiodes configurées pour fonctionner dans une deuxième gamme de longueurs d'onde, le premier étage étant situé entre des rayonnements (12) adaptés à être reçus par le dispositif et le deuxième étage (16), les portions du premier étage situées entre le deuxième étage et les rayonnements étant en des matériaux transparents aux longueurs d'onde de la première gamme de longueurs d’onde. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

    Puce de circuit intégré photonique
    10.
    发明专利
    Puce de circuit intégré photonique 未知

    公开(公告)号：FR3094502A1

    公开(公告)日：2020-10-02

    申请号：FR1903064

    申请日：2019-03-25

    Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SRL

    Inventor： BOEUF FREDERIC ,  MAGGI LUCA

    IPC: G02B6/26 ,  B82Y20/00 ,  H01L23/522 ,  H01L25/00

    Abstract: Puce de circuit intégré photonique La présente description concerne une puce (1000) de circuit intégré photonique comprenant : une pluralité de coupleurs (18) à réseau de diffraction verticale définis dans une première couche semiconductrice (10) ou isolante surmontée d'une structure d'interconnexion (24) comprenant plusieurs niveaux de métal (M1, M2, M3, M4) noyés dans des deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) ; et une cavité (200) s'étendant en profondeur à travers les deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) jusqu'à un niveau intermédiaire entre les coupleurs (18) et le niveau de métal (M1) le plus proche des coupleurs (18), la cavité ayant des dimensions latérales telles que la cavité est adaptée à recevoir un bloc de maintien (302) d'un réseau de fibres optiques (304) destinées à être couplées optiquement avec les coupleurs (18). Figure pour l'abrégé : Fig. 3

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