公开(公告)号：FR3116618A1

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：FR2011963

申请日：2020-11-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GASIOT GILLES ,  TROCHUT SEVERIN ,  LE NEEL OLIVIER ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01T1/17

Abstract: Détecteur de rayons X La présente description concerne un détecteur de rayons X (20) comprenant : - un premier circuit électronique (22) comprenant un premier transistor bipolaire de type NPN (23) ; et - un deuxième circuit (26) configuré pour comparer une tension (SG) du circuit électronique à une valeur de référence (Sref) sensiblement égale à la valeur de ladite tension (SG) lorsque le premier circuit (22) a reçu une quantité seuil de rayons X. Figure pour l'abrégé : Fig. 2

公开(公告)号：FR3092402B1

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：FR1900935

申请日：2019-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： LECAT--MATHIEU DE BOISSAC CAPUCINE ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01R29/02

Abstract: Mesure de la durée d'une impulsion La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3049765B1

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：FR1652999

申请日：2016-04-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： GASIOT GILLES ,  MALHERBE VICTOR ,  CLERC SYLVAIN

IPC: H01L23/552 ,  G11C29/52

公开(公告)号：FR3047565B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：FR1650947

申请日：2016-02-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CLERC SYLVAIN ,  GASIOT GILLES

IPC: G01R31/3183

公开(公告)号：FR3055463A1

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：FR1658080

申请日：2016-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES

IPC: G11C11/412 ,  H01L23/62

Abstract: L'invention concerne un élément de mémorisation comprenant deux inverseurs CMOS (10, 11), couplés tête-bêche entre deux noeuds (52, 53) ; et un transistor MOS (51), connecté en condensateur entre lesdits noeuds (52, 53).

公开(公告)号：FR3066613B1

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：FR1754359

申请日：2017-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  UNIV AIX MARSEILLE ,  UNIV DE TOULON ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COCHET MARTIN ,  SOUSSAN DIMITRI ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G01T1/02 ,  H01L31/0248

Abstract: Le dispositif de mesure de particules ionisantes comprend un module d'acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d'acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d'acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.

公开(公告)号：FR3066613A1

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：FR1754359

申请日：2017-05-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  UNIV AIX MARSEILLE ,  UNIV DE TOULON ,  CENTRE NAT RECH SCIENT

Inventor： COCHET MARTIN ,  SOUSSAN DIMITRI ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G01T1/02 ,  H01L31/0248

Abstract: Le dispositif de mesure de particules ionisantes comprend un module d'acquisition (4) comportant des premier et deuxième étages d'acquisition (8, 9) comportant respectivement des sensibilités différentes à des particules ionisantes absorbées par le module d'acquisition (4) et configurés pour générer respectivement des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6) ayant chacun une caractéristique variable en fonction de la quantité de particules ionisantes absorbées, et un module de traitement (7) comportant un étage de mesure (10) configuré pour générer à partir des premier et deuxième signaux d'acquisition (5, 6), un paramètre relatif Nr entre lesdites caractéristiques variables et un étage de calcul (11) configuré pour calculer une dose totale ionisante (TID) en utilisant une loi polynomiale de degré 1 ou 2 en Nr.

公开(公告)号：FR2905192A1

公开(公告)日：2008-02-29

申请号：FR0653444

申请日：2006-08-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GASIOT GILLES ,  JACQUET FRANCOIS ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: G11C11/412

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire susceptible de mémoriser une information sous la forme d'un premier niveau logique et d'un deuxième niveau logique complémentaires l'un de l'autre, comprenant un premier moyen de stockage (MS1) et un deuxième moyen de stockage (MS2) aptes chacun à mémoriser le premier niveau logique et le deuxième niveau logique.Selon l'invention, la cellule mémoire comprend également un moyen de liaison pour, en dehors d'un accès à la cellule mémoire, isoler électriquement une entrée (E1) du premier moyen de stockage à une sortie (S2) du deuxième moyen de stockage, et / ou une entrée (E2) du deuxième moyen de stockage à une sortie (S1) du premier moyen de stockage.Application à la réalisation de mémoires de type SRAM.

公开(公告)号：FR3092402A1

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：FR1900935

申请日：2019-01-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS

Inventor： LECAT--MATHIEU DE BOISSAC CAPUCINE ,  ABOUZEID FADY ,  GASIOT GILLES ,  ROCHE PHILIPPE ,  MALHERBE VICTOR

IPC: G01R29/02

Abstract: Mesure de la durée d'une impulsion La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : un premier circuit (11) comportant une première chaine d'étages (113a) identiques définissant des première et deuxième lignes à retard ; un deuxième circuit (14) comportant une deuxième chaine d'étages (113b) identiques aux étages de la première chaine, la deuxième chaine définissant des troisième et quatrième lignes à retard ; et un troisième circuit (13) reliant sélectivement la troisième ligne à retard, la quatrième ligne à retard ou une première entrée (133) du troisième circuit à une même entrée (112) du premier circuit (11). Figure pour l'abrégé : Fig. 1