公开(公告)号：FR3114169A1

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：FR2009213

申请日：2020-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： LE NEEL OLIVIER ,  ZOLL STÉPHANE ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: G02B5/10 ,  H01L21/02

Abstract: Filtre optique (FLT1) comportant : une couche de support (CS) comprenant un premier matériau (MAT1), un réseau périodique (RP) de plots disposés sur la couche de support selon un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques (H, D, P), les plots comprenant un deuxième matériau (MAT2), une couche comprenant un troisième matériau (MAT3) englobant le réseau périodique de plots et recouvrant la couche de support, le troisième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du deuxième matériau. Dans lequel les dimensions caractéristiques du réseau périodique de plots sont inférieures à une longueur d’onde parasite et configurées pour réfléchir sélectivement la lumière à la longueur d’onde parasite sur le réseau périodique de plots. Figure pour l’abrégé : Fig 1E

公开(公告)号：FR3152913A1

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：FR2309552

申请日：2023-09-11

Applicant: CENTRE NAT RECH SCIENT ,  UNIV LILLE ,  UNIV POLYTECHNIQUE HAUTS DE FRANCE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： DUBOIS EMMANUEL ,  FLEURY ALAIN ,  GHEYSENS DANIEL ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H01L21/4763 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

Abstract: Titre : Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d’air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence L’invention concerne un procédé de fabrication d’un dispositif microélectronique (100) à cavité (20) comprenant au moins transistor (11a), ledit procédé comprenant au moins l’étape suivante : Retirer les matériaux d’un empilement de couches diélectriques (1) du dispositif microélectronique (100), sélectivement par rapport aux matériaux d’un ensemble de lignes d’interconnexion (2) et d’une couverture (3) d’une zone active par une gravure par HF en phase vapeur, formant ainsi la cavité (20) s’étendant latéralement suivant une direction x au moins jusqu’à l’exposition des parois de l’ensemble des lignes d’interconnexion (2) en regard du premier transistor (11a), et suivant une direction z perpendiculaire à la direction x jusqu’à l’exposition d’une face supérieure de la couverture (3) de la zone active. Figure pour l’abrégé : Fig. 4

公开(公告)号：FR3114189A1

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：FR2009212

申请日：2020-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: Dispositif électronique comprenant : une région semiconductrice photosensible configurée pour être illuminée par une face arrière, comprenant une face avant opposée à la face arrière, un réseau périodique de plots, comprenant un premier matériau, formé sur la face avant, ayant un contour présentant un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques, ledit contour formant une interface entre le premier matériau et un deuxième matériau, le deuxième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du premier matériau. Les dimensions caractéristiques du motif périodique sont inférieures à une longueur d’onde d’intérêt et configurées pour produire une réflexion de lumière sur l’interface, à la longueur d’onde d’intérêt, vers la région semiconductrice photosensible. Figure de l’abrégé : Fig 1

公开(公告)号：WO2015025106A3

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：PCT/FR2014052099

申请日：2014-08-18

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STÉPHANE ,  MAITRE CHRISTOPHE ,  KOKSHAGINA OLGA ,  SKOTNICKI THOMAS ,  SOUPREMANIEN ULRICH

IPC: H02N1/08

CPC classification number: H02N1/08 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0024 ,  B81B2203/053 ,  F01K5/02 ,  H02N1/006

Abstract: The invention relates to a device (400) for converting energy, comprising an enclosure (430) containing drops of a liquid (427) and an electret capacitive transducer (417, 419, 421) coupled to that enclosure.

Abstract translation: 用于转换能量的设备（400）技术领域本发明涉及一种用于转换能量的设备（400），其包括包含液滴（427）的外壳（430）和耦合到该外壳的驻极体电容换能器（417,419,421）。

公开(公告)号：EP3035530B1

公开(公告)日：2018-01-10

申请号：EP15199659

申请日：2015-12-11

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： TROCHUT SÉVERIN ,  WILLEMIN JÉRÔME ,  BOISSEAU SÉBASTIEN ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H03K3/2893 ,  G01R19/165 ,  H02M3/158 ,  H02N2/18 ,  H03K3/021 ,  H03K3/3565 ,  H03K17/30

CPC classification number: H02J7/345 ,  G01R19/0084 ,  G01R19/16519 ,  G01R19/16538 ,  G01R19/16576 ,  H02M3/156 ,  H02M2001/0022 ,  H02N2/181 ,  H03K3/021 ,  H03K3/2893 ,  H03K3/3565 ,  H03K17/302 ,  H03K2217/0036