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公开(公告)号:FR3116618A1
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:FR2011963
申请日:2020-11-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: GASIOT GILLES , TROCHUT SEVERIN , LE NEEL OLIVIER , MALHERBE VICTOR
IPC: G01T1/17
Abstract: Détecteur de rayons X La présente description concerne un détecteur de rayons X (20) comprenant : - un premier circuit électronique (22) comprenant un premier transistor bipolaire de type NPN (23) ; et - un deuxième circuit (26) configuré pour comparer une tension (SG) du circuit électronique à une valeur de référence (Sref) sensiblement égale à la valeur de ladite tension (SG) lorsque le premier circuit (22) a reçu une quantité seuil de rayons X. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号:FR3104321A1
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:FR1914079
申请日:2019-12-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor: LE NEEL OLIVIER , MONFRAY STEPHANE
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: Capteur de lumière La présente description concerne un capteur de lumière (1) comprenant des pixels (Pix1, Pix2) comportant chacun une zone de photoconversion (PD1, PD2), dans lequel un premier (Pix2) desdits pixels comprend un premier filtre (F2) à résonance de Fano et un deuxième desdits pixels (Pix1) est dépourvu de filtre à résonance de Fano. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3114169A1
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:FR2009213
申请日:2020-09-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: LE NEEL OLIVIER , ZOLL STÉPHANE , MONFRAY STÉPHANE
Abstract: Filtre optique (FLT1) comportant : une couche de support (CS) comprenant un premier matériau (MAT1), un réseau périodique (RP) de plots disposés sur la couche de support selon un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques (H, D, P), les plots comprenant un deuxième matériau (MAT2), une couche comprenant un troisième matériau (MAT3) englobant le réseau périodique de plots et recouvrant la couche de support, le troisième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du deuxième matériau. Dans lequel les dimensions caractéristiques du réseau périodique de plots sont inférieures à une longueur d’onde parasite et configurées pour réfléchir sélectivement la lumière à la longueur d’onde parasite sur le réseau périodique de plots. Figure pour l’abrégé : Fig 1E
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公开(公告)号:FR3103033A1
公开(公告)日:2021-05-14
申请号:FR1912499
申请日:2019-11-07
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS RES & DEV LTD
Inventor: LE NEEL OLIVIER , PRICE ANDY , HALLIDAY WILLIAM
Abstract: État d'un système optique La présente description concerne un procédé comprenant les étapes successives suivantes : a) déterminer une variation de la température d'un élément optique (2), ladite variation de température résultant d'une phase d'illumination de l'élément optique par un faisceau laser (3) traversant une zone de l'élément optique ; b) comparer la variation déterminée à l'étape a) à au moins un seuil prédéterminé ; et c) déduire de l'étape b) des informations sur l'état de l'élément optique et d'une source (1) du faisceau laser. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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